（觀察者網訊）
18日消息，臺灣《經濟日報》近日報道，紫光集團DRAM 事業群CEO高啟全日前返臺過中秋節時接受採訪表示，紫光集團決定自主研發DRAM，且大基金和重慶產業基金都會投資，初期研發中心將設在武漢，待研發有了成果才會在重慶設廠生產。
高啟全強調，人才是最大的挑戰。他坦承正建立研發團隊，希望五到十年能看到研發成果。但他不願透露太多細節，包括新公司何時成立、研發陣容和投資金額等。不過近期他積極奔走日本、韓國和臺灣地區等地，似乎在招攬人才。
高啟全表示，紫光集團未來投入DRAM領域，也會走先前開發儲存型閃存（NAND Flash）自主研發模式，只是投入DRAM領域，目前相關製程專利都掌控在三星、SK海力士和美光等三大廠手中，紫光集團要技術自主，需要投入更多的人力和時間。
他表示，目前韓國和美國都不願將技術授權給中國大陸廠商，而且貿易摩擦還在繼續，美光也不會和紫光結盟，因此中國要規避三大廠的專利，不是短時間可以達成的，得靠彙集更多優秀人才，希望五到十年能看到成果。
賽迪智庫《2018年全球集成電路產品貿易研究報告》發佈的數據顯示，2018年中國大陸進口集成電路金額高達3120.6億美元，已遠超石油進口額，成為中國進口金額最大的商品，其中存儲器佔集成電路進口金額的39%，達到1230.6億美元。
雖然存儲器是中國集成電路產業的短板，但也是國家大力推進的重點領域。
據觀察者網此前報道，今年8月27日，重慶市人民政府與紫光集團簽署紫光存儲芯片產業基地項目合作協議。紫光集團將在重慶兩江新區發起設立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產業基金，建設包括DRAM總部研發中心在內的紫光DRAM事業群總部、DRAM存儲芯片製造工廠、紫光科技園等。其中，DRAM存儲芯片製造工廠計劃於2019年底開工建設，預計2021年建成投產。
此外，據《經濟日報》報道，有消息人士透露，在政府支持下，紫光集團積極發力DRAM自主生產，內部已計劃未來十年投資高達人民幣8000億元，全力推動並積極衝刺DRAM量產。
南亞科和集邦科技等業界和機構則分析稱，紫光集團雖早有旗下 IC 設計公司紫光國微具有 DRAM 相關產品的研發實力，但製程開發上仍未有合作對象，如果自主開發，至少需要三到五年時間。
"