次MLC時代再次來臨 閃存壽命有望迴歸

次MLC時代再次來臨 閃存壽命有望迴歸

如今固態硬盤的速度是越來越快,容量也在不斷上升,價格也取得了相當可觀的降低,但是與之對應的,其擦寫的次數也就是壽命在不斷下降。民用領域一開始使用的是頗為耐用的MLC顆粒,但是MLC顆粒做成大容量成本會很高,因此SSD為了增大容量,提高產量降低成本,逐漸演變成TLC顆粒,而後成了更加不耐用的QLC顆粒。

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雖然TLC與QLC都可以通過更先進的主控算法和更大的容量來儘可能的增大使用壽命,但是畢竟MLC的榮光擺在前面,大眾還是希望存儲著寶貴數據的硬盤能儘可能耐用。因此這個時候有沒有一款耐擦寫次數很高,並且成本還很低的顆粒呢?

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西部數據就在開發一款新的可耐擦芯片,這種閃存名為LLF低延遲閃存,與傳統的3D NAND相比,它將提供更高的性能和耐用性,該技術旨在實現3D NAND和DRAM之間的性能。根據介紹LLF閃存將具有微秒級的延遲,採用壽命極高的SLC或MLC顆粒。

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此外,成本上LLF也有不錯的優勢,LLF閃存的成本比DRAM低10倍,用來做內存也是相當不錯的,不過與使用3D NAND的固態顆粒比起來,LLF的成本還是很高。但是強大的壽命使得其可以用作類似傲騰一樣的加速盤。

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在這個存儲行業都在用壽命換速度、成本的時候,我們很高興有企業站出來研發高壽命的閃存芯片,因為存儲芯片裡都是大家寶貴的數據,追求速度而拋棄了安全性與穩定性,是真正的本末倒置。

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