對標世界頂尖水平，兩江新區紮實推動智能產業高質量發展。8月27日，重慶市人民政府與紫光集團簽署紫光存儲芯片產業基地項目合作協議，重慶市經濟和信息化委員會、重慶兩江新區管委會與紫光集團簽署紫光存儲芯片產業基地項目投資合作協議，兩大協議高強度推動芯片產業基地項目在兩江新區的落地建設。
根據協議，紫光集團將在重慶兩江新區發起設立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產業基金，建設包括DRAM總部研發中心在內的紫光DRAM事業群總部、DRAM存儲芯片製造工廠、紫光科技園等。其中，DRAM存儲芯片製造工廠計劃於2019年底開工建設，預計2021年建成投產。
補齊中國集成電路短板
存儲器是中國集成電路產業的短板，也是國家大力推進的重點領域。賽迪智庫《2018年全球集成電路產品貿易研究報告》數據顯示，2018年中國大陸進口集成電路金額高達3120.6億美元，已遠超石油進口額，成為中國進口金額最大的商品，其中存儲器佔集成電路進口金額的39%，達到1230.6億美元。
目前市場上主要有兩類存儲器產品，一類是DRAM(動態隨機存儲器)，承擔計算時的數據緩存功能;另一類是NAND Flash(閃存)，承擔數據的存儲功能。存儲器廣泛應用於手機、個人電腦、企業服務器、數據中心等領域。
此次簽署的紫光存儲芯片產業基地項目，將極大的帶動重慶市乃至中國集成電路產業的發展，推動智能產業“補鏈成群”，推動經濟社會高質量發展具有十分重要的戰略意義。
打造產研上下游企業一體化基地
根據協議，紫光國芯集成電路股份有限公司將作為紫光集團已經和未來在各地設立的存儲芯片製造工廠的投資主體，打造世界級存儲芯片領域核心產業集團。
紫光重慶存儲芯片工廠則依靠紫光集團在存儲器領域積累的從設計、生產、測試、方案構建到全球量產銷售等研發和產業化經驗，主要專注12英寸DRAM存儲芯片的製造。該工廠計劃於2019年底開工建設，預計2021年建成投產。
值得一提的是，紫光集團DRAM總部研發中心同樣落戶兩江新區。紫光集團DRAM事業群已於今年6月底組建成立。在芯片工廠建成前，紫光集團先期在現有芯片工廠內設立產品中試生產線，進行產品生產工藝技術研發，待工藝成熟後在紫光重慶芯片工廠量產。
紫光科技園則以存儲芯片研發設計為龍頭，整合紫光集團產業資源，引入產業鏈上下游企業機構，打造具備國際競爭力的科技園區。
構建“從芯到雲”產業鏈條
存儲器是紫光集團芯片業務的戰略重點之一。經過多年的發展，紫光集團在存儲器的設計製造領域已形成一定基礎，積累了從設計、生產、測試、方案構建到全球量產銷售等研發和產業化經驗。
紫光集團佈局DRAM由來已久，旗下西安紫光國芯一直專注於存儲器尤其是DRAM的產品技術研發，擁有從產品立項、指標定義、電路設計、版圖設計到硅片、顆粒、內存條測試及售前售後技術支持等全方位技術積累。
在DRAM領域，西安紫光國芯自主創新出全球首系列內嵌自檢測修復DRAM存儲器產品(ECC DRAM);它開發的存儲器芯片產品覆蓋標準SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4，其中二十餘款產品實現全球量產和銷售;其存儲器模組產品包括服務器內存模組(RDIMM，NVDIMM)、筆記本內存模組(SODIMM)和臺式機內存模組(UDIMM)，四十餘款模組產品也實現了全球量產和銷售。
而在存儲芯片製造領域，紫光也已積累了成功經驗。紫光旗下長江存儲，是一家領先的集成器件製造商(IDM)，建立了存儲器芯片設計到製造的完整產業鏈。
長江存儲研發設計併成功量產了中國第一款3D NAND存儲器，填補了國內技術和市場空白。
長江存儲創新的Xtacking®模塊化架構帶來了存儲器生產製造效率的顯著提升(生產製造週期縮短約20%)，標誌著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計製造的創新之路。搭載Xtacking®架構的長江存儲64層3D NAND擁有全球同代產品中最高的存儲密度，已研發成功，並將於2019年內實現量產。
據悉，通過此次存儲芯片產業基地項目在渝落地，紫光集團將進一步完善以移動芯片設計為突破口，以存儲芯片製造為縱深，貫穿“從芯到雲”的產業鏈條。
未來，紫光的存儲器產品將通過全球合作，包括與紫光內生產業鏈的新華三、紫光存儲、紫光展銳等公司配合，實現芯片與系統應用的匹配、檢驗、調優，快速實現技術創新落地，贏得市場。
而紫光存儲芯片製造基地的落地，將進一步吸引集成電路上下游企業佈局核心基礎零部件與關鍵基礎材料等重大項目，在重慶及兩江新區形成一個數千億級戰略產業集群。
目前，重慶共有集成電路設計企業12家，其中4家在兩江新區。除IC設計企業外，兩江新區擁有集成電路類製造企業3家，包括萬國半導體、超硅、奧特斯等行業巨頭。在圍繞“芯屏器核網”發展的賽道上，兩江新區已形成了以集成電路、顯示面板、智能終端三大產業集群為主的電子信息製造業。(俞芳)
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