'機會!5G手機射頻正朝著整合芯片邁進!(附股)'

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機會!5G手機射頻正朝著整合芯片邁進!(附股)

通信技術從2G 發展到4G,每一代的蜂窩技術都出現不同面貌的革新。從2G 到3G 增加接收分集技術,3G 到4G 則增加載波聚合,再到4.5G 時則是增加超高頻,4x4 MIMO,更多的載波聚合

而這些變革都為手機射頻發展帶來新的成長動能。手機的射頻前端是指介於天線與射頻收發之間的通信零部件,包含濾波器、LNA(低噪聲放大器)、PA(功率放大器)、開關、天線調諧等。

濾波器主要用來濾除噪聲、干擾及不需要的信號,只留下所需頻率範圍內的信號

PA 則是在發射信號時通過PA 放大輸入信號,使得輸出的信號幅度夠大,以便後續處理。

開關則是利用開啟和關閉之間切換,允許信號通過或不通過。

天線調諧器則位於天線之後,但在信號路徑的末端之前,使得兩側的電特性彼此匹配,以改善它們之間的功率傳輸。

在接收信號方面,簡單來說,信號傳輸路徑是由天線接到信號後,經過開關及濾波器,傳至LNA 將信號放大,再到射頻收發,最後傳送到基帶。

至於信號發射,則是從基帶出發,傳送至射頻收發後到PA,再到開關及濾波器,最後由天線發射信號。

而隨著進入5G,更多的頻段導入,以及涵蓋更多新技術,使得射頻前端零部件的價值不斷上升。

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機會!5G手機射頻正朝著整合芯片邁進!(附股)

通信技術從2G 發展到4G,每一代的蜂窩技術都出現不同面貌的革新。從2G 到3G 增加接收分集技術,3G 到4G 則增加載波聚合,再到4.5G 時則是增加超高頻,4x4 MIMO,更多的載波聚合

而這些變革都為手機射頻發展帶來新的成長動能。手機的射頻前端是指介於天線與射頻收發之間的通信零部件,包含濾波器、LNA(低噪聲放大器)、PA(功率放大器)、開關、天線調諧等。

濾波器主要用來濾除噪聲、干擾及不需要的信號,只留下所需頻率範圍內的信號

PA 則是在發射信號時通過PA 放大輸入信號,使得輸出的信號幅度夠大,以便後續處理。

開關則是利用開啟和關閉之間切換,允許信號通過或不通過。

天線調諧器則位於天線之後,但在信號路徑的末端之前,使得兩側的電特性彼此匹配,以改善它們之間的功率傳輸。

在接收信號方面,簡單來說,信號傳輸路徑是由天線接到信號後,經過開關及濾波器,傳至LNA 將信號放大,再到射頻收發,最後傳送到基帶。

至於信號發射,則是從基帶出發,傳送至射頻收發後到PA,再到開關及濾波器,最後由天線發射信號。

而隨著進入5G,更多的頻段導入,以及涵蓋更多新技術,使得射頻前端零部件的價值不斷上升。

機會!5G手機射頻正朝著整合芯片邁進!(附股)


由於5G 導入的技術愈來愈多,射頻前端的零件用量和複雜性急劇增加,但智能手機分配給該功能的PCB 空間量卻不斷下降,而通過模組化提升前端零件的密度就成為趨勢所在。

為了節省手機成本,空間及功耗,5G SoC 和5G 射頻芯片的整合將是未來的發展趨勢。而這整合將分成三大階段:

第一階段:初期5G 與4G LTE 資料的傳輸將以各自獨立的方式存在。以1 個7 nm製程的AP 與4G LTE(包含2G/3G) 基帶芯片的SoC,搭配一組射頻芯片(RFIC)。

而5G 則完全由另一個獨立配置進行,包含一個10 nm製程,能同時支援Sub-6GHz 及毫米波段的5G 基帶芯片,前端配置2 個獨立的射頻元件,包括一個支持5G Sub-6GHz射頻,另一個是毫米波射頻前端天線模組。

第二階段:在考慮製程良率和成本的情況下下,主流配置仍會是一顆獨立AP 與一個體積更小的4G/5G 基帶芯片。

第三階段:將會出現AP 與4G/5G 基帶芯片SoC 的解決方案,LTE 與Sub-6GHz 射頻也有機會整合。至於毫米波射頻前端仍必須以獨立模組存在。

根據Yole預估,全球射頻前端市場將由2017年的151億美元,成長到2023年的352億美元,年複合成長率高達14%。此外,根據Navian估計,模組化現在佔RF元件市場約30%,在不斷整合的趨勢下,模組化比率將在未來逐步上升。

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機會!5G手機射頻正朝著整合芯片邁進!(附股)

通信技術從2G 發展到4G,每一代的蜂窩技術都出現不同面貌的革新。從2G 到3G 增加接收分集技術,3G 到4G 則增加載波聚合,再到4.5G 時則是增加超高頻,4x4 MIMO,更多的載波聚合

而這些變革都為手機射頻發展帶來新的成長動能。手機的射頻前端是指介於天線與射頻收發之間的通信零部件,包含濾波器、LNA(低噪聲放大器)、PA(功率放大器)、開關、天線調諧等。

濾波器主要用來濾除噪聲、干擾及不需要的信號,只留下所需頻率範圍內的信號

PA 則是在發射信號時通過PA 放大輸入信號,使得輸出的信號幅度夠大,以便後續處理。

開關則是利用開啟和關閉之間切換,允許信號通過或不通過。

天線調諧器則位於天線之後,但在信號路徑的末端之前,使得兩側的電特性彼此匹配,以改善它們之間的功率傳輸。

在接收信號方面,簡單來說,信號傳輸路徑是由天線接到信號後,經過開關及濾波器,傳至LNA 將信號放大,再到射頻收發,最後傳送到基帶。

至於信號發射,則是從基帶出發,傳送至射頻收發後到PA,再到開關及濾波器,最後由天線發射信號。

而隨著進入5G,更多的頻段導入,以及涵蓋更多新技術,使得射頻前端零部件的價值不斷上升。

機會!5G手機射頻正朝著整合芯片邁進!(附股)


由於5G 導入的技術愈來愈多,射頻前端的零件用量和複雜性急劇增加,但智能手機分配給該功能的PCB 空間量卻不斷下降,而通過模組化提升前端零件的密度就成為趨勢所在。

為了節省手機成本,空間及功耗,5G SoC 和5G 射頻芯片的整合將是未來的發展趨勢。而這整合將分成三大階段:

第一階段:初期5G 與4G LTE 資料的傳輸將以各自獨立的方式存在。以1 個7 nm製程的AP 與4G LTE(包含2G/3G) 基帶芯片的SoC,搭配一組射頻芯片(RFIC)。

而5G 則完全由另一個獨立配置進行,包含一個10 nm製程,能同時支援Sub-6GHz 及毫米波段的5G 基帶芯片,前端配置2 個獨立的射頻元件,包括一個支持5G Sub-6GHz射頻,另一個是毫米波射頻前端天線模組。

第二階段:在考慮製程良率和成本的情況下下,主流配置仍會是一顆獨立AP 與一個體積更小的4G/5G 基帶芯片。

第三階段:將會出現AP 與4G/5G 基帶芯片SoC 的解決方案,LTE 與Sub-6GHz 射頻也有機會整合。至於毫米波射頻前端仍必須以獨立模組存在。

根據Yole預估,全球射頻前端市場將由2017年的151億美元,成長到2023年的352億美元,年複合成長率高達14%。此外,根據Navian估計,模組化現在佔RF元件市場約30%,在不斷整合的趨勢下,模組化比率將在未來逐步上升。

機會!5G手機射頻正朝著整合芯片邁進!(附股)

5G射頻器相關受益個股(僅供參考)

麥捷科技(300319):生產的SAW濾波器已經開始逐步批量出貨階段,並獲得知名大客戶如聞泰、中興、華為等認可;

信維通信(300136):聯合多家芯片方案廠商進行5G終端天線整體解決方案的合作,射頻傳輸線進入高通5G手機參考設計

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通信技術從2G 發展到4G,每一代的蜂窩技術都出現不同面貌的革新。從2G 到3G 增加接收分集技術,3G 到4G 則增加載波聚合,再到4.5G 時則是增加超高頻,4x4 MIMO,更多的載波聚合

而這些變革都為手機射頻發展帶來新的成長動能。手機的射頻前端是指介於天線與射頻收發之間的通信零部件,包含濾波器、LNA(低噪聲放大器)、PA(功率放大器)、開關、天線調諧等。

濾波器主要用來濾除噪聲、干擾及不需要的信號,只留下所需頻率範圍內的信號

PA 則是在發射信號時通過PA 放大輸入信號,使得輸出的信號幅度夠大,以便後續處理。

開關則是利用開啟和關閉之間切換,允許信號通過或不通過。

天線調諧器則位於天線之後,但在信號路徑的末端之前,使得兩側的電特性彼此匹配,以改善它們之間的功率傳輸。

在接收信號方面,簡單來說,信號傳輸路徑是由天線接到信號後,經過開關及濾波器,傳至LNA 將信號放大,再到射頻收發,最後傳送到基帶。

至於信號發射,則是從基帶出發,傳送至射頻收發後到PA,再到開關及濾波器,最後由天線發射信號。

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為了節省手機成本,空間及功耗,5G SoC 和5G 射頻芯片的整合將是未來的發展趨勢。而這整合將分成三大階段:

第一階段:初期5G 與4G LTE 資料的傳輸將以各自獨立的方式存在。以1 個7 nm製程的AP 與4G LTE(包含2G/3G) 基帶芯片的SoC,搭配一組射頻芯片(RFIC)。

而5G 則完全由另一個獨立配置進行,包含一個10 nm製程,能同時支援Sub-6GHz 及毫米波段的5G 基帶芯片,前端配置2 個獨立的射頻元件,包括一個支持5G Sub-6GHz射頻,另一個是毫米波射頻前端天線模組。

第二階段:在考慮製程良率和成本的情況下下,主流配置仍會是一顆獨立AP 與一個體積更小的4G/5G 基帶芯片。

第三階段:將會出現AP 與4G/5G 基帶芯片SoC 的解決方案,LTE 與Sub-6GHz 射頻也有機會整合。至於毫米波射頻前端仍必須以獨立模組存在。

根據Yole預估,全球射頻前端市場將由2017年的151億美元,成長到2023年的352億美元,年複合成長率高達14%。此外,根據Navian估計,模組化現在佔RF元件市場約30%,在不斷整合的趨勢下,模組化比率將在未來逐步上升。

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資本市場其實從來不缺錢,只缺信心!最近行情低迷,很多散戶朋友追漲殺跌很苦惱,一買就套,情緒易受市場影響。近期被套的朋友可以私信狼王交流策略。

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而5G 則完全由另一個獨立配置進行,包含一個10 nm製程,能同時支援Sub-6GHz 及毫米波段的5G 基帶芯片,前端配置2 個獨立的射頻元件,包括一個支持5G Sub-6GHz射頻,另一個是毫米波射頻前端天線模組。

第二階段:在考慮製程良率和成本的情況下下,主流配置仍會是一顆獨立AP 與一個體積更小的4G/5G 基帶芯片。

第三階段:將會出現AP 與4G/5G 基帶芯片SoC 的解決方案,LTE 與Sub-6GHz 射頻也有機會整合。至於毫米波射頻前端仍必須以獨立模組存在。

根據Yole預估,全球射頻前端市場將由2017年的151億美元,成長到2023年的352億美元,年複合成長率高達14%。此外,根據Navian估計,模組化現在佔RF元件市場約30%,在不斷整合的趨勢下,模組化比率將在未來逐步上升。

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