芯片
芯片，又稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成電路（英語：integrated circuit, IC）。是指內含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備（如智能手機）的一部分。
製成這樣的硅片，要將上億個晶體管在指甲蓋大小的硅晶片上精確排布，前後要經過近5000道工序。這種產品的設計和製造就是在挑戰人類能製造多小的極限？！比如，芯片研發包括兩個環節，設計環節與製造環節。研發都是以納米（1nm=1/1000mm）作為單位，目前美國公司研發與製作芯片已經到達14nm級別。我國還存在差距，還達不到這種水平。
芯片的設計和製造技藝總在不斷迭代，每次迭代總能深刻影響半導體領域的行業格局。
芯片的設計通常在電腦上用設計軟件完成，我國目前設計水平比較領先，處於世界第二，僅次於美國。我們設計出了一批優秀產品，連續幾年登上世界第一寶座的“神威·太湖之光”超級計算機用的CPU（中央處理器）芯片，就是典型代表。國產手機、電腦和服務器用的CPU芯片性能也基本上達到了國際先進水平。
但是芯片設計需要依賴電子設計自動化工具（EDA）,這一工具使設計者能用計算機進行邏輯編譯、化簡、分割、綜合、優化、佈局、佈線和仿真等工作，最終完成芯片設計。而提供該軟件服務的主要是3家美國公司。我們在設計上需要依賴美國的軟件公司。
談到芯片的製造，一個芯片的簡易工藝流程如下：
首先找到一塊圓圓的硅晶圓, (就是一大塊晶體硅, 打磨的很光滑, 一般是圓的)大小一般就是上面說的指甲大小。
芯片
芯片，又稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成電路（英語：integrated circuit, IC）。是指內含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備（如智能手機）的一部分。
製成這樣的硅片，要將上億個晶體管在指甲蓋大小的硅晶片上精確排布，前後要經過近5000道工序。這種產品的設計和製造就是在挑戰人類能製造多小的極限？！比如，芯片研發包括兩個環節，設計環節與製造環節。研發都是以納米（1nm=1/1000mm）作為單位，目前美國公司研發與製作芯片已經到達14nm級別。我國還存在差距，還達不到這種水平。
芯片的設計和製造技藝總在不斷迭代，每次迭代總能深刻影響半導體領域的行業格局。
芯片的設計通常在電腦上用設計軟件完成，我國目前設計水平比較領先，處於世界第二，僅次於美國。我們設計出了一批優秀產品，連續幾年登上世界第一寶座的“神威·太湖之光”超級計算機用的CPU（中央處理器）芯片，就是典型代表。國產手機、電腦和服務器用的CPU芯片性能也基本上達到了國際先進水平。
但是芯片設計需要依賴電子設計自動化工具（EDA）,這一工具使設計者能用計算機進行邏輯編譯、化簡、分割、綜合、優化、佈局、佈線和仿真等工作，最終完成芯片設計。而提供該軟件服務的主要是3家美國公司。我們在設計上需要依賴美國的軟件公司。
談到芯片的製造，一個芯片的簡易工藝流程如下：
首先找到一塊圓圓的硅晶圓, (就是一大塊晶體硅, 打磨的很光滑, 一般是圓的)大小一般就是上面說的指甲大小。
芯片應用領域
芯片
芯片，又稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成電路（英語：integrated circuit, IC）。是指內含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備（如智能手機）的一部分。
製成這樣的硅片，要將上億個晶體管在指甲蓋大小的硅晶片上精確排布，前後要經過近5000道工序。這種產品的設計和製造就是在挑戰人類能製造多小的極限？！比如，芯片研發包括兩個環節，設計環節與製造環節。研發都是以納米（1nm=1/1000mm）作為單位，目前美國公司研發與製作芯片已經到達14nm級別。我國還存在差距，還達不到這種水平。
芯片的設計和製造技藝總在不斷迭代，每次迭代總能深刻影響半導體領域的行業格局。
芯片的設計通常在電腦上用設計軟件完成，我國目前設計水平比較領先，處於世界第二，僅次於美國。我們設計出了一批優秀產品，連續幾年登上世界第一寶座的“神威·太湖之光”超級計算機用的CPU（中央處理器）芯片，就是典型代表。國產手機、電腦和服務器用的CPU芯片性能也基本上達到了國際先進水平。
但是芯片設計需要依賴電子設計自動化工具（EDA）,這一工具使設計者能用計算機進行邏輯編譯、化簡、分割、綜合、優化、佈局、佈線和仿真等工作，最終完成芯片設計。而提供該軟件服務的主要是3家美國公司。我們在設計上需要依賴美國的軟件公司。
談到芯片的製造，一個芯片的簡易工藝流程如下：
首先找到一塊圓圓的硅晶圓, (就是一大塊晶體硅, 打磨的很光滑, 一般是圓的)大小一般就是上面說的指甲大小。
芯片應用領域
生產線
芯片
芯片，又稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成電路（英語：integrated circuit, IC）。是指內含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備（如智能手機）的一部分。
製成這樣的硅片，要將上億個晶體管在指甲蓋大小的硅晶片上精確排布，前後要經過近5000道工序。這種產品的設計和製造就是在挑戰人類能製造多小的極限？！比如，芯片研發包括兩個環節，設計環節與製造環節。研發都是以納米（1nm=1/1000mm）作為單位，目前美國公司研發與製作芯片已經到達14nm級別。我國還存在差距，還達不到這種水平。
芯片的設計和製造技藝總在不斷迭代，每次迭代總能深刻影響半導體領域的行業格局。
芯片的設計通常在電腦上用設計軟件完成，我國目前設計水平比較領先，處於世界第二，僅次於美國。我們設計出了一批優秀產品，連續幾年登上世界第一寶座的“神威·太湖之光”超級計算機用的CPU（中央處理器）芯片，就是典型代表。國產手機、電腦和服務器用的CPU芯片性能也基本上達到了國際先進水平。
但是芯片設計需要依賴電子設計自動化工具（EDA）,這一工具使設計者能用計算機進行邏輯編譯、化簡、分割、綜合、優化、佈局、佈線和仿真等工作，最終完成芯片設計。而提供該軟件服務的主要是3家美國公司。我們在設計上需要依賴美國的軟件公司。
談到芯片的製造，一個芯片的簡易工藝流程如下：
首先找到一塊圓圓的硅晶圓, (就是一大塊晶體硅, 打磨的很光滑, 一般是圓的)大小一般就是上面說的指甲大小。
芯片應用領域
生產線
設備生產
1. 溼洗： 用各種試劑保持硅晶圓表面沒有雜質
2. 光刻：用紫外線透過蒙版照射硅晶圓, 被照到的地方就會容易被洗掉, 沒被照到的地方就保持原樣。 於是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案.。注意, 此時還沒有加入雜質, 依然是一個硅晶圓。
3. 離子注入：在硅晶圓不同的位置加入不同的雜質, 不同雜質根據濃度/位置的不同就組成了場效應管。相當於上面說的晶體管。
4.蝕刻：
4.1幹蝕刻 ：之前用光刻出來的形狀有許多其實不是我們需要的，而是為了離子注入而蝕刻的。現在就要用等離子體把他們洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出來的結構, 這一步進行蝕刻。
4.2溼蝕刻 ：進一步洗掉, 但是用的是試劑, 所以叫溼蝕刻。
以上步驟完成後, 場效應管就已經被做出來，但是以上步驟一般都不止做一次, 很可能需要反反覆覆的做, 以達到要求。
5 等離子沖洗 ：用較弱的等離子束轟擊整個芯片。
6 熱處理，其中又分為:
6.1 快速熱退火：就是瞬間把整個片子通過大功率燈照到1200攝氏度以上, 然後慢慢地冷卻下來, 為了使得注入的離子能更好的被啟動以及熱氧化。
6.2 退火：操作方法同6.1，不過速度會變慢。
6.3 熱氧化：製造出二氧化硅, 也即場效應管的柵極(gate) 。
7．化學氣相澱積(CVD), 進一步精細處理表面的各種物質。
8．物理氣相澱積 (PVD), 類似, 而且可以給敏感部件加塗層。
9．分子束外延 (MBE)， 如果需要長單晶的話就需要這個。
10.電鍍處理.
11.化學/機械 表面處理
然後芯片就差不多了, 接下來還要:
12 晶圓測試
13 晶圓打磨
這樣就可以出廠封裝了。
芯片
芯片，又稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成電路（英語：integrated circuit, IC）。是指內含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備（如智能手機）的一部分。
製成這樣的硅片，要將上億個晶體管在指甲蓋大小的硅晶片上精確排布，前後要經過近5000道工序。這種產品的設計和製造就是在挑戰人類能製造多小的極限？！比如，芯片研發包括兩個環節，設計環節與製造環節。研發都是以納米（1nm=1/1000mm）作為單位，目前美國公司研發與製作芯片已經到達14nm級別。我國還存在差距，還達不到這種水平。
芯片的設計和製造技藝總在不斷迭代，每次迭代總能深刻影響半導體領域的行業格局。
芯片的設計通常在電腦上用設計軟件完成，我國目前設計水平比較領先，處於世界第二，僅次於美國。我們設計出了一批優秀產品，連續幾年登上世界第一寶座的“神威·太湖之光”超級計算機用的CPU（中央處理器）芯片，就是典型代表。國產手機、電腦和服務器用的CPU芯片性能也基本上達到了國際先進水平。
但是芯片設計需要依賴電子設計自動化工具（EDA）,這一工具使設計者能用計算機進行邏輯編譯、化簡、分割、綜合、優化、佈局、佈線和仿真等工作，最終完成芯片設計。而提供該軟件服務的主要是3家美國公司。我們在設計上需要依賴美國的軟件公司。
談到芯片的製造，一個芯片的簡易工藝流程如下：
首先找到一塊圓圓的硅晶圓, (就是一大塊晶體硅, 打磨的很光滑, 一般是圓的)大小一般就是上面說的指甲大小。
芯片應用領域
生產線
設備生產
1. 溼洗： 用各種試劑保持硅晶圓表面沒有雜質
2. 光刻：用紫外線透過蒙版照射硅晶圓, 被照到的地方就會容易被洗掉, 沒被照到的地方就保持原樣。 於是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案.。注意, 此時還沒有加入雜質, 依然是一個硅晶圓。
3. 離子注入：在硅晶圓不同的位置加入不同的雜質, 不同雜質根據濃度/位置的不同就組成了場效應管。相當於上面說的晶體管。
4.蝕刻：
4.1幹蝕刻 ：之前用光刻出來的形狀有許多其實不是我們需要的，而是為了離子注入而蝕刻的。現在就要用等離子體把他們洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出來的結構, 這一步進行蝕刻。
4.2溼蝕刻 ：進一步洗掉, 但是用的是試劑, 所以叫溼蝕刻。
以上步驟完成後, 場效應管就已經被做出來，但是以上步驟一般都不止做一次, 很可能需要反反覆覆的做, 以達到要求。
5 等離子沖洗 ：用較弱的等離子束轟擊整個芯片。
6 熱處理，其中又分為:
6.1 快速熱退火：就是瞬間把整個片子通過大功率燈照到1200攝氏度以上, 然後慢慢地冷卻下來, 為了使得注入的離子能更好的被啟動以及熱氧化。
6.2 退火：操作方法同6.1，不過速度會變慢。
6.3 熱氧化：製造出二氧化硅, 也即場效應管的柵極(gate) 。
7．化學氣相澱積(CVD), 進一步精細處理表面的各種物質。
8．物理氣相澱積 (PVD), 類似, 而且可以給敏感部件加塗層。
9．分子束外延 (MBE)， 如果需要長單晶的話就需要這個。
10.電鍍處理.
11.化學/機械 表面處理
然後芯片就差不多了, 接下來還要:
12 晶圓測試
13 晶圓打磨
這樣就可以出廠封裝了。
集成電路板
在指甲大小的一塊麵積上，做出這麼多事情來，可見一個芯片能夠完成是具有多麼大的困難。還不包括裡面各種不符合的控制。
我國設計水平雖然位居世界第二，但是在芯片製造領域，包括製造工藝和製造裝備方面，中國能力尚弱。芯片製造聽上去像是傳統制造，實際上其製造工藝和裝備的精密、繁雜程度遠超後者。具體工藝見上述芯片工藝流程。
與上述製造工藝相對應的，是200多種關鍵製造裝備，包括光刻機、刻蝕機、清洗機、切割減薄設備、分選機以及其他工序所需的擴散、氧化、清洗設備等。每種裝備的製造技術要求都很高，製造難度極大且造價十分高昂。
目前，在芯片製造領域，佔有領軍地位的企業大多來自美國、日本等國家，中國芯片製造廠80%的裝備需要從國外進口。
即使有了這些先進裝備是遠遠不夠的，還要開設生產線、制定經營計劃。建廠、設備安裝及調試往往需要2-3年時間，這意味著芯片製造企業要預先對市場需求做出判斷。芯片製造技術不斷迭代更新，之前的設備及生產線到真正投產時是否能滿足市場需求，猶未可知。如果新建成的生產線不能充分實現量產，之前的投入將面臨重大風險。
此外，芯片製造所需的材料也大量依賴進口，有的材料如光刻膠需全部進口。國內半導體材料產業總體規模偏小、技術水平偏低，國產材料的銷售規模佔全球比重不到5%，與發達國家相比仍存在較大差距。
芯片
芯片，又稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成電路（英語：integrated circuit, IC）。是指內含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備（如智能手機）的一部分。
製成這樣的硅片，要將上億個晶體管在指甲蓋大小的硅晶片上精確排布，前後要經過近5000道工序。這種產品的設計和製造就是在挑戰人類能製造多小的極限？！比如，芯片研發包括兩個環節，設計環節與製造環節。研發都是以納米（1nm=1/1000mm）作為單位，目前美國公司研發與製作芯片已經到達14nm級別。我國還存在差距，還達不到這種水平。
芯片的設計和製造技藝總在不斷迭代，每次迭代總能深刻影響半導體領域的行業格局。
芯片的設計通常在電腦上用設計軟件完成，我國目前設計水平比較領先，處於世界第二，僅次於美國。我們設計出了一批優秀產品，連續幾年登上世界第一寶座的“神威·太湖之光”超級計算機用的CPU（中央處理器）芯片，就是典型代表。國產手機、電腦和服務器用的CPU芯片性能也基本上達到了國際先進水平。
但是芯片設計需要依賴電子設計自動化工具（EDA）,這一工具使設計者能用計算機進行邏輯編譯、化簡、分割、綜合、優化、佈局、佈線和仿真等工作，最終完成芯片設計。而提供該軟件服務的主要是3家美國公司。我們在設計上需要依賴美國的軟件公司。
談到芯片的製造，一個芯片的簡易工藝流程如下：
首先找到一塊圓圓的硅晶圓, (就是一大塊晶體硅, 打磨的很光滑, 一般是圓的)大小一般就是上面說的指甲大小。
芯片應用領域
生產線
設備生產
1. 溼洗： 用各種試劑保持硅晶圓表面沒有雜質
2. 光刻：用紫外線透過蒙版照射硅晶圓, 被照到的地方就會容易被洗掉, 沒被照到的地方就保持原樣。 於是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案.。注意, 此時還沒有加入雜質, 依然是一個硅晶圓。
3. 離子注入：在硅晶圓不同的位置加入不同的雜質, 不同雜質根據濃度/位置的不同就組成了場效應管。相當於上面說的晶體管。
4.蝕刻：
4.1幹蝕刻 ：之前用光刻出來的形狀有許多其實不是我們需要的，而是為了離子注入而蝕刻的。現在就要用等離子體把他們洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出來的結構, 這一步進行蝕刻。
4.2溼蝕刻 ：進一步洗掉, 但是用的是試劑, 所以叫溼蝕刻。
以上步驟完成後, 場效應管就已經被做出來，但是以上步驟一般都不止做一次, 很可能需要反反覆覆的做, 以達到要求。
5 等離子沖洗 ：用較弱的等離子束轟擊整個芯片。
6 熱處理，其中又分為:
6.1 快速熱退火：就是瞬間把整個片子通過大功率燈照到1200攝氏度以上, 然後慢慢地冷卻下來, 為了使得注入的離子能更好的被啟動以及熱氧化。
6.2 退火：操作方法同6.1，不過速度會變慢。
6.3 熱氧化：製造出二氧化硅, 也即場效應管的柵極(gate) 。
7．化學氣相澱積(CVD), 進一步精細處理表面的各種物質。
8．物理氣相澱積 (PVD), 類似, 而且可以給敏感部件加塗層。
9．分子束外延 (MBE)， 如果需要長單晶的話就需要這個。
10.電鍍處理.
11.化學/機械 表面處理
然後芯片就差不多了, 接下來還要:
12 晶圓測試
13 晶圓打磨
這樣就可以出廠封裝了。
集成電路板
在指甲大小的一塊麵積上，做出這麼多事情來，可見一個芯片能夠完成是具有多麼大的困難。還不包括裡面各種不符合的控制。
我國設計水平雖然位居世界第二，但是在芯片製造領域，包括製造工藝和製造裝備方面，中國能力尚弱。芯片製造聽上去像是傳統制造，實際上其製造工藝和裝備的精密、繁雜程度遠超後者。具體工藝見上述芯片工藝流程。
與上述製造工藝相對應的，是200多種關鍵製造裝備，包括光刻機、刻蝕機、清洗機、切割減薄設備、分選機以及其他工序所需的擴散、氧化、清洗設備等。每種裝備的製造技術要求都很高，製造難度極大且造價十分高昂。
目前，在芯片製造領域，佔有領軍地位的企業大多來自美國、日本等國家，中國芯片製造廠80%的裝備需要從國外進口。
即使有了這些先進裝備是遠遠不夠的，還要開設生產線、制定經營計劃。建廠、設備安裝及調試往往需要2-3年時間，這意味著芯片製造企業要預先對市場需求做出判斷。芯片製造技術不斷迭代更新，之前的設備及生產線到真正投產時是否能滿足市場需求，猶未可知。如果新建成的生產線不能充分實現量產，之前的投入將面臨重大風險。
此外，芯片製造所需的材料也大量依賴進口，有的材料如光刻膠需全部進口。國內半導體材料產業總體規模偏小、技術水平偏低，國產材料的銷售規模佔全球比重不到5%，與發達國家相比仍存在較大差距。
中國製造
“中興事件”於“華為事件”沒有發生之前，很多人覺得芯片就是很普通的電子元器件，直接從市場上買來用就是了。但實際上，芯片技術是現代信息技術的制高點，關係到國家的競爭力和信息安全。
我們國家要想在電子信息行業技術上有所突破，或者說與發達國家齊頭並進，還有很漫長的路要走。
參考資料《倪光南芯片差異訪談視頻》，網絡資料。