'芯突破！長江存儲64層3D NAND閃存開始量產，輕鬆實現單盤1TB容量'
今日，長江存儲正式對外宣佈，公司已開始量產64層 3D NAND閃存。
今日，長江存儲正式對外宣佈，公司已開始量產64層 3D NAND閃存。
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓
同代最強，輕鬆實現單盤1TB容量
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。
長江存儲在2018年8月推出了他們的突破性技術——Xtacking®。並使其在2018年世界閃存峰會上獲得“Most Innovative Flash Memory Starup”獎，翻譯成中文就是：最具創新力的閃存創始公司。
今日，長江存儲正式對外宣佈，公司已開始量產64層 3D NAND閃存。
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓
同代最強，輕鬆實現單盤1TB容量
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。
長江存儲在2018年8月推出了他們的突破性技術——Xtacking®。並使其在2018年世界閃存峰會上獲得“Most Innovative Flash Memory Starup”獎，翻譯成中文就是：最具創新力的閃存創始公司。
據介紹，傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會佔到芯片整體面積的50%以上。
Xtacking®技術將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度。
Xtacking®可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道（VIA）將兩片晶圓鍵合。
長江存儲表示，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3 Gbps，比三星的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。
今日，長江存儲正式對外宣佈，公司已開始量產64層 3D NAND閃存。
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓
同代最強，輕鬆實現單盤1TB容量
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。
長江存儲在2018年8月推出了他們的突破性技術——Xtacking®。並使其在2018年世界閃存峰會上獲得“Most Innovative Flash Memory Starup”獎，翻譯成中文就是：最具創新力的閃存創始公司。
據介紹，傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會佔到芯片整體面積的50%以上。
Xtacking®技術將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度。
Xtacking®可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道（VIA）將兩片晶圓鍵合。
長江存儲表示，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3 Gbps，比三星的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。
Xtacking®技術（圖源：長江存儲官網）
而且Xtacking®技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模塊化的產品設計及製造，產品開發時間可縮短三個月，生產週期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。 此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定製化提供了可能。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示： “通過將Xtacking®架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。 ”
據介紹，剛剛量產的是64層堆棧的3D閃存，其核心容量已經提升到256Gb，達到世界主流水平，可輕鬆製造512GB到1TB容量的固態硬盤。
肩負中國存儲產業破局重任
在存儲產品領域，中國是全球最大的數據產生地和消費地，存儲容量和性能的需求增長迅速。但這個產業的上游產品、技術卻完全掌握在少數幾家海外巨頭手中。
根據集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2019年第二季NAND Flash（閃存）市場，三星電子繼續保持龍頭地位，其第二季營收達37.66億美元，市場佔比34.9%；東芝存儲、西部數據、美光、SK海力士、英特爾分別以18.1%、14%、13.5%、10.3%、8.7%的市場佔比位列二至六位。
今日，長江存儲正式對外宣佈，公司已開始量產64層 3D NAND閃存。
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓
同代最強，輕鬆實現單盤1TB容量
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。
長江存儲在2018年8月推出了他們的突破性技術——Xtacking®。並使其在2018年世界閃存峰會上獲得“Most Innovative Flash Memory Starup”獎，翻譯成中文就是：最具創新力的閃存創始公司。
據介紹，傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會佔到芯片整體面積的50%以上。
Xtacking®技術將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度。
Xtacking®可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道（VIA）將兩片晶圓鍵合。
長江存儲表示，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3 Gbps，比三星的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。
Xtacking®技術（圖源：長江存儲官網）
而且Xtacking®技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模塊化的產品設計及製造，產品開發時間可縮短三個月，生產週期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。 此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定製化提供了可能。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示： “通過將Xtacking®架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。 ”
據介紹，剛剛量產的是64層堆棧的3D閃存，其核心容量已經提升到256Gb，達到世界主流水平，可輕鬆製造512GB到1TB容量的固態硬盤。
肩負中國存儲產業破局重任
在存儲產品領域，中國是全球最大的數據產生地和消費地，存儲容量和性能的需求增長迅速。但這個產業的上游產品、技術卻完全掌握在少數幾家海外巨頭手中。
根據集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2019年第二季NAND Flash（閃存）市場，三星電子繼續保持龍頭地位，其第二季營收達37.66億美元，市場佔比34.9%；東芝存儲、西部數據、美光、SK海力士、英特爾分別以18.1%、14%、13.5%、10.3%、8.7%的市場佔比位列二至六位。
圖源：集邦諮詢
以上六家巨頭壟斷了全球的NAND FLASH市場供應，其他所有公司的市場份額僅佔0.5%，長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
2014年11月，中國成立國家集成電路大基金，這個基金推動中國先進集成電路產業發展。
2016年3月，在集成電路產業基金的支持下，武漢新芯宣佈投資240億美元在武漢打造一個世界級的半導體存儲企業，集中精力研究生產NANDFLASH和DRAM。
項目分三個階段部署，第一家工廠專注NAND閃存生產，第二家工廠專注DRAM芯片生產，第三個階段的設施將專為供應商服務。請注意，第一家工廠是做NAND FLASH的，正是長江存儲是優先量產NAND FLASH產品。
今日，長江存儲正式對外宣佈，公司已開始量產64層 3D NAND閃存。
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓
同代最強，輕鬆實現單盤1TB容量
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。
長江存儲在2018年8月推出了他們的突破性技術——Xtacking®。並使其在2018年世界閃存峰會上獲得“Most Innovative Flash Memory Starup”獎，翻譯成中文就是：最具創新力的閃存創始公司。
據介紹，傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會佔到芯片整體面積的50%以上。
Xtacking®技術將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度。
Xtacking®可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道（VIA）將兩片晶圓鍵合。
長江存儲表示，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3 Gbps，比三星的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。
Xtacking®技術（圖源：長江存儲官網）
而且Xtacking®技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模塊化的產品設計及製造，產品開發時間可縮短三個月，生產週期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。 此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定製化提供了可能。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示： “通過將Xtacking®架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。 ”
據介紹，剛剛量產的是64層堆棧的3D閃存，其核心容量已經提升到256Gb，達到世界主流水平，可輕鬆製造512GB到1TB容量的固態硬盤。
肩負中國存儲產業破局重任
在存儲產品領域，中國是全球最大的數據產生地和消費地，存儲容量和性能的需求增長迅速。但這個產業的上游產品、技術卻完全掌握在少數幾家海外巨頭手中。
根據集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2019年第二季NAND Flash（閃存）市場，三星電子繼續保持龍頭地位，其第二季營收達37.66億美元，市場佔比34.9%；東芝存儲、西部數據、美光、SK海力士、英特爾分別以18.1%、14%、13.5%、10.3%、8.7%的市場佔比位列二至六位。
圖源：集邦諮詢
以上六家巨頭壟斷了全球的NAND FLASH市場供應，其他所有公司的市場份額僅佔0.5%，長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
2014年11月，中國成立國家集成電路大基金，這個基金推動中國先進集成電路產業發展。
2016年3月，在集成電路產業基金的支持下，武漢新芯宣佈投資240億美元在武漢打造一個世界級的半導體存儲企業，集中精力研究生產NANDFLASH和DRAM。
項目分三個階段部署，第一家工廠專注NAND閃存生產，第二家工廠專注DRAM芯片生產，第三個階段的設施將專為供應商服務。請注意，第一家工廠是做NAND FLASH的，正是長江存儲是優先量產NAND FLASH產品。
長江存儲武漢一期工廠（圖源：長江存儲官網）
2016年7月，紫光集團參與進來，各方在武漢新芯公司的基礎上成立了長江存儲公司並控股武漢新芯。長江存儲由紫光集團子公司紫光國芯，集成電路基金、湖北國芯產業投資基金合夥企業和省科投共同出資。其中，紫光國芯出資197億元人民幣，佔51.04%。
2017年1月，紫光集團進一步宣佈投資300億美元，在江蘇南京投資建設半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產能10萬片，主要是生產3D NAND FLASH(閃存)、DRAM存儲芯片。
2018年6月，紫光集團宣佈投資240億美元，在西川成都建3D閃存工廠，2018年10月中旬動工，預計2020年12月主體完工，第一期建成之後，將月產10萬片，三期都完成後將擁有月產30萬片的一個生產能力。
武漢工廠240億美元+南京工廠300億美元+成都工廠240億美元，長江存儲項目中國砸了780億美元，NAND Flash便是長江存儲最先發力的方向。
而長江存儲目前的表現沒有辜負我們對它的期望。
一年一個臺階
2017年12月，長江存儲成功研發32層3D NAND閃存，並於2018年底實現小規模量產，此時與國外先進企業的差距是5年。
長江存儲並不打算大規模生產32層堆棧的3D NAND閃存，2018年9月，64層 3D NAND閃存實現量產，與國外先進企業差距縮短到2年。
觀察六大供應商發展狀況，目前主流出貨多在64/72層產品，並已量產92/96層的產品。今年8月6日，三星電子宣佈，已開始生產業內首批 100 層 V-NAND 閃存。
今日，長江存儲正式對外宣佈，公司已開始量產64層 3D NAND閃存。
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓
同代最強，輕鬆實現單盤1TB容量
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。
長江存儲在2018年8月推出了他們的突破性技術——Xtacking®。並使其在2018年世界閃存峰會上獲得“Most Innovative Flash Memory Starup”獎，翻譯成中文就是：最具創新力的閃存創始公司。
據介紹，傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會佔到芯片整體面積的50%以上。
Xtacking®技術將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度。
Xtacking®可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道（VIA）將兩片晶圓鍵合。
長江存儲表示，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3 Gbps，比三星的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。
Xtacking®技術（圖源：長江存儲官網）
而且Xtacking®技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模塊化的產品設計及製造，產品開發時間可縮短三個月，生產週期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。 此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定製化提供了可能。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示： “通過將Xtacking®架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。 ”
據介紹，剛剛量產的是64層堆棧的3D閃存，其核心容量已經提升到256Gb，達到世界主流水平，可輕鬆製造512GB到1TB容量的固態硬盤。
肩負中國存儲產業破局重任
在存儲產品領域，中國是全球最大的數據產生地和消費地，存儲容量和性能的需求增長迅速。但這個產業的上游產品、技術卻完全掌握在少數幾家海外巨頭手中。
根據集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2019年第二季NAND Flash（閃存）市場，三星電子繼續保持龍頭地位，其第二季營收達37.66億美元，市場佔比34.9%；東芝存儲、西部數據、美光、SK海力士、英特爾分別以18.1%、14%、13.5%、10.3%、8.7%的市場佔比位列二至六位。
圖源：集邦諮詢
以上六家巨頭壟斷了全球的NAND FLASH市場供應，其他所有公司的市場份額僅佔0.5%，長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
2014年11月，中國成立國家集成電路大基金，這個基金推動中國先進集成電路產業發展。
2016年3月，在集成電路產業基金的支持下，武漢新芯宣佈投資240億美元在武漢打造一個世界級的半導體存儲企業，集中精力研究生產NANDFLASH和DRAM。
項目分三個階段部署，第一家工廠專注NAND閃存生產，第二家工廠專注DRAM芯片生產，第三個階段的設施將專為供應商服務。請注意，第一家工廠是做NAND FLASH的，正是長江存儲是優先量產NAND FLASH產品。
長江存儲武漢一期工廠（圖源：長江存儲官網）
2016年7月，紫光集團參與進來，各方在武漢新芯公司的基礎上成立了長江存儲公司並控股武漢新芯。長江存儲由紫光集團子公司紫光國芯，集成電路基金、湖北國芯產業投資基金合夥企業和省科投共同出資。其中，紫光國芯出資197億元人民幣，佔51.04%。
2017年1月，紫光集團進一步宣佈投資300億美元，在江蘇南京投資建設半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產能10萬片，主要是生產3D NAND FLASH(閃存)、DRAM存儲芯片。
2018年6月，紫光集團宣佈投資240億美元，在西川成都建3D閃存工廠，2018年10月中旬動工，預計2020年12月主體完工，第一期建成之後，將月產10萬片，三期都完成後將擁有月產30萬片的一個生產能力。
武漢工廠240億美元+南京工廠300億美元+成都工廠240億美元，長江存儲項目中國砸了780億美元，NAND Flash便是長江存儲最先發力的方向。
而長江存儲目前的表現沒有辜負我們對它的期望。
一年一個臺階
2017年12月，長江存儲成功研發32層3D NAND閃存，並於2018年底實現小規模量產，此時與國外先進企業的差距是5年。
長江存儲並不打算大規模生產32層堆棧的3D NAND閃存，2018年9月，64層 3D NAND閃存實現量產，與國外先進企業差距縮短到2年。
觀察六大供應商發展狀況，目前主流出貨多在64/72層產品，並已量產92/96層的產品。今年8月6日，三星電子宣佈，已開始生產業內首批 100 層 V-NAND 閃存。
圖源：中國內存市場
根據長江存儲發展規劃，在推出64層產品後，相較於其他供應商先發展9x層的步調，長江存儲將直攻128層以縮減與其他供應商的差距。
目前主要供應商則規劃在2020年量產128層產品，屆時長江存儲將趕上世界前沿，儘管目前在技術發展上仍與主要供應商有相當差距，但未來對市場的影響恐怕勢難抵擋。
今日，長江存儲正式對外宣佈，公司已開始量產64層 3D NAND閃存。
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓
同代最強，輕鬆實現單盤1TB容量
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。
長江存儲在2018年8月推出了他們的突破性技術——Xtacking®。並使其在2018年世界閃存峰會上獲得“Most Innovative Flash Memory Starup”獎，翻譯成中文就是：最具創新力的閃存創始公司。
據介紹，傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會佔到芯片整體面積的50%以上。
Xtacking®技術將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度。
Xtacking®可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道（VIA）將兩片晶圓鍵合。
長江存儲表示，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3 Gbps，比三星的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。
Xtacking®技術（圖源：長江存儲官網）
而且Xtacking®技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模塊化的產品設計及製造，產品開發時間可縮短三個月，生產週期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。 此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定製化提供了可能。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示： “通過將Xtacking®架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。 ”
據介紹，剛剛量產的是64層堆棧的3D閃存，其核心容量已經提升到256Gb，達到世界主流水平，可輕鬆製造512GB到1TB容量的固態硬盤。
肩負中國存儲產業破局重任
在存儲產品領域，中國是全球最大的數據產生地和消費地，存儲容量和性能的需求增長迅速。但這個產業的上游產品、技術卻完全掌握在少數幾家海外巨頭手中。
根據集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2019年第二季NAND Flash（閃存）市場，三星電子繼續保持龍頭地位，其第二季營收達37.66億美元，市場佔比34.9%；東芝存儲、西部數據、美光、SK海力士、英特爾分別以18.1%、14%、13.5%、10.3%、8.7%的市場佔比位列二至六位。
圖源：集邦諮詢
以上六家巨頭壟斷了全球的NAND FLASH市場供應，其他所有公司的市場份額僅佔0.5%，長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
2014年11月，中國成立國家集成電路大基金，這個基金推動中國先進集成電路產業發展。
2016年3月，在集成電路產業基金的支持下，武漢新芯宣佈投資240億美元在武漢打造一個世界級的半導體存儲企業，集中精力研究生產NANDFLASH和DRAM。
項目分三個階段部署，第一家工廠專注NAND閃存生產，第二家工廠專注DRAM芯片生產，第三個階段的設施將專為供應商服務。請注意，第一家工廠是做NAND FLASH的，正是長江存儲是優先量產NAND FLASH產品。
長江存儲武漢一期工廠（圖源：長江存儲官網）
2016年7月，紫光集團參與進來，各方在武漢新芯公司的基礎上成立了長江存儲公司並控股武漢新芯。長江存儲由紫光集團子公司紫光國芯，集成電路基金、湖北國芯產業投資基金合夥企業和省科投共同出資。其中，紫光國芯出資197億元人民幣，佔51.04%。
2017年1月，紫光集團進一步宣佈投資300億美元，在江蘇南京投資建設半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產能10萬片，主要是生產3D NAND FLASH(閃存)、DRAM存儲芯片。
2018年6月，紫光集團宣佈投資240億美元，在西川成都建3D閃存工廠，2018年10月中旬動工，預計2020年12月主體完工，第一期建成之後，將月產10萬片，三期都完成後將擁有月產30萬片的一個生產能力。
武漢工廠240億美元+南京工廠300億美元+成都工廠240億美元，長江存儲項目中國砸了780億美元，NAND Flash便是長江存儲最先發力的方向。
而長江存儲目前的表現沒有辜負我們對它的期望。
一年一個臺階
2017年12月，長江存儲成功研發32層3D NAND閃存，並於2018年底實現小規模量產，此時與國外先進企業的差距是5年。
長江存儲並不打算大規模生產32層堆棧的3D NAND閃存，2018年9月，64層 3D NAND閃存實現量產，與國外先進企業差距縮短到2年。
觀察六大供應商發展狀況，目前主流出貨多在64/72層產品，並已量產92/96層的產品。今年8月6日，三星電子宣佈，已開始生產業內首批 100 層 V-NAND 閃存。
圖源：中國內存市場
根據長江存儲發展規劃，在推出64層產品後，相較於其他供應商先發展9x層的步調，長江存儲將直攻128層以縮減與其他供應商的差距。
目前主要供應商則規劃在2020年量產128層產品，屆時長江存儲將趕上世界前沿，儘管目前在技術發展上仍與主要供應商有相當差距，但未來對市場的影響恐怕勢難抵擋。
圖源：集邦諮詢
而且新制程的擴產受到今年市場情況的影響，全年消費類NAND Flash價格大跌65%，供應商自去年年底以來逐步調降資本支出並減緩擴產時程，甚至有部分供應商決定減產，導致新制程比重成長較為緩慢。
西部數據減少Wafer產出量，並減緩下一步96層3D NAND擴產計劃，三星則縮減平澤工廠二樓的生產規模，美光將2019年投資預算從之前預估的105億美元下修至90億美元。
再加上日本政府擴大半導體材料的出口管制，韓國三星、SK海力士接連縮減閃存產量，SK海力士7月25日表明，將2019年NAND型閃存產量比2018年減產15％。
這對長江存儲來說是個好消息，其64層閃存芯片將因此獲得更多的時間窗口和市場空間，長江存儲預計64層正式量產後，產能擴張將轉趨積極，到2020年底可以達到六萬片每月的產能。
長江存儲64層 3D NAND閃存量產，標誌著中國製造的閃存芯片打破壟斷，與六大供應商展開面對面的正面競爭。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示，“隨著5G，人工智能和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將持續增長。長江存儲64層3D NAND閃存產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力。”
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