'格菲科創板研究院研報推送——中微公司'
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
其中，前五大客戶銷售歷年合計佔比分別為85.74%、74.52%、60.55%，佔比較高，主要原因是芯片製造行業為重資產行業，進入壁壘極高，客戶集中度較大，行業前5大廠商佔據了絕大部分市場份額，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大。
銷售區域：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
其中，前五大客戶銷售歷年合計佔比分別為85.74%、74.52%、60.55%，佔比較高，主要原因是芯片製造行業為重資產行業，進入壁壘極高，客戶集中度較大，行業前5大廠商佔據了絕大部分市場份額，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大。
銷售區域：
中國大陸地區的收入快速增長，佔營業收入的比例從2016年的57.43%迅速提升至2018年的83.89%，成為公司主營區域。
產能分析：
產能較為靈活，採用以銷定產的方式，對固定資產佔用較小，生產週期較短，可以根據市場需求靈活的調整產量。存貨主要為原材料以及尚未確認收入的發出商品，產成品存貨較少，不存在產能限制問題。
4.募投項目：
共募集10億資金，按優先順序用途如下：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
其中，前五大客戶銷售歷年合計佔比分別為85.74%、74.52%、60.55%，佔比較高，主要原因是芯片製造行業為重資產行業，進入壁壘極高，客戶集中度較大，行業前5大廠商佔據了絕大部分市場份額，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大。
銷售區域：
中國大陸地區的收入快速增長，佔營業收入的比例從2016年的57.43%迅速提升至2018年的83.89%，成為公司主營區域。
產能分析：
產能較為靈活，採用以銷定產的方式，對固定資產佔用較小，生產週期較短，可以根據市場需求靈活的調整產量。存貨主要為原材料以及尚未確認收入的發出商品，產成品存貨較少，不存在產能限制問題。
4.募投項目：
共募集10億資金，按優先順序用途如下：
項目解讀：
作為半導體設備行業公認的後起之秀，技術和規模是半導體設備企業的核心競爭力，中微公司有著強大的技術背景和研發能力，主要產品技術已達到國內外先進水平，產品迅速應用到各大頂尖半導體生產廠家，國內市場銷售規模也在快速提升，未來發展潛力較大；同時，近幾年是半導體行業快速發展時期，半導體制造產能向大陸轉移，國內半導體制造投資顯著增大，面對日益旺盛的市場需求，中微需要更多的資金投入，迅速提升技術水平和產能，抓住機會，迅速佔領行業市場，鞏固提升技術優勢，加快形成規模優勢，才能更好地應對國外巨頭的競爭，提升鞏固行業地位。
現有募投項目圍繞產能升級擴張，提升研發能力方面，與公司發展戰略相符合，也符合公司當前發展階段，有助於公司進一步擴大競爭力，提升市場佔有率。
5.盈利預測
中微公司當前處於營收快速增長期，2017年營收增長率為59.45%，2018年營收增長率為68.66%，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，主要受益於刻蝕設備行業的市場需求增加以及MOCVD行業市場規模迅速擴大，未來，伴隨著半導體制造行業產能向大陸轉移，公司營收有望保持較高速度增長。
四、財報分析
主要財務指標摘要：
單位：（元）
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
其中，前五大客戶銷售歷年合計佔比分別為85.74%、74.52%、60.55%，佔比較高，主要原因是芯片製造行業為重資產行業，進入壁壘極高，客戶集中度較大，行業前5大廠商佔據了絕大部分市場份額，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大。
銷售區域：
中國大陸地區的收入快速增長，佔營業收入的比例從2016年的57.43%迅速提升至2018年的83.89%，成為公司主營區域。
產能分析：
產能較為靈活，採用以銷定產的方式，對固定資產佔用較小，生產週期較短，可以根據市場需求靈活的調整產量。存貨主要為原材料以及尚未確認收入的發出商品，產成品存貨較少，不存在產能限制問題。
4.募投項目：
共募集10億資金，按優先順序用途如下：
項目解讀：
作為半導體設備行業公認的後起之秀，技術和規模是半導體設備企業的核心競爭力，中微公司有著強大的技術背景和研發能力，主要產品技術已達到國內外先進水平，產品迅速應用到各大頂尖半導體生產廠家，國內市場銷售規模也在快速提升，未來發展潛力較大；同時，近幾年是半導體行業快速發展時期，半導體制造產能向大陸轉移，國內半導體制造投資顯著增大，面對日益旺盛的市場需求，中微需要更多的資金投入，迅速提升技術水平和產能，抓住機會，迅速佔領行業市場，鞏固提升技術優勢，加快形成規模優勢，才能更好地應對國外巨頭的競爭，提升鞏固行業地位。
現有募投項目圍繞產能升級擴張，提升研發能力方面，與公司發展戰略相符合，也符合公司當前發展階段，有助於公司進一步擴大競爭力，提升市場佔有率。
5.盈利預測
中微公司當前處於營收快速增長期，2017年營收增長率為59.45%，2018年營收增長率為68.66%，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，主要受益於刻蝕設備行業的市場需求增加以及MOCVD行業市場規模迅速擴大，未來，伴隨著半導體制造行業產能向大陸轉移，公司營收有望保持較高速度增長。
四、財報分析
主要財務指標摘要：
單位：（元）
財報解讀：
可以看到，中微半導體各項財務數據在三年內迅速改善，無論從營業收入、淨利潤角度看，還是從流動比率、速動比率、資產負債率角度看，亦或是從經營性現金流量淨額角度看，都是一個迅速良性轉變的過程。
其中，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，最近兩年毛利潤複合增長率為50%，2018年淨利潤同比增長率為203.6%，達到了0.91億元，盈利增長十分迅猛；流動比率和速動比率與去年同期相比均增加了約一倍，其中流動比率達到了211.71%，速動比率達到了119.23%，資產負債率三年內持續降低，2018年為40.09%，資產結構質量持續改善；2018年經營活動現金流量淨額首次由負轉正，主要原因是營收迅速增加，2018年銷售商品、提供勞務收到的現金比去年同期增加了9.6億元，這是非常優秀的特徵，說明企業產品暢銷，市場銷售規模在迅速擴大，側面反映出企業產品具有較強的市場競爭力。
值得注意的是，2018年投資活動現金流量淨額與籌資活動現金流量淨額增長較大，經研究主要原因是：一方面，2018年公司股權融資收到的現金為16.6億元，同比增加了6億元；另一方面，公司營收也在迅速增加，為改善閒置資金使用效率，2018年有4個億的投資現金支出。
2.國內同業可比公司2018年主要指標對比：
單位：（元）
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
其中，前五大客戶銷售歷年合計佔比分別為85.74%、74.52%、60.55%，佔比較高，主要原因是芯片製造行業為重資產行業，進入壁壘極高，客戶集中度較大，行業前5大廠商佔據了絕大部分市場份額，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大。
銷售區域：
中國大陸地區的收入快速增長，佔營業收入的比例從2016年的57.43%迅速提升至2018年的83.89%，成為公司主營區域。
產能分析：
產能較為靈活，採用以銷定產的方式，對固定資產佔用較小，生產週期較短，可以根據市場需求靈活的調整產量。存貨主要為原材料以及尚未確認收入的發出商品，產成品存貨較少，不存在產能限制問題。
4.募投項目：
共募集10億資金，按優先順序用途如下：
項目解讀：
作為半導體設備行業公認的後起之秀，技術和規模是半導體設備企業的核心競爭力，中微公司有著強大的技術背景和研發能力，主要產品技術已達到國內外先進水平，產品迅速應用到各大頂尖半導體生產廠家，國內市場銷售規模也在快速提升，未來發展潛力較大；同時，近幾年是半導體行業快速發展時期，半導體制造產能向大陸轉移，國內半導體制造投資顯著增大，面對日益旺盛的市場需求，中微需要更多的資金投入，迅速提升技術水平和產能，抓住機會，迅速佔領行業市場，鞏固提升技術優勢，加快形成規模優勢，才能更好地應對國外巨頭的競爭，提升鞏固行業地位。
現有募投項目圍繞產能升級擴張，提升研發能力方面，與公司發展戰略相符合，也符合公司當前發展階段，有助於公司進一步擴大競爭力，提升市場佔有率。
5.盈利預測
中微公司當前處於營收快速增長期，2017年營收增長率為59.45%，2018年營收增長率為68.66%，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，主要受益於刻蝕設備行業的市場需求增加以及MOCVD行業市場規模迅速擴大，未來，伴隨著半導體制造行業產能向大陸轉移，公司營收有望保持較高速度增長。
四、財報分析
主要財務指標摘要：
單位：（元）
財報解讀：
可以看到，中微半導體各項財務數據在三年內迅速改善，無論從營業收入、淨利潤角度看，還是從流動比率、速動比率、資產負債率角度看，亦或是從經營性現金流量淨額角度看，都是一個迅速良性轉變的過程。
其中，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，最近兩年毛利潤複合增長率為50%，2018年淨利潤同比增長率為203.6%，達到了0.91億元，盈利增長十分迅猛；流動比率和速動比率與去年同期相比均增加了約一倍，其中流動比率達到了211.71%，速動比率達到了119.23%，資產負債率三年內持續降低，2018年為40.09%，資產結構質量持續改善；2018年經營活動現金流量淨額首次由負轉正，主要原因是營收迅速增加，2018年銷售商品、提供勞務收到的現金比去年同期增加了9.6億元，這是非常優秀的特徵，說明企業產品暢銷，市場銷售規模在迅速擴大，側面反映出企業產品具有較強的市場競爭力。
值得注意的是，2018年投資活動現金流量淨額與籌資活動現金流量淨額增長較大，經研究主要原因是：一方面，2018年公司股權融資收到的現金為16.6億元，同比增加了6億元；另一方面，公司營收也在迅速增加，為改善閒置資金使用效率，2018年有4個億的投資現金支出。
2.國內同業可比公司2018年主要指標對比：
單位：（元）
1、銷售費用：
銷售費用較高，2018佔營收比重為13.21%，而同期北方華創公司營收佔比僅為5.08%，對比兩家公司銷售費用2018年銷售費用明細。
單位：（萬元）
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
其中，前五大客戶銷售歷年合計佔比分別為85.74%、74.52%、60.55%，佔比較高，主要原因是芯片製造行業為重資產行業，進入壁壘極高，客戶集中度較大，行業前5大廠商佔據了絕大部分市場份額，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大。
銷售區域：
中國大陸地區的收入快速增長，佔營業收入的比例從2016年的57.43%迅速提升至2018年的83.89%，成為公司主營區域。
產能分析：
產能較為靈活，採用以銷定產的方式，對固定資產佔用較小，生產週期較短，可以根據市場需求靈活的調整產量。存貨主要為原材料以及尚未確認收入的發出商品，產成品存貨較少，不存在產能限制問題。
4.募投項目：
共募集10億資金，按優先順序用途如下：
項目解讀：
作為半導體設備行業公認的後起之秀，技術和規模是半導體設備企業的核心競爭力，中微公司有著強大的技術背景和研發能力，主要產品技術已達到國內外先進水平，產品迅速應用到各大頂尖半導體生產廠家，國內市場銷售規模也在快速提升，未來發展潛力較大；同時，近幾年是半導體行業快速發展時期，半導體制造產能向大陸轉移，國內半導體制造投資顯著增大，面對日益旺盛的市場需求，中微需要更多的資金投入，迅速提升技術水平和產能，抓住機會，迅速佔領行業市場，鞏固提升技術優勢，加快形成規模優勢，才能更好地應對國外巨頭的競爭，提升鞏固行業地位。
現有募投項目圍繞產能升級擴張，提升研發能力方面，與公司發展戰略相符合，也符合公司當前發展階段，有助於公司進一步擴大競爭力，提升市場佔有率。
5.盈利預測
中微公司當前處於營收快速增長期，2017年營收增長率為59.45%，2018年營收增長率為68.66%，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，主要受益於刻蝕設備行業的市場需求增加以及MOCVD行業市場規模迅速擴大，未來，伴隨著半導體制造行業產能向大陸轉移，公司營收有望保持較高速度增長。
四、財報分析
主要財務指標摘要：
單位：（元）
財報解讀：
可以看到，中微半導體各項財務數據在三年內迅速改善，無論從營業收入、淨利潤角度看，還是從流動比率、速動比率、資產負債率角度看，亦或是從經營性現金流量淨額角度看，都是一個迅速良性轉變的過程。
其中，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，最近兩年毛利潤複合增長率為50%，2018年淨利潤同比增長率為203.6%，達到了0.91億元，盈利增長十分迅猛；流動比率和速動比率與去年同期相比均增加了約一倍，其中流動比率達到了211.71%，速動比率達到了119.23%，資產負債率三年內持續降低，2018年為40.09%，資產結構質量持續改善；2018年經營活動現金流量淨額首次由負轉正，主要原因是營收迅速增加，2018年銷售商品、提供勞務收到的現金比去年同期增加了9.6億元，這是非常優秀的特徵，說明企業產品暢銷，市場銷售規模在迅速擴大，側面反映出企業產品具有較強的市場競爭力。
值得注意的是，2018年投資活動現金流量淨額與籌資活動現金流量淨額增長較大，經研究主要原因是：一方面，2018年公司股權融資收到的現金為16.6億元，同比增加了6億元；另一方面，公司營收也在迅速增加，為改善閒置資金使用效率，2018年有4個億的投資現金支出。
2.國內同業可比公司2018年主要指標對比：
單位：（元）
1、銷售費用：
銷售費用較高，2018佔營收比重為13.21%，而同期北方華創公司營收佔比僅為5.08%，對比兩家公司銷售費用2018年銷售費用明細。
單位：（萬元）
可以看到，區別最大的地方為產品質保金與銷售人員的股份支付費用部分，公司將銷售相關的產品質保金計入銷售費用，併為銷售人員派發公司股權，帶來的股份支付費用進入到銷售費用中。
2、研發費用：
研發支出穩定增加，但數額與同業可比公司尚有差距，與國外巨頭公司差距巨大，中微公司每年將部分研發支出資本化計入研發支出，實際研發費用與可比公司對比如下：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
其中，前五大客戶銷售歷年合計佔比分別為85.74%、74.52%、60.55%，佔比較高，主要原因是芯片製造行業為重資產行業，進入壁壘極高，客戶集中度較大，行業前5大廠商佔據了絕大部分市場份額，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大。
銷售區域：
中國大陸地區的收入快速增長，佔營業收入的比例從2016年的57.43%迅速提升至2018年的83.89%，成為公司主營區域。
產能分析：
產能較為靈活，採用以銷定產的方式，對固定資產佔用較小，生產週期較短，可以根據市場需求靈活的調整產量。存貨主要為原材料以及尚未確認收入的發出商品，產成品存貨較少，不存在產能限制問題。
4.募投項目：
共募集10億資金，按優先順序用途如下：
項目解讀：
作為半導體設備行業公認的後起之秀，技術和規模是半導體設備企業的核心競爭力，中微公司有著強大的技術背景和研發能力，主要產品技術已達到國內外先進水平，產品迅速應用到各大頂尖半導體生產廠家，國內市場銷售規模也在快速提升，未來發展潛力較大；同時，近幾年是半導體行業快速發展時期，半導體制造產能向大陸轉移，國內半導體制造投資顯著增大，面對日益旺盛的市場需求，中微需要更多的資金投入，迅速提升技術水平和產能，抓住機會，迅速佔領行業市場，鞏固提升技術優勢，加快形成規模優勢，才能更好地應對國外巨頭的競爭，提升鞏固行業地位。
現有募投項目圍繞產能升級擴張，提升研發能力方面，與公司發展戰略相符合，也符合公司當前發展階段，有助於公司進一步擴大競爭力，提升市場佔有率。
5.盈利預測
中微公司當前處於營收快速增長期，2017年營收增長率為59.45%，2018年營收增長率為68.66%，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，主要受益於刻蝕設備行業的市場需求增加以及MOCVD行業市場規模迅速擴大，未來，伴隨著半導體制造行業產能向大陸轉移，公司營收有望保持較高速度增長。
四、財報分析
主要財務指標摘要：
單位：（元）
財報解讀：
可以看到，中微半導體各項財務數據在三年內迅速改善，無論從營業收入、淨利潤角度看，還是從流動比率、速動比率、資產負債率角度看，亦或是從經營性現金流量淨額角度看，都是一個迅速良性轉變的過程。
其中，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，最近兩年毛利潤複合增長率為50%，2018年淨利潤同比增長率為203.6%，達到了0.91億元，盈利增長十分迅猛；流動比率和速動比率與去年同期相比均增加了約一倍，其中流動比率達到了211.71%，速動比率達到了119.23%，資產負債率三年內持續降低，2018年為40.09%，資產結構質量持續改善；2018年經營活動現金流量淨額首次由負轉正，主要原因是營收迅速增加，2018年銷售商品、提供勞務收到的現金比去年同期增加了9.6億元，這是非常優秀的特徵，說明企業產品暢銷，市場銷售規模在迅速擴大，側面反映出企業產品具有較強的市場競爭力。
值得注意的是，2018年投資活動現金流量淨額與籌資活動現金流量淨額增長較大，經研究主要原因是：一方面，2018年公司股權融資收到的現金為16.6億元，同比增加了6億元；另一方面，公司營收也在迅速增加，為改善閒置資金使用效率，2018年有4個億的投資現金支出。
2.國內同業可比公司2018年主要指標對比：
單位：（元）
1、銷售費用：
銷售費用較高，2018佔營收比重為13.21%，而同期北方華創公司營收佔比僅為5.08%，對比兩家公司銷售費用2018年銷售費用明細。
單位：（萬元）
可以看到，區別最大的地方為產品質保金與銷售人員的股份支付費用部分，公司將銷售相關的產品質保金計入銷售費用，併為銷售人員派發公司股權，帶來的股份支付費用進入到銷售費用中。
2、研發費用：
研發支出穩定增加，但數額與同業可比公司尚有差距，與國外巨頭公司差距巨大，中微公司每年將部分研發支出資本化計入研發支出，實際研發費用與可比公司對比如下：
3、毛利率：
同行業公司毛利率對比：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
其中，前五大客戶銷售歷年合計佔比分別為85.74%、74.52%、60.55%，佔比較高，主要原因是芯片製造行業為重資產行業，進入壁壘極高，客戶集中度較大，行業前5大廠商佔據了絕大部分市場份額，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大。
銷售區域：
中國大陸地區的收入快速增長，佔營業收入的比例從2016年的57.43%迅速提升至2018年的83.89%，成為公司主營區域。
產能分析：
產能較為靈活，採用以銷定產的方式，對固定資產佔用較小，生產週期較短，可以根據市場需求靈活的調整產量。存貨主要為原材料以及尚未確認收入的發出商品，產成品存貨較少，不存在產能限制問題。
4.募投項目：
共募集10億資金，按優先順序用途如下：
項目解讀：
作為半導體設備行業公認的後起之秀，技術和規模是半導體設備企業的核心競爭力，中微公司有著強大的技術背景和研發能力，主要產品技術已達到國內外先進水平，產品迅速應用到各大頂尖半導體生產廠家，國內市場銷售規模也在快速提升，未來發展潛力較大；同時，近幾年是半導體行業快速發展時期，半導體制造產能向大陸轉移，國內半導體制造投資顯著增大，面對日益旺盛的市場需求，中微需要更多的資金投入，迅速提升技術水平和產能，抓住機會，迅速佔領行業市場，鞏固提升技術優勢，加快形成規模優勢，才能更好地應對國外巨頭的競爭，提升鞏固行業地位。
現有募投項目圍繞產能升級擴張，提升研發能力方面，與公司發展戰略相符合，也符合公司當前發展階段，有助於公司進一步擴大競爭力，提升市場佔有率。
5.盈利預測
中微公司當前處於營收快速增長期，2017年營收增長率為59.45%，2018年營收增長率為68.66%，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，主要受益於刻蝕設備行業的市場需求增加以及MOCVD行業市場規模迅速擴大，未來，伴隨著半導體制造行業產能向大陸轉移，公司營收有望保持較高速度增長。
四、財報分析
主要財務指標摘要：
單位：（元）
財報解讀：
可以看到，中微半導體各項財務數據在三年內迅速改善，無論從營業收入、淨利潤角度看，還是從流動比率、速動比率、資產負債率角度看，亦或是從經營性現金流量淨額角度看，都是一個迅速良性轉變的過程。
其中，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，最近兩年毛利潤複合增長率為50%，2018年淨利潤同比增長率為203.6%，達到了0.91億元，盈利增長十分迅猛；流動比率和速動比率與去年同期相比均增加了約一倍，其中流動比率達到了211.71%，速動比率達到了119.23%，資產負債率三年內持續降低，2018年為40.09%，資產結構質量持續改善；2018年經營活動現金流量淨額首次由負轉正，主要原因是營收迅速增加，2018年銷售商品、提供勞務收到的現金比去年同期增加了9.6億元，這是非常優秀的特徵，說明企業產品暢銷，市場銷售規模在迅速擴大，側面反映出企業產品具有較強的市場競爭力。
值得注意的是，2018年投資活動現金流量淨額與籌資活動現金流量淨額增長較大，經研究主要原因是：一方面，2018年公司股權融資收到的現金為16.6億元，同比增加了6億元；另一方面，公司營收也在迅速增加，為改善閒置資金使用效率，2018年有4個億的投資現金支出。
2.國內同業可比公司2018年主要指標對比：
單位：（元）
1、銷售費用：
銷售費用較高，2018佔營收比重為13.21%，而同期北方華創公司營收佔比僅為5.08%，對比兩家公司銷售費用2018年銷售費用明細。
單位：（萬元）
可以看到，區別最大的地方為產品質保金與銷售人員的股份支付費用部分，公司將銷售相關的產品質保金計入銷售費用，併為銷售人員派發公司股權，帶來的股份支付費用進入到銷售費用中。
2、研發費用：
研發支出穩定增加，但數額與同業可比公司尚有差距，與國外巨頭公司差距巨大，中微公司每年將部分研發支出資本化計入研發支出，實際研發費用與可比公司對比如下：
3、毛利率：
同行業公司毛利率對比：
毛利率水平逐年下降，逐漸低於行業平均水平，主要受MOCVD設備毛利下降的影響。
4、償債能力：
資產結構優於國內同行業可比公司，流動比率，速動比率以及現金比率是北方華創公司的兩倍左右，償債能力較強，但與泛林公司相比，差距仍較大，泛林公司2018年現金比率高達143%，遠遠高於國內公司；流動資產比例平較高，約佔總資產的60%-80%，流動資產中存貨佔比較高，而固定資產相對而言反而較低，資產流動性較好。
五、估值定價
本研究院採用至少三種對中微公司適配性較強的估值方法，對該標的現階段市值進行測算，估值結果系分析師個人研究結果，對他人不構成投資建議
方法一：PS法
重要假設：
1、未來市場不存在惡意競爭現象。
2、北方華創當前市銷率正確反映了其市場價值。
分析過程：中微公司營收處於快速增長期，2018年營收增長率為68.66%，國內對標公司北方華創2018年營收增長率為49.53%，市銷率為9.58，由於北方華創主營業務性質與中微公司類似，因此以北方華創市銷率水平來類比中微公司市銷率水平。
樂觀：中微公司營收繼續高速增長，未來營收增速大於等於60%，給予中微公司12倍市銷率，對應當前市值為16.39*12=196.68億元，對應當前市價為196.68/5.35=35.57。
中性：中微公司營收增速為40%，給予10倍市銷率，對應當前市值為16.39*10=163.9億元，對應當前市價為163.9/5.35=30.64元。
悲觀：營收增速低於預期，增速為20%，給予8倍市銷率，對應當前市值為16.39*8=131.12億元，對應當前市價為131.12/5.35=24.51元。
結論：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
其中，前五大客戶銷售歷年合計佔比分別為85.74%、74.52%、60.55%，佔比較高，主要原因是芯片製造行業為重資產行業，進入壁壘極高，客戶集中度較大，行業前5大廠商佔據了絕大部分市場份額，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大。
銷售區域：
中國大陸地區的收入快速增長，佔營業收入的比例從2016年的57.43%迅速提升至2018年的83.89%，成為公司主營區域。
產能分析：
產能較為靈活，採用以銷定產的方式，對固定資產佔用較小，生產週期較短，可以根據市場需求靈活的調整產量。存貨主要為原材料以及尚未確認收入的發出商品，產成品存貨較少，不存在產能限制問題。
4.募投項目：
共募集10億資金，按優先順序用途如下：
項目解讀：
作為半導體設備行業公認的後起之秀，技術和規模是半導體設備企業的核心競爭力，中微公司有著強大的技術背景和研發能力，主要產品技術已達到國內外先進水平，產品迅速應用到各大頂尖半導體生產廠家，國內市場銷售規模也在快速提升，未來發展潛力較大；同時，近幾年是半導體行業快速發展時期，半導體制造產能向大陸轉移，國內半導體制造投資顯著增大，面對日益旺盛的市場需求，中微需要更多的資金投入，迅速提升技術水平和產能，抓住機會，迅速佔領行業市場，鞏固提升技術優勢，加快形成規模優勢，才能更好地應對國外巨頭的競爭，提升鞏固行業地位。
現有募投項目圍繞產能升級擴張，提升研發能力方面，與公司發展戰略相符合，也符合公司當前發展階段，有助於公司進一步擴大競爭力，提升市場佔有率。
5.盈利預測
中微公司當前處於營收快速增長期，2017年營收增長率為59.45%，2018年營收增長率為68.66%，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，主要受益於刻蝕設備行業的市場需求增加以及MOCVD行業市場規模迅速擴大，未來，伴隨著半導體制造行業產能向大陸轉移，公司營收有望保持較高速度增長。
四、財報分析
主要財務指標摘要：
單位：（元）
財報解讀：
可以看到，中微半導體各項財務數據在三年內迅速改善，無論從營業收入、淨利潤角度看，還是從流動比率、速動比率、資產負債率角度看，亦或是從經營性現金流量淨額角度看，都是一個迅速良性轉變的過程。
其中，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，最近兩年毛利潤複合增長率為50%，2018年淨利潤同比增長率為203.6%，達到了0.91億元，盈利增長十分迅猛；流動比率和速動比率與去年同期相比均增加了約一倍，其中流動比率達到了211.71%，速動比率達到了119.23%，資產負債率三年內持續降低，2018年為40.09%，資產結構質量持續改善；2018年經營活動現金流量淨額首次由負轉正，主要原因是營收迅速增加，2018年銷售商品、提供勞務收到的現金比去年同期增加了9.6億元，這是非常優秀的特徵，說明企業產品暢銷，市場銷售規模在迅速擴大，側面反映出企業產品具有較強的市場競爭力。
值得注意的是，2018年投資活動現金流量淨額與籌資活動現金流量淨額增長較大，經研究主要原因是：一方面，2018年公司股權融資收到的現金為16.6億元，同比增加了6億元；另一方面，公司營收也在迅速增加，為改善閒置資金使用效率，2018年有4個億的投資現金支出。
2.國內同業可比公司2018年主要指標對比：
單位：（元）
1、銷售費用：
銷售費用較高，2018佔營收比重為13.21%，而同期北方華創公司營收佔比僅為5.08%，對比兩家公司銷售費用2018年銷售費用明細。
單位：（萬元）
可以看到，區別最大的地方為產品質保金與銷售人員的股份支付費用部分，公司將銷售相關的產品質保金計入銷售費用，併為銷售人員派發公司股權，帶來的股份支付費用進入到銷售費用中。
2、研發費用：
研發支出穩定增加，但數額與同業可比公司尚有差距，與國外巨頭公司差距巨大，中微公司每年將部分研發支出資本化計入研發支出，實際研發費用與可比公司對比如下：
3、毛利率：
同行業公司毛利率對比：
毛利率水平逐年下降，逐漸低於行業平均水平，主要受MOCVD設備毛利下降的影響。
4、償債能力：
資產結構優於國內同行業可比公司，流動比率，速動比率以及現金比率是北方華創公司的兩倍左右，償債能力較強，但與泛林公司相比，差距仍較大，泛林公司2018年現金比率高達143%，遠遠高於國內公司；流動資產比例平較高，約佔總資產的60%-80%，流動資產中存貨佔比較高，而固定資產相對而言反而較低，資產流動性較好。
五、估值定價
本研究院採用至少三種對中微公司適配性較強的估值方法，對該標的現階段市值進行測算，估值結果系分析師個人研究結果，對他人不構成投資建議
方法一：PS法
重要假設：
1、未來市場不存在惡意競爭現象。
2、北方華創當前市銷率正確反映了其市場價值。
分析過程：中微公司營收處於快速增長期，2018年營收增長率為68.66%，國內對標公司北方華創2018年營收增長率為49.53%，市銷率為9.58，由於北方華創主營業務性質與中微公司類似，因此以北方華創市銷率水平來類比中微公司市銷率水平。
樂觀：中微公司營收繼續高速增長，未來營收增速大於等於60%，給予中微公司12倍市銷率，對應當前市值為16.39*12=196.68億元，對應當前市價為196.68/5.35=35.57。
中性：中微公司營收增速為40%，給予10倍市銷率，對應當前市值為16.39*10=163.9億元，對應當前市價為163.9/5.35=30.64元。
悲觀：營收增速低於預期，增速為20%，給予8倍市銷率，對應當前市值為16.39*8=131.12億元，對應當前市價為131.12/5.35=24.51元。
結論：
方法二：PEG法
重要假設：
1、修正市盈率正確反映了中微公司當前合理估值。
分析過程：中微公司目前處於快速增長期，營收增長迅速但前期成本較高，淨利潤低，因此嘗試使用PEG方法進行估值。
PEG=當前市盈率/（淨利潤增長率*100），當PEG=1時，對應市盈率對於快速增長期公司較合理，中微公司2018年淨利潤增長率203.6%，代入公式得到中微公司2018年合理市盈率為203.6。乘以2018年對應淨利潤0.91億元，得到中微公司當前合理市值為203.6*0.91=185.28億元，對應股價為185.28/5.35=34.63元。
方法三：類比法
重要假設：
1、泛林半導體公司當前市值正確反映了其市場價值。
2、中微公司未來市值年複合增長率為15%。
分析過程：
目前半導體刻蝕設備行業全球市場佔有率最高的公司是泛林半導體公司，2018年營收為2017.56億元人民幣，市值為1997.6億元人民幣，根據中微公司戰略規劃，公司15年後可以趕超國際巨頭。
樂觀：假設公司15年後達到泛林公司當前規模，即15年後市值達到1997.6億元人民幣，公司市值年複合增長率為15%，對應當前市值為245.49億元，對應當前股價為478.22/5.35=45.89元。
中觀：假設公司15年後達到泛林公司當前規模的70%，即15年後市值達到1997.6*0.7=1398.32億元人民幣，假設公司市值年複合增長率為15%，對應當前市值為171.85億元，對應當前股價為171.85/5.35=32.12元。
悲觀：假設公司15年後達到中微公司當前規模的40%，即15年後市值達到1997.6*0.4=799.04億元人民幣，公司市值年複合增長率為15%，對應當前市值為98.20億元，對應當前股價為98.20/5.35=18.35元。
結論：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
其中，前五大客戶銷售歷年合計佔比分別為85.74%、74.52%、60.55%，佔比較高，主要原因是芯片製造行業為重資產行業，進入壁壘極高，客戶集中度較大，行業前5大廠商佔據了絕大部分市場份額，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大。
銷售區域：
中國大陸地區的收入快速增長，佔營業收入的比例從2016年的57.43%迅速提升至2018年的83.89%，成為公司主營區域。
產能分析：
產能較為靈活，採用以銷定產的方式，對固定資產佔用較小，生產週期較短，可以根據市場需求靈活的調整產量。存貨主要為原材料以及尚未確認收入的發出商品，產成品存貨較少，不存在產能限制問題。
4.募投項目：
共募集10億資金，按優先順序用途如下：
項目解讀：
作為半導體設備行業公認的後起之秀，技術和規模是半導體設備企業的核心競爭力，中微公司有著強大的技術背景和研發能力，主要產品技術已達到國內外先進水平，產品迅速應用到各大頂尖半導體生產廠家，國內市場銷售規模也在快速提升，未來發展潛力較大；同時，近幾年是半導體行業快速發展時期，半導體制造產能向大陸轉移，國內半導體制造投資顯著增大，面對日益旺盛的市場需求，中微需要更多的資金投入，迅速提升技術水平和產能，抓住機會，迅速佔領行業市場，鞏固提升技術優勢，加快形成規模優勢，才能更好地應對國外巨頭的競爭，提升鞏固行業地位。
現有募投項目圍繞產能升級擴張，提升研發能力方面，與公司發展戰略相符合，也符合公司當前發展階段，有助於公司進一步擴大競爭力，提升市場佔有率。
5.盈利預測
中微公司當前處於營收快速增長期，2017年營收增長率為59.45%，2018年營收增長率為68.66%，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，主要受益於刻蝕設備行業的市場需求增加以及MOCVD行業市場規模迅速擴大，未來，伴隨著半導體制造行業產能向大陸轉移，公司營收有望保持較高速度增長。
四、財報分析
主要財務指標摘要：
單位：（元）
財報解讀：
可以看到，中微半導體各項財務數據在三年內迅速改善，無論從營業收入、淨利潤角度看，還是從流動比率、速動比率、資產負債率角度看，亦或是從經營性現金流量淨額角度看，都是一個迅速良性轉變的過程。
其中，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，最近兩年毛利潤複合增長率為50%，2018年淨利潤同比增長率為203.6%，達到了0.91億元，盈利增長十分迅猛；流動比率和速動比率與去年同期相比均增加了約一倍，其中流動比率達到了211.71%，速動比率達到了119.23%，資產負債率三年內持續降低，2018年為40.09%，資產結構質量持續改善；2018年經營活動現金流量淨額首次由負轉正，主要原因是營收迅速增加，2018年銷售商品、提供勞務收到的現金比去年同期增加了9.6億元，這是非常優秀的特徵，說明企業產品暢銷，市場銷售規模在迅速擴大，側面反映出企業產品具有較強的市場競爭力。
值得注意的是，2018年投資活動現金流量淨額與籌資活動現金流量淨額增長較大，經研究主要原因是：一方面，2018年公司股權融資收到的現金為16.6億元，同比增加了6億元；另一方面，公司營收也在迅速增加，為改善閒置資金使用效率，2018年有4個億的投資現金支出。
2.國內同業可比公司2018年主要指標對比：
單位：（元）
1、銷售費用：
銷售費用較高，2018佔營收比重為13.21%，而同期北方華創公司營收佔比僅為5.08%，對比兩家公司銷售費用2018年銷售費用明細。
單位：（萬元）
可以看到，區別最大的地方為產品質保金與銷售人員的股份支付費用部分，公司將銷售相關的產品質保金計入銷售費用，併為銷售人員派發公司股權，帶來的股份支付費用進入到銷售費用中。
2、研發費用：
研發支出穩定增加，但數額與同業可比公司尚有差距，與國外巨頭公司差距巨大，中微公司每年將部分研發支出資本化計入研發支出，實際研發費用與可比公司對比如下：
3、毛利率：
同行業公司毛利率對比：
毛利率水平逐年下降，逐漸低於行業平均水平，主要受MOCVD設備毛利下降的影響。
4、償債能力：
資產結構優於國內同行業可比公司，流動比率，速動比率以及現金比率是北方華創公司的兩倍左右，償債能力較強，但與泛林公司相比，差距仍較大，泛林公司2018年現金比率高達143%，遠遠高於國內公司；流動資產比例平較高，約佔總資產的60%-80%，流動資產中存貨佔比較高，而固定資產相對而言反而較低，資產流動性較好。
五、估值定價
本研究院採用至少三種對中微公司適配性較強的估值方法，對該標的現階段市值進行測算，估值結果系分析師個人研究結果，對他人不構成投資建議
方法一：PS法
重要假設：
1、未來市場不存在惡意競爭現象。
2、北方華創當前市銷率正確反映了其市場價值。
分析過程：中微公司營收處於快速增長期，2018年營收增長率為68.66%，國內對標公司北方華創2018年營收增長率為49.53%，市銷率為9.58，由於北方華創主營業務性質與中微公司類似，因此以北方華創市銷率水平來類比中微公司市銷率水平。
樂觀：中微公司營收繼續高速增長，未來營收增速大於等於60%，給予中微公司12倍市銷率，對應當前市值為16.39*12=196.68億元，對應當前市價為196.68/5.35=35.57。
中性：中微公司營收增速為40%，給予10倍市銷率，對應當前市值為16.39*10=163.9億元，對應當前市價為163.9/5.35=30.64元。
悲觀：營收增速低於預期，增速為20%，給予8倍市銷率，對應當前市值為16.39*8=131.12億元，對應當前市價為131.12/5.35=24.51元。
結論：
方法二：PEG法
重要假設：
1、修正市盈率正確反映了中微公司當前合理估值。
分析過程：中微公司目前處於快速增長期，營收增長迅速但前期成本較高，淨利潤低，因此嘗試使用PEG方法進行估值。
PEG=當前市盈率/（淨利潤增長率*100），當PEG=1時，對應市盈率對於快速增長期公司較合理，中微公司2018年淨利潤增長率203.6%，代入公式得到中微公司2018年合理市盈率為203.6。乘以2018年對應淨利潤0.91億元，得到中微公司當前合理市值為203.6*0.91=185.28億元，對應股價為185.28/5.35=34.63元。
方法三：類比法
重要假設：
1、泛林半導體公司當前市值正確反映了其市場價值。
2、中微公司未來市值年複合增長率為15%。
分析過程：
目前半導體刻蝕設備行業全球市場佔有率最高的公司是泛林半導體公司，2018年營收為2017.56億元人民幣，市值為1997.6億元人民幣，根據中微公司戰略規劃，公司15年後可以趕超國際巨頭。
樂觀：假設公司15年後達到泛林公司當前規模，即15年後市值達到1997.6億元人民幣，公司市值年複合增長率為15%，對應當前市值為245.49億元，對應當前股價為478.22/5.35=45.89元。
中觀：假設公司15年後達到泛林公司當前規模的70%，即15年後市值達到1997.6*0.7=1398.32億元人民幣，假設公司市值年複合增長率為15%，對應當前市值為171.85億元，對應當前股價為171.85/5.35=32.12元。
悲觀：假設公司15年後達到中微公司當前規模的40%，即15年後市值達到1997.6*0.4=799.04億元人民幣，公司市值年複合增長率為15%，對應當前市值為98.20億元，對應當前股價為98.20/5.35=18.35元。
結論：
投資建議：
一、公司簡介
1.主營範疇：
中微公司主營業務為集成電路和LED芯片領域的半導體設備的研發、生產和銷售，以及相關設備及配件的銷售和維護。
2.主要產品：
主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備。
刻蝕設備：主要應用於集成電路芯片生產環節中的刻蝕過程，公司產品包括電容性（CCP）等離子體刻蝕設備和電感性（ICP）等離體刻蝕設備（備註：CCP與ICP的區分主要依據其刻蝕所用的刻蝕氣體，不同的刻蝕氣體對材料的刻蝕效果不同）。CCP刻蝕設備上，公司目前為止已成功開發了雙反應臺Primo D-RIE，雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺的Primo AD-RIE三代刻蝕機產品，涵蓋65-7nm關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。ICP刻蝕設備上，到目前為止已成功開發出單反應臺的Primo nanova刻蝕設備，目前正在開發雙反應臺ICP刻蝕設備，涵蓋14-7nm關鍵尺寸的刻蝕應用。
薄膜沉積設備設備：MOCVD設備主要應用於LED芯片生產環節中的的外延加工過程，是其生產過程中最關鍵的加工設備，目前已開發了三代MOCVD設備，可用於藍綠光LED、功率器件等加工，包括：第一代設備PrismoD-Blue、第二代設備PrismoA7及正在開發的第三代30英寸大尺寸設備。
3.技術優勢：
1、公司的刻蝕設備技術處於國內領先，世界先進水平。在集成電路芯片製造環節，公司的等離子體刻蝕設備已廣泛應用於國際先進廠商的7nm及以上生產線，5nm製程設備也即將量產。在邏輯集成電路製造環節，高端刻蝕設備可應用在7nm器件中若干關鍵步驟的加工；在3DNAND芯片製造環節，電容性等離子體刻蝕設備技術可應用於64層的量產。
2、擁有多項自主知識產權和核心技術，截至2019年2月28日，中微已申請1,201項專利，已獲授權專利951項，其中發明專利800項。
4.創新展示：
電容性等離子體刻蝕設備：主要應用於集成電路製造中氧化硅、氮化硅及低介電係數膜層等電介質材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於在集成電路製造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕。
電感性等離子體刻蝕設備：主要應用於CMOS圖像傳感器、2.5D芯片、3D芯片和芯片切割通孔及溝槽的刻蝕。
MOCVD設備：LED外延片及功率器件生產。
VOC設備：平板顯示生產線等工業用的空氣淨化。
5.核心成員：
公司現有核心技術人員6人，均擔任公司重要職位，如下：
尹志堯：中微公司的創始人、現任中微公司董事長及總經理，直接持股比例為1.29%，無間接持股，投票權暫無。1944年生，美國國籍，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職於英特爾中心技術開發部。1986年至1991年，就職於泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991年至2004年，就職於應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年60歲回國創立中微公司。
杜志遊：1959年生，美國國籍，上海交通大學學士，美國麻省理工學院碩士、博士。1990年至1999年，歷任Praxair Inc.高級工程師、經理、董事總經理等；1999年至2001年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001年至2004年，擔任梅特勒-託利多上海子公司總經理；2004年至今，歷任中微公司副總裁、資深副總裁、首席運營官。現任中微公司董事及副總經理，直接持股為0.48%，無間接持股，投票權暫無。
倪圖強：1962年生，美國國籍，中國科學技術大學學士、碩士，美國德州大學博士、博士後。1995年至2004年，擔任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，歷任中微公司執行總監、副總裁。現任中微公司副總經理，直接持股為0.26%，無間接持股，投票權暫無。
麥仕義：1947年生，美國國籍，臺灣大學學士、美國馬里蘭大學博士。1985年至1989年，擔任英特爾資深工程師；1989年至2003年，擔任應用材料資深總監;2004年1月至2004年6月，擔任英特爾項目經理。2004年8月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.49%，無間接持股，投票權暫無。
楊偉：1966年生，美國國籍，西安交通大學學士、碩士。1993年至1995年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995年至2004年，擔任應用材料軟件部資深總監。2004年至今，擔任中微公司副總裁，直接持股為0.23%，無間接持股，投票權暫無。
李天笑：1958年生，美國國籍，復旦大學學士、美國韋恩大學碩士、美囯紐約大學碩士。1990年至1995年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995年至2004年，擔任應用材料亞太項目經理。2004年9月至今，擔任中微公司副總裁，直接持股比例為0.43%，無間接持股，投票權暫無。
6.發展歷程
1、2004年5月18日，中微亞洲投資設立中微有限公司，註冊資本2,000.00萬美元，其中註冊資本以美元現匯出資1,300.00萬美元，佔註冊資本的65%；以相關專利技術作價700.00萬美元，佔註冊資本的35%。
2、2007年推出第一臺電容型等離子體刻蝕設備。
3、2010年首臺深硅刻蝕設備研製成功。
4、2012年首臺MOCVD設備研製成功。
6、2016年末首臺電感性等離子體刻蝕設備研製成功。
7、2017年MOCVD設備Prismo A7研製成功，性能大幅提升，推出後迅速佔領市場。
8、2018年12月18日，中微有限整體變更為股份有限公司。
7.實控人
無實控人，目前最大持股人為上海創投，持股20.02%，上海創投是上海科技創業集團有限公司100%控股子公司，實際控制人為上海國資委，主營業務為創業投資，投資管理，資產管理。
8.股權融資
股本結構如下：
截止到招股說明書發佈，中微公司共有境外法人股東6名，境內法人股東20名，自然人股東8名，其中持有發行人5%以上（含）股份或表決權的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。
前十大股東如下，其中國有股東：上海創投、巽鑫投資、國開創新、浦東新興合計持股佔比為44.89%，外資持股為19.44%，創始人持股僅佔1.29%。
股本變動表：
融資歷程：
中微有限曾陸續於2016年12月向巽鑫投資、上海創投和悅橙投資3名機構投資者，2018年2月向創橙投資、和諧錦弘和君邦投資3名機構投資者，及2018年7月向巽鑫投資、亮橙投資、和諧錦弘、國投投資、浦東新興、君鵬投資、自貿區三期基金、茂流投資和創橙投資9名機構投資者進行股權融資。股權融資價格暫無。
股權激勵：
實施覆蓋全體員工的股權激勵機制，同行業龍頭企業均採取類似股權激勵方法。截至招股說明書籤署日，845名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人94,509,140股股份，佔發行人股份總數的19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade和中微亞洲）的間接持股以及8名自然人的直接持股。
二、行業分析
1.公司所處行業產業鏈分析
中微半導體所處行業為半導體產業鏈上游細分行業下的半導體設備行業，將半導體設備行業進一步細分，公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和LED設備行業中的MOCVD設備行業。
半導體行業產品眾多，按產品類別區分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據WSTS的數據，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，佔4,688億美元半導體市場整體規模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計佔所有半導體產品銷售額的90%以上，是半導體產品最重要的組成部分。
不同的產品產業鏈不同，所需的設備和材料也不盡相同，以集成電路為例，集成電路產業鏈的上游為提供軟件及知識產權、硬件設備、原材料等生產資料的核心產業組成，中游為半導體芯片設計、製造和封測環節，下游為半導體終端產品以及其衍生的應用、系統等。
集成電路產業鏈示意圖 來源：招股書
集成電路製造過程所需設備主要包括晶圓製造、封裝設備和測試設備，其中晶圓製造設備的市場規模佔集成電路設備整體市場規模的80%以上。而晶圓製造設備又可以分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、檢測、塗膠顯影等十多類，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是最重要的三類，根據SEMI統計，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別佔晶圓製造設備總價值量的24%、23%和18%，合計
2017年集成電路各類設備售額佔比 來源：SEMI
佔晶圓製造設備的60%以上。在晶圓廠初期投資中，晶圓製造設備投資佔有很高比例，通常佔整個晶圓廠投資總額的75%左右。
LED產業鏈由襯底加工、LED外延片生產、芯片製造和器件封裝組成。該產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；製造外延片需要的MOCVD設備；製造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。其中MOCVD設備是LED製造中最重要的設備之一，其採購金額一般佔LED生產線總投入的一半以上。
2.產品或服務所應用的領域介紹
中微半導體服務於半導體制造及封裝廠商，主要提供集成電路，LED芯片加工製造所需的生產設備。主要產品為集成電路、LED芯片、MEMS（傳感器）等半導體產品製造與封裝過程中所需的刻蝕設備、MOCVD設備及其他設備，其中，公司的刻蝕設備技術水平已位於全球第一行列，是我國國內目前唯一一家可以為7nm芯片生產線供應刻蝕機的設備商，產品已廣泛應用於65-7nm芯片生產線，5nm等離子體刻蝕設備也已通過臺積電檢驗，即將量產。MOCVD設備也已大規模應用於市場，屬於MOCVD設備行業龍頭企業之一。
市場規模上，根據SEMI統計，2013年以來，隨著全球半導體行業整體景氣度的提升，半導體設備全球市場規模也呈增長趨勢。全球半導體設備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估為621億美元，摺合人民幣4160億元，年均複合增長率約為14.33%。
全球半導體設備銷售額及增速 來源：SEMI
國內市場規模上：根據SEMI統計數據，2018年半導體設備在中國大陸的銷售額預估為128億美元，摺合人民幣857.6億元，同比增長56%，約佔全球半導體設備市場的21%。
公司主營產品中，刻蝕設備約佔集成電路設備銷售額的24%左右，MOCVD設備約佔光電子設備銷售額的50%左右。按集成電路設備銷售佔半導體設備總銷售額的84%，光電子設備銷售額佔半導體設備總銷售額的8%計算，公司目前主營產品佔半導體設備總銷售額的比例約為24%，對應2018年全球市場規模為998億元，國內市場規模為206億元。
前景分析：公司目前主營產品的年收入僅為16億元，國內市場尚有較大市場空間等待開拓。同時，國內半導體設備行業市場需求近幾年增長迅速，2013至2018年我國半導體設備銷售額的年均複合增長率超過30%，全球市場同期複合增長率僅為14.33%，2018年我國半導體設備年銷售額約為857億元人民幣，佔全球規模的21%，成為全球第二大市場，市場需求增長潛力較大。
我國半導體設備自給率很低，2018年國產半導體設備銷售額預計約為109億元，自給率為12.7%。其中半導體設備中的集成電路設備國內市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅佔1-2%，國產化需求迫在眉睫。
未來2-5年是我國芯片產業國產化的關鍵之年，根據“中國製造2025”白皮書，我國芯片自給率要在2020年達到40%，2025年達到70%。為完成這一目標，國內芯片製造行業投資持續增加（根據SEMI統計，2017到2020年，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座，佔比42%），帶動半導體設備行業市場規模繼續快速增加。
三、經營分析
1.市場地位
刻蝕設備行業潛龍，MOCVD設備行業國內龍頭。
刻蝕設備及MOCVD設備行業均呈現高度壟斷的競爭格局，2018年全球刻蝕設備市場中，泛林半導體、東京電子、應用材料三大公司佔據約94%的市場份額。
2017年全球刻蝕設備市場份額情況 來源：The Information Network
國內刻蝕設備市場中，中微公司2018年刻蝕設備營收約為5.7億元，2018年國內刻蝕設備總銷售額保守估計為165億元，中微公司佔比僅為3.45%，國際巨頭佔據絕大部分市場，差距較大。但在國內本土刻蝕設備行業中，中微公司處於行業領先水平，佔有一定規模，藉助地域與成本優勢，在一定程度上具有和國外巨頭競爭的實力，國內兩家知名存儲芯片製造企業採購的刻蝕設備臺數訂單份額情況如下：
點
企業A B的刻蝕設備訂單份額（臺數佔比） 資料來源：中國國際招標網
中微公司的前五大客戶包括包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲等頂尖半導體芯片製造公司，主要產品等離子體刻蝕設備已經廣泛應用於45nm-7nm工藝的芯片加工製造，5nm工藝級設備也已研製成功，即將達到量產，部分刻蝕設備技術水平已達到國際設備巨頭的水平，未來有望成為我國刻蝕設備行業龍頭企業。
MOCVD設備：中國是全球MOCVD設備最大的需求市場，MOCVD設備保有量佔全球比例超過40%，中微公司在國內MOCVD設備行業占主導地位，國內市場佔有率超過70%，是國內MOCVD設備行業裡的龍頭企業。2017年以前，MOCVD設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017年以後，中微公司的MOCVD設備逐步打破上述企業的壟斷，2018年開始，主要競爭對手維易科在中國地區的LED業務大幅萎縮，從之前的中國地區營收佔比45%左右降低到10%，逐漸退出中國市場，中微公司成為國內MOCVD行業的龍頭企業。
2.對標公司
目前行業內的主要企業如下：
競爭優勢：
國外三大公司從產品線到營收體量均遠遠超過國內公司，資金與技術實力也長期超越國內，研發支出資金也大大超越國內公司，全球刻蝕設備市場佔有份額合計超過95%，實力十分強大。
但是中微公司同樣具備一些優勢：
第一，技術優勢，中微公司當前主營產品技術水平已達到國際先進水平，刻蝕機方面，具備7nm及以上設備的量產能力，最先進製程5nm製程刻蝕機也已經通過臺積電驗證，即將進入世界第一條5nm晶圓生產線。其創始人及技術團隊有很多都是半導體行業從業多年的專家，具有較強的研發能力。與外國公司相比，從技術上已經達到甚至超過同行業公司；
第二，產品性價比優勢，主營產品MOCVD的第二代產品Prismo A7 具有更高的性價比， 擁有4個反應腔，可以同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片，每個反應腔都可獨立控制，推出後迅速戰勝對手，佔據大部分市場份額。
第三，中微公司主要經營地點為中國大陸地區，而中國大陸地區目前是世界第二大半導體設備需求市場，未來需求增長潛力巨大，中微公司貼近客戶，建立了完善的售後服務體系，可以依靠優質的售後服務，增強客戶粘性，提升產品競爭力。
第四，中微公司有40%國有資本股份，2014年12月就收到國家集成電路產業基金（又稱大基金）4億元人民幣的投資，是大基金在半導體設備領域投資的第一家公司；背靠國家政策支持，又身處我國半導體芯片國產化發展關鍵時期，市場競爭力有望持續上升。
3.營收分析
營收構成：
公司營收結構清晰，設備業務銷售佔比佔比超過85%，其次是備品備件業務，佔比在14%左右。專用設備主要為刻蝕設備和MOCVD設備，2016-2018年，兩類設備的年銷售收入合計佔專用設備銷售收入的比例分別為99.57%、99.21%和100.00%。
營收增長方面，刻蝕設備2018年營收額同比增長了接近一倍，達到5.6億元，同比增長幅度為95.74%，增長迅速，主要受益於2018年集成電路製造商投資增長，刻蝕設備需求量大增；而2017年公司刻蝕設備營收額同比降低了38.57%，主要原因是行業投資規模不及預期，影響了公司的銷售收入。因此可以看到，刻蝕設備營收規模與行業投資強度密切相關，短期內，半導體行業景氣度較高升，投資規模較大，營收有望繼續迅速增加。
MOCVD設備方面，中微公司的MOCVD設備目前共有兩代，第三代正在研發，第二代PrismoA7設性能大幅提升，2017年推出後迅速擊敗競爭對手，佔領國內市場，營收額從1500萬迅速增加到5.3億元，佔總營收比重從2.56%增加到54.56%，增長極為迅速，2018年營收進一步增加。根據IHSMarkit的統計，2018年公司在全球氮化鎵基LED-MOCVD設備市場已佔據主導地位，但隨著市場佔有量達到較高水平，未來增速可能會有所降低。
備品備件方面，營收規模逐漸增加，佔營收比例近兩年相對較穩定，隨著公司主營產品銷售額增加，這部分業務營收也會逐步提升。
盈利能力：
公司各種業務三年毛利率變動情況：
可以看到，中微公司的主營兩類產品刻蝕設備與MOCVD設備毛利率存在一定波動性。其中，刻蝕設備方面，2017年毛利率同比下降了4.76%，2018年同比上升了9.15%，結合同期銷售收入波動，說明公司刻蝕設備營收規模與毛利率水平存在一定相關性，營收規模越大，平均成本相對越低，營收規模越小，平均單位成本越高，2016年銷售數量為56腔，平均成本為477.68萬，2017銷售數量為33腔，平均成本為539.67萬元，2018年銷售數量為71腔，平均成本為418.10萬，市場需求對公司客戶設備業務盈利能力影響較大。
MOCVD設備毛利率2018年同比降低了13.20%，主要原因是為了迅速佔領市場，公司主動降價，MOCVD設備銷售均價從2017年的930萬降低到785萬，同比下降15.63%，對應公司MOCVD設備總營收同比上漲了56.90%，市場份額擴大至70%以上，後期公司可以憑藉產品性價比優勢，持續鞏固現有市場地位。
客戶情況：
中微公司產品技術水平較高，主要客戶為集成電路製造商以及LED芯片製造行業的知名企業，包括：
其中，前五大客戶銷售歷年合計佔比分別為85.74%、74.52%、60.55%，佔比較高，主要原因是芯片製造行業為重資產行業，進入壁壘極高，客戶集中度較大，行業前5大廠商佔據了絕大部分市場份額，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大。
銷售區域：
中國大陸地區的收入快速增長，佔營業收入的比例從2016年的57.43%迅速提升至2018年的83.89%，成為公司主營區域。
產能分析：
產能較為靈活，採用以銷定產的方式，對固定資產佔用較小，生產週期較短，可以根據市場需求靈活的調整產量。存貨主要為原材料以及尚未確認收入的發出商品，產成品存貨較少，不存在產能限制問題。
4.募投項目：
共募集10億資金，按優先順序用途如下：
項目解讀：
作為半導體設備行業公認的後起之秀，技術和規模是半導體設備企業的核心競爭力，中微公司有著強大的技術背景和研發能力，主要產品技術已達到國內外先進水平，產品迅速應用到各大頂尖半導體生產廠家，國內市場銷售規模也在快速提升，未來發展潛力較大；同時，近幾年是半導體行業快速發展時期，半導體制造產能向大陸轉移，國內半導體制造投資顯著增大，面對日益旺盛的市場需求，中微需要更多的資金投入，迅速提升技術水平和產能，抓住機會，迅速佔領行業市場，鞏固提升技術優勢，加快形成規模優勢，才能更好地應對國外巨頭的競爭，提升鞏固行業地位。
現有募投項目圍繞產能升級擴張，提升研發能力方面，與公司發展戰略相符合，也符合公司當前發展階段，有助於公司進一步擴大競爭力，提升市場佔有率。
5.盈利預測
中微公司當前處於營收快速增長期，2017年營收增長率為59.45%，2018年營收增長率為68.66%，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，主要受益於刻蝕設備行業的市場需求增加以及MOCVD行業市場規模迅速擴大，未來，伴隨著半導體制造行業產能向大陸轉移，公司營收有望保持較高速度增長。
四、財報分析
主要財務指標摘要：
單位：（元）
財報解讀：
可以看到，中微半導體各項財務數據在三年內迅速改善，無論從營業收入、淨利潤角度看，還是從流動比率、速動比率、資產負債率角度看，亦或是從經營性現金流量淨額角度看，都是一個迅速良性轉變的過程。
其中，最近兩年營業收入複合增長率為64.06%，最近兩年毛利潤複合增長率為50%，2018年淨利潤同比增長率為203.6%，達到了0.91億元，盈利增長十分迅猛；流動比率和速動比率與去年同期相比均增加了約一倍，其中流動比率達到了211.71%，速動比率達到了119.23%，資產負債率三年內持續降低，2018年為40.09%，資產結構質量持續改善；2018年經營活動現金流量淨額首次由負轉正，主要原因是營收迅速增加，2018年銷售商品、提供勞務收到的現金比去年同期增加了9.6億元，這是非常優秀的特徵，說明企業產品暢銷，市場銷售規模在迅速擴大，側面反映出企業產品具有較強的市場競爭力。
值得注意的是，2018年投資活動現金流量淨額與籌資活動現金流量淨額增長較大，經研究主要原因是：一方面，2018年公司股權融資收到的現金為16.6億元，同比增加了6億元；另一方面，公司營收也在迅速增加，為改善閒置資金使用效率，2018年有4個億的投資現金支出。
2.國內同業可比公司2018年主要指標對比：
單位：（元）
1、銷售費用：
銷售費用較高，2018佔營收比重為13.21%，而同期北方華創公司營收佔比僅為5.08%，對比兩家公司銷售費用2018年銷售費用明細。
單位：（萬元）
可以看到，區別最大的地方為產品質保金與銷售人員的股份支付費用部分，公司將銷售相關的產品質保金計入銷售費用，併為銷售人員派發公司股權，帶來的股份支付費用進入到銷售費用中。
2、研發費用：
研發支出穩定增加，但數額與同業可比公司尚有差距，與國外巨頭公司差距巨大，中微公司每年將部分研發支出資本化計入研發支出，實際研發費用與可比公司對比如下：
3、毛利率：
同行業公司毛利率對比：
毛利率水平逐年下降，逐漸低於行業平均水平，主要受MOCVD設備毛利下降的影響。
4、償債能力：
資產結構優於國內同行業可比公司，流動比率，速動比率以及現金比率是北方華創公司的兩倍左右，償債能力較強，但與泛林公司相比，差距仍較大，泛林公司2018年現金比率高達143%，遠遠高於國內公司；流動資產比例平較高，約佔總資產的60%-80%，流動資產中存貨佔比較高，而固定資產相對而言反而較低，資產流動性較好。
五、估值定價
本研究院採用至少三種對中微公司適配性較強的估值方法，對該標的現階段市值進行測算，估值結果系分析師個人研究結果，對他人不構成投資建議
方法一：PS法
重要假設：
1、未來市場不存在惡意競爭現象。
2、北方華創當前市銷率正確反映了其市場價值。
分析過程：中微公司營收處於快速增長期，2018年營收增長率為68.66%，國內對標公司北方華創2018年營收增長率為49.53%，市銷率為9.58，由於北方華創主營業務性質與中微公司類似，因此以北方華創市銷率水平來類比中微公司市銷率水平。
樂觀：中微公司營收繼續高速增長，未來營收增速大於等於60%，給予中微公司12倍市銷率，對應當前市值為16.39*12=196.68億元，對應當前市價為196.68/5.35=35.57。
中性：中微公司營收增速為40%，給予10倍市銷率，對應當前市值為16.39*10=163.9億元，對應當前市價為163.9/5.35=30.64元。
悲觀：營收增速低於預期，增速為20%，給予8倍市銷率，對應當前市值為16.39*8=131.12億元，對應當前市價為131.12/5.35=24.51元。
結論：
方法二：PEG法
重要假設：
1、修正市盈率正確反映了中微公司當前合理估值。
分析過程：中微公司目前處於快速增長期，營收增長迅速但前期成本較高，淨利潤低，因此嘗試使用PEG方法進行估值。
PEG=當前市盈率/（淨利潤增長率*100），當PEG=1時，對應市盈率對於快速增長期公司較合理，中微公司2018年淨利潤增長率203.6%，代入公式得到中微公司2018年合理市盈率為203.6。乘以2018年對應淨利潤0.91億元，得到中微公司當前合理市值為203.6*0.91=185.28億元，對應股價為185.28/5.35=34.63元。
方法三：類比法
重要假設：
1、泛林半導體公司當前市值正確反映了其市場價值。
2、中微公司未來市值年複合增長率為15%。
分析過程：
目前半導體刻蝕設備行業全球市場佔有率最高的公司是泛林半導體公司，2018年營收為2017.56億元人民幣，市值為1997.6億元人民幣，根據中微公司戰略規劃，公司15年後可以趕超國際巨頭。
樂觀：假設公司15年後達到泛林公司當前規模，即15年後市值達到1997.6億元人民幣，公司市值年複合增長率為15%，對應當前市值為245.49億元，對應當前股價為478.22/5.35=45.89元。
中觀：假設公司15年後達到泛林公司當前規模的70%，即15年後市值達到1997.6*0.7=1398.32億元人民幣，假設公司市值年複合增長率為15%，對應當前市值為171.85億元，對應當前股價為171.85/5.35=32.12元。
悲觀：假設公司15年後達到中微公司當前規模的40%，即15年後市值達到1997.6*0.4=799.04億元人民幣，公司市值年複合增長率為15%，對應當前市值為98.20億元，對應當前股價為98.20/5.35=18.35元。
結論：
投資建議：
綜上所述，本分析師認為中微公司現時合理估值區間為156.31億元到191.04億元，對應每股價格29.22元到35.71元，較公司自身定價18.69元上浮56.31%-91.04%，較公司發行價29.01元上浮0.72%~23.10%。
六、風險提示
1、下游客戶需求不及預期風險
近年來，在半導體芯片國產化背景下，大陸集成電路製造領域投資顯著增大，半導體行業整體景氣度上升，帶動設備行業市場需求增大，公司營收增速明顯，但半導體設備行業下游客戶廠商較為集中，單一客戶投資需求變動對公司營收影響較大，若下游客戶後期投資減少或增長緩慢，將影響公司營收。
2、技術更新的風險
半導體設備行業技術、下游產品迭代較快，對設備性能要求、生產廠商技術水平要求極高，近年來中微公司研發費用逐年上升，但數額仍與國外公司差距較大，若後期公司由於研發費用不足導致技術水平更新慢，不能適應行業需求，將對公司營收產生重大影響。
3、市場惡意競爭的風險
公司刻蝕設備領域主要競爭對手為海外巨頭公司，一個重要的競爭優勢是產品性價比高，而三大公司發展較早，資金技術積累深厚，營收規模大，若在市場競爭中，外商公司藉助資金和規模優勢，壓價競爭，將對公司營收產生較大影響。
4、政府補助與稅收優惠政策變動風險
公司先後承擔了多項國家重大科研項目，2016-2018年計入當期損益的政府補助金額為1.16元，1.17億元與1.70億元，同時，公司自2012年開始連續多年獲得高新技術企業認定，享受15%的優惠稅率，若上述政府補助與稅收政策發生變化，會影響公司盈利情況。
5、頂尖技術人才不足的風險
技術先進性是公司的核心競爭力之一，若要長期保持技術先進就必須持跟蹤最新技術，吸引先進人才，而當前公司核心技術人員，包括創始人尹志堯75歲，杜志遊60歲、倪圖強57歲、麥仁義72歲、楊偉53歲、李天笑61歲，年齡均普遍偏大，存在關鍵技術人員高齡風險，若後期公司不能持續引進頂尖技術人才，或加大人才培養，公司將面臨頂尖技術人才不足的風險。
6、知識產權爭議風險
半導體設備行業屬於技術密集型行業，公司通過申請專利等方式研發自己的知識產權體系，保護自身技術不外洩，若公司後期與競爭對手產生知識產權糾紛，或自身知識產權被侵權，將對公司營收產生影響。
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