放眼全球，存儲芯片市場一直都由海外企業主導，國內離達到國際水平還有些距離。所以從2018年以來，因為一些眾所周知的原因，存儲芯片市場價格波動幅度很大，而國內對該市場的需求比較大，只是苦於沒有核心技術在這一市場幾乎是空白狀態，所以一直都比較被動。
放眼全球，存儲芯片市場一直都由海外企業主導，國內離達到國際水平還有些距離。所以從2018年以來，因為一些眾所周知的原因，存儲芯片市場價格波動幅度很大，而國內對該市場的需求比較大，只是苦於沒有核心技術在這一市場幾乎是空白狀態，所以一直都比較被動。
然而，“意外”發生了。昨天，紫光集團旗下的長江存儲宣佈全球首款基於Xtacking 架構打造的64層256Gb TLC 3D NAND芯片正式開始量產，不少人都為之歡呼。
其實，早在2018年，長江存儲就已經開始對32層堆棧的3D閃存進行小規模量產，不過其核心容量只有64Gb，如今其又推出64層堆棧3D閃存，將核心容量提升至256Gb，雖然和512Gb、1Tb的產品存在一定的差距，但也達到目前市場中的主流水平，和已經上市的64層、72層3D NAND閃存相比存儲密度更高。這標誌著長江存儲在高端芯片設計製造路上取得了新突破，也意味著國內半導體行業技術水平離國際水平更近一步。
放眼全球，存儲芯片市場一直都由海外企業主導，國內離達到國際水平還有些距離。所以從2018年以來，因為一些眾所周知的原因，存儲芯片市場價格波動幅度很大，而國內對該市場的需求比較大，只是苦於沒有核心技術在這一市場幾乎是空白狀態，所以一直都比較被動。
然而，“意外”發生了。昨天，紫光集團旗下的長江存儲宣佈全球首款基於Xtacking 架構打造的64層256Gb TLC 3D NAND芯片正式開始量產，不少人都為之歡呼。
其實，早在2018年，長江存儲就已經開始對32層堆棧的3D閃存進行小規模量產，不過其核心容量只有64Gb，如今其又推出64層堆棧3D閃存，將核心容量提升至256Gb，雖然和512Gb、1Tb的產品存在一定的差距，但也達到目前市場中的主流水平，和已經上市的64層、72層3D NAND閃存相比存儲密度更高。這標誌著長江存儲在高端芯片設計製造路上取得了新突破，也意味著國內半導體行業技術水平離國際水平更近一步。
值得一提的是，2018年因為NAND Flash的價格大幅度下跌，全球相關企業紛紛推遲了96層3D NAND 擴產計劃，從而導致3D NAND技術製程的進化比較慢。儘管現在96層技術已經實現了量產，但流通的數量不是很多，主流產品仍然是64/72層技術的3D NAND芯片，所以說市場還是“善良”的，給長江存儲留有趕超的機會。更何況其新推出的這款產品因為採用Xtacking架構，所以能夠充分利用存儲單元和外圍電路，在加工方面具有很大的優勢，促使產品開發時間縮短2個月，生產週期縮短20%，進而縮短產品上市時間。
放眼全球，存儲芯片市場一直都由海外企業主導，國內離達到國際水平還有些距離。所以從2018年以來，因為一些眾所周知的原因，存儲芯片市場價格波動幅度很大，而國內對該市場的需求比較大，只是苦於沒有核心技術在這一市場幾乎是空白狀態，所以一直都比較被動。
然而，“意外”發生了。昨天，紫光集團旗下的長江存儲宣佈全球首款基於Xtacking 架構打造的64層256Gb TLC 3D NAND芯片正式開始量產，不少人都為之歡呼。
其實，早在2018年，長江存儲就已經開始對32層堆棧的3D閃存進行小規模量產，不過其核心容量只有64Gb，如今其又推出64層堆棧3D閃存，將核心容量提升至256Gb，雖然和512Gb、1Tb的產品存在一定的差距，但也達到目前市場中的主流水平，和已經上市的64層、72層3D NAND閃存相比存儲密度更高。這標誌著長江存儲在高端芯片設計製造路上取得了新突破，也意味著國內半導體行業技術水平離國際水平更近一步。
值得一提的是，2018年因為NAND Flash的價格大幅度下跌，全球相關企業紛紛推遲了96層3D NAND 擴產計劃，從而導致3D NAND技術製程的進化比較慢。儘管現在96層技術已經實現了量產，但流通的數量不是很多，主流產品仍然是64/72層技術的3D NAND芯片，所以說市場還是“善良”的，給長江存儲留有趕超的機會。更何況其新推出的這款產品因為採用Xtacking架構，所以能夠充分利用存儲單元和外圍電路，在加工方面具有很大的優勢，促使產品開發時間縮短2個月，生產週期縮短20%，進而縮短產品上市時間。
另外，業界有消息稱，明年長江存儲將實現跨級跳，直接發展128層3D NAND技術，如果可以實現的話，那麼明年國內3D NAND技術將躋身國際大廠隊伍中去。因為就業內現在的情況來看，明年將是100+層3D NAND技術的爆發之年，現在三星電子、東芝等主流廠商都已經開始熱身，實現96層技術的量產，明年100+層技術來臨後，各大廠商的競爭也將更為激烈。
但不管怎樣，希望未來長江存儲還能不斷加強技術投入和研發，早日趕超國際水平，肩負起中國NAND Flash打破存儲芯片市場被外企壟斷的局面。
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