'官宣，長江存儲64層3D NAND閃存量產'
今日，長江存儲對外宣佈，其基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。長江存儲一貫重視核心技術的自主研發和創新，Xtacking®技術的研發成功和64層3D NAND閃存的批量生產標誌著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計製造的創新之路。
今日，長江存儲對外宣佈，其基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。長江存儲一貫重視核心技術的自主研發和創新，Xtacking®技術的研發成功和64層3D NAND閃存的批量生產標誌著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計製造的創新之路。
據介紹，長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品（特指截止目前業界已上市的64/72層3D NAND 閃存）中最高的存儲密度。Xtacking®可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking®可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。
作為集成器件製造商(IDM - Integrated Device Manufacturer)，長江存儲致力於為全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務，並計劃推出集成64層3D NAND閃存的固態硬盤、UFS等產品，以滿足數據中心，以及企業級服務器、個人電腦和移動設備製造商的需求。
考慮到中國乃至全球的NAND Flash格局，長江存儲的這款新產品面世擁有極其重要的意義。
肩負中國NAND Flash破局的重任
過去幾年，因為存儲產品的大幅漲價，讓大家正式認識到存儲的重要性，但這是一個被幾家廠商高度壟斷，而中國幾近空白的市場。
據資料顯示，三星，鎂光、SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND Flash市場供應，其中三星多年位居龍頭。
今日，長江存儲對外宣佈，其基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。長江存儲一貫重視核心技術的自主研發和創新，Xtacking®技術的研發成功和64層3D NAND閃存的批量生產標誌著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計製造的創新之路。
據介紹，長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品（特指截止目前業界已上市的64/72層3D NAND 閃存）中最高的存儲密度。Xtacking®可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking®可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。
作為集成器件製造商(IDM - Integrated Device Manufacturer)，長江存儲致力於為全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務，並計劃推出集成64層3D NAND閃存的固態硬盤、UFS等產品，以滿足數據中心，以及企業級服務器、個人電腦和移動設備製造商的需求。
考慮到中國乃至全球的NAND Flash格局，長江存儲的這款新產品面世擁有極其重要的意義。
肩負中國NAND Flash破局的重任
過去幾年，因為存儲產品的大幅漲價，讓大家正式認識到存儲的重要性，但這是一個被幾家廠商高度壟斷，而中國幾近空白的市場。
據資料顯示，三星，鎂光、SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND Flash市場供應，其中三星多年位居龍頭。
長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
根據公司官網介紹，長江存儲科技有限責任公司（“長江存儲”）於2016年7月在中國武漢成立，是一家專注於3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業客戶提供存儲器產品，廣泛應用於移動設備、計算機、數據中心和消費電子產品等領域。長江存儲在武漢、上海、北京等地設有研發中心，通過不懈努力和技術創新，致力於成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商。
今日，長江存儲對外宣佈，其基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。長江存儲一貫重視核心技術的自主研發和創新，Xtacking®技術的研發成功和64層3D NAND閃存的批量生產標誌著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計製造的創新之路。
據介紹，長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品（特指截止目前業界已上市的64/72層3D NAND 閃存）中最高的存儲密度。Xtacking®可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking®可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。
作為集成器件製造商(IDM - Integrated Device Manufacturer)，長江存儲致力於為全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務，並計劃推出集成64層3D NAND閃存的固態硬盤、UFS等產品，以滿足數據中心，以及企業級服務器、個人電腦和移動設備製造商的需求。
考慮到中國乃至全球的NAND Flash格局，長江存儲的這款新產品面世擁有極其重要的意義。
肩負中國NAND Flash破局的重任
過去幾年，因為存儲產品的大幅漲價，讓大家正式認識到存儲的重要性，但這是一個被幾家廠商高度壟斷，而中國幾近空白的市場。
據資料顯示，三星，鎂光、SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND Flash市場供應，其中三星多年位居龍頭。
長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
根據公司官網介紹，長江存儲科技有限責任公司（“長江存儲”）於2016年7月在中國武漢成立，是一家專注於3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業客戶提供存儲器產品，廣泛應用於移動設備、計算機、數據中心和消費電子產品等領域。長江存儲在武漢、上海、北京等地設有研發中心，通過不懈努力和技術創新，致力於成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商。
在成立之後，公司一直進展順利，2017年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路製造工廠的基礎上，通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計並製造了中國首批3D NAND閃存芯片。
今日，長江存儲對外宣佈，其基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。長江存儲一貫重視核心技術的自主研發和創新，Xtacking®技術的研發成功和64層3D NAND閃存的批量生產標誌著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計製造的創新之路。
據介紹，長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking®架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品（特指截止目前業界已上市的64/72層3D NAND 閃存）中最高的存儲密度。Xtacking®可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking®可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。
作為集成器件製造商(IDM - Integrated Device Manufacturer)，長江存儲致力於為全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務，並計劃推出集成64層3D NAND閃存的固態硬盤、UFS等產品，以滿足數據中心，以及企業級服務器、個人電腦和移動設備製造商的需求。
考慮到中國乃至全球的NAND Flash格局，長江存儲的這款新產品面世擁有極其重要的意義。
肩負中國NAND Flash破局的重任
過去幾年，因為存儲產品的大幅漲價，讓大家正式認識到存儲的重要性，但這是一個被幾家廠商高度壟斷，而中國幾近空白的市場。
據資料顯示，三星，鎂光、SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND Flash市場供應，其中三星多年位居龍頭。
長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
根據公司官網介紹，長江存儲科技有限責任公司（“長江存儲”）於2016年7月在中國武漢成立，是一家專注於3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業客戶提供存儲器產品，廣泛應用於移動設備、計算機、數據中心和消費電子產品等領域。長江存儲在武漢、上海、北京等地設有研發中心，通過不懈努力和技術創新，致力於成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商。
在成立之後，公司一直進展順利，2017年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路製造工廠的基礎上，通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計並製造了中國首批3D NAND閃存芯片。
公司的發展歷程
在芯片技術發展的同時，長江存儲在2018年八月還推出了他們的突破性技術——Xtacking®。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市週期。
據介紹，傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會佔到芯片整體面積的50%以上。Xtacking®技術將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。
Xtacking®技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模塊化的產品設計及製造，產品開發時間可縮短三個月，生產週期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定製化提供了可能。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示：“通過將Xtacking®架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。”
提到關於未來的產能和一些規劃發展的時候，之前市場傳聞，長江存儲到2020年底，可以達到六萬片每月，公司也將在2020年跳過96層，直接進入128層，但這都是市場傳言，並沒有準確的消息來源。
不過長江存儲表示，今後，公司將持續投入研發資源，以通過技術和產品的迭代，使每一代產品都具備強勁的市場競爭力，更好地滿足全球客戶的需求。“隨著5G，人工智能和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將持續增長。長江存儲64層3D NAND閃存產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力。”程衛華強調。
日前，在紫光集團宣佈委任高啟全為DRAM事業群CEO後，紫光旗下武漢新芯集成電路製造有限公司（以下簡稱武漢新芯）宣佈，聘請紫光集團全球執行副總裁孫世偉接任高啟全擔任武漢新芯總經理兼首席執行官（CEO）。
作為一個從1985年起就進入半導體領域，並歷任美國摩托羅拉半導體公司擔任研發主管，曾任聯華電子股份有限公司（UMC）首席運營官、首席執行官、副董事長等重要職務的芯片業界知名的領軍人物，孫世偉的加入，必將能給長江存儲帶來巨大利好。
讓我們展望長江存儲的美好未來。