'反制國外技術壟斷，中國半導體公司攻克關鍵存儲技術'
導讀 ： 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求；同時，宣告打破幾家國外廠商高度壟斷的行業格局。
導讀 ： 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求；同時，宣告打破幾家國外廠商高度壟斷的行業格局。
首發Nand-flash 芯片
9月2日 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
作為中國首款64層3D NAND閃存，該產品將亮相IC China 2019紫光集團展臺。
導讀 ： 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求；同時，宣告打破幾家國外廠商高度壟斷的行業格局。
首發Nand-flash 芯片
9月2日 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
作為中國首款64層3D NAND閃存，該產品將亮相IC China 2019紫光集團展臺。
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。Xtacking可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示：“通過將Xtacking架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。”程衛華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將持續增長。長江存儲64層3D NAND閃存產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力
肩負中國NAND Flash破局重任
過去幾年，因為存儲產品的大幅漲價，讓大家正式認識到存儲的重要性，但這是一個被幾家廠商高度壟斷，而中國幾近空白的市場。
據資料顯示，三星，鎂光、SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND Flash市場供應，其中三星多年位居龍頭。
導讀 ： 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求；同時，宣告打破幾家國外廠商高度壟斷的行業格局。
首發Nand-flash 芯片
9月2日 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
作為中國首款64層3D NAND閃存，該產品將亮相IC China 2019紫光集團展臺。
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。Xtacking可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示：“通過將Xtacking架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。”程衛華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將持續增長。長江存儲64層3D NAND閃存產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力
肩負中國NAND Flash破局重任
過去幾年，因為存儲產品的大幅漲價，讓大家正式認識到存儲的重要性，但這是一個被幾家廠商高度壟斷，而中國幾近空白的市場。
據資料顯示，三星，鎂光、SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND Flash市場供應，其中三星多年位居龍頭。
長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
從無到有，長江存儲是中國第一艘衝破國際巨頭壟斷的存儲基地，堪稱中國集成電路產業向空白地帶探索的一艘航空母艦。2016年7月，由紫光集團、國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎上組建長江存儲。其中紫光集團出資197億元，佔股51.04%，從而對長江存儲形成控股。作為一家集芯片設計、工藝研發、晶圓生產與測試、銷售服務於一體的半導體存儲器企業，長江存儲為全球客戶提供先進的存儲產品和解決方案，廣泛應用在移動通信，計算機，數據中心和消費電子等領域。長江存儲以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產製造能力為基礎，採取自主研發與國際合作雙輪驅動的方式，已於2017年研製成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，填補了國內空白。公司3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建築，核心廠區佔地面積約1717畝，預計項目建成後總產能將達到30萬片/月，2023年年產值達1000億人民幣。
導讀 ： 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求；同時，宣告打破幾家國外廠商高度壟斷的行業格局。
首發Nand-flash 芯片
9月2日 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
作為中國首款64層3D NAND閃存，該產品將亮相IC China 2019紫光集團展臺。
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。Xtacking可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示：“通過將Xtacking架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。”程衛華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將持續增長。長江存儲64層3D NAND閃存產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力
肩負中國NAND Flash破局重任
過去幾年，因為存儲產品的大幅漲價，讓大家正式認識到存儲的重要性，但這是一個被幾家廠商高度壟斷，而中國幾近空白的市場。
據資料顯示，三星，鎂光、SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND Flash市場供應，其中三星多年位居龍頭。
長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
從無到有，長江存儲是中國第一艘衝破國際巨頭壟斷的存儲基地，堪稱中國集成電路產業向空白地帶探索的一艘航空母艦。2016年7月，由紫光集團、國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎上組建長江存儲。其中紫光集團出資197億元，佔股51.04%，從而對長江存儲形成控股。作為一家集芯片設計、工藝研發、晶圓生產與測試、銷售服務於一體的半導體存儲器企業，長江存儲為全球客戶提供先進的存儲產品和解決方案，廣泛應用在移動通信，計算機，數據中心和消費電子等領域。長江存儲以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產製造能力為基礎，採取自主研發與國際合作雙輪驅動的方式，已於2017年研製成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，填補了國內空白。公司3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建築，核心廠區佔地面積約1717畝，預計項目建成後總產能將達到30萬片/月，2023年年產值達1000億人民幣。
半導體存儲行業風雲史
最早的存儲芯片是DRAM芯片 僅有1Kbit , 是Intel於1970年10月，推出了，售價10美元（相當於今天的60美元），標誌著DRAM內存時代的到來。到1974年，英特爾佔據了全球82.9%的DRAM市場份額。1973年，德州儀器開始對Intel的內存芯片進行反向工程，仿製並研發出自己的產品，4Kb DRAM，成本更低，行業競爭開始加劇。與此同時，幾個德州儀器的人成立的公司Mostek於1976年推出了更便宜的16Kb DRAM，擊敗Intel，一下子佔據全球75%的市場。1978年，又有幾個Mostek的工程師在地下室創辦了後來大名鼎鼎的美光科技（Micron），生產64Kb DRAM。今天的美光是全球最大的半導體儲存及影像產品製造商之一，世界500強。
導讀 ： 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求；同時，宣告打破幾家國外廠商高度壟斷的行業格局。
首發Nand-flash 芯片
9月2日 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
作為中國首款64層3D NAND閃存，該產品將亮相IC China 2019紫光集團展臺。
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。Xtacking可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示：“通過將Xtacking架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。”程衛華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將持續增長。長江存儲64層3D NAND閃存產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力
肩負中國NAND Flash破局重任
過去幾年，因為存儲產品的大幅漲價，讓大家正式認識到存儲的重要性，但這是一個被幾家廠商高度壟斷，而中國幾近空白的市場。
據資料顯示，三星，鎂光、SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND Flash市場供應，其中三星多年位居龍頭。
長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
從無到有，長江存儲是中國第一艘衝破國際巨頭壟斷的存儲基地，堪稱中國集成電路產業向空白地帶探索的一艘航空母艦。2016年7月，由紫光集團、國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎上組建長江存儲。其中紫光集團出資197億元，佔股51.04%，從而對長江存儲形成控股。作為一家集芯片設計、工藝研發、晶圓生產與測試、銷售服務於一體的半導體存儲器企業，長江存儲為全球客戶提供先進的存儲產品和解決方案，廣泛應用在移動通信，計算機，數據中心和消費電子等領域。長江存儲以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產製造能力為基礎，採取自主研發與國際合作雙輪驅動的方式，已於2017年研製成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，填補了國內空白。公司3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建築，核心廠區佔地面積約1717畝，預計項目建成後總產能將達到30萬片/月，2023年年產值達1000億人民幣。
半導體存儲行業風雲史
最早的存儲芯片是DRAM芯片 僅有1Kbit , 是Intel於1970年10月，推出了，售價10美元（相當於今天的60美元），標誌著DRAM內存時代的到來。到1974年，英特爾佔據了全球82.9%的DRAM市場份額。1973年，德州儀器開始對Intel的內存芯片進行反向工程，仿製並研發出自己的產品，4Kb DRAM，成本更低，行業競爭開始加劇。與此同時，幾個德州儀器的人成立的公司Mostek於1976年推出了更便宜的16Kb DRAM，擊敗Intel，一下子佔據全球75%的市場。1978年，又有幾個Mostek的工程師在地下室創辦了後來大名鼎鼎的美光科技（Micron），生產64Kb DRAM。今天的美光是全球最大的半導體儲存及影像產品製造商之一，世界500強。
美國內企業打得火熱的時候，真正的敵人卻在大洋彼岸崛起。80年代初，日本公司進入了DRAM產業，靠著大量低成本廉價傾銷，直接給了美國公司致命一擊。其結果是Intel持續虧損，在生死存亡之際靠CPU翻身。Mostek以3.45億美元（還是挺多錢的）賣給了UTC，後來轉投意法半導體門下，美光靠著政府幫助活了下來。
為什麼日本能在這麼短的時間內崛起為世界第一，美國公司的幫助功不可沒。在朝鮮戰爭後，美國為了拉攏日本對抗蘇聯，給日本轉移了很多尖端技術，比如電視機、收音機、錄音機、計算器、電冰箱、洗衣機等，現在有名的日立、三菱、東芝、NEC、松下、三洋、富士通、索尼、夏普等都是靠這時候的廉價專利技術興起的。這個時期的日本，跟今天的中國一樣很重視產業升級，組織了龐大的資金池和技術攻關隊伍，對關鍵半導體技術進行攻關。不僅如此，日通過市場換技術的伎倆，引誘美國公司來日本投資，1968年4月，由日本索尼社長井深大出面，與德州儀器董事長哈格蒂（P.E.Haggerty）簽署協議，雙方各佔股50%，設立合資公司。
日本在仿製美國先進技術的道路上，優先選擇了利潤高的，容易量產的DRAM方向。於是,開始投入巨資和人力研發更大容量DRAM，最終的結局就是，日本DRAM質量好，容量大，價格還便宜，美國企業望塵莫及。1982年，日本成為全球最大的DRAM生產國。原來價格虛高的DRAM內存模塊，價格暴降了90%。一顆兩年前還賣100美元的64K DRAM存儲芯片，現在只要5美元就能買到了，日本廠商還能賺錢。美國企業由於芯片成品率低、成本高，根本無法與日本競爭，因此陷入困境，而且由於DRAM價格暴跌，美國公司都沒錢研發更先進的DRAM，紛紛退出該行業。日本自然成了DRAM霸主，佔有90%的市場。
導讀 ： 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求；同時，宣告打破幾家國外廠商高度壟斷的行業格局。
首發Nand-flash 芯片
9月2日 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
作為中國首款64層3D NAND閃存，該產品將亮相IC China 2019紫光集團展臺。
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。Xtacking可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示：“通過將Xtacking架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。”程衛華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將持續增長。長江存儲64層3D NAND閃存產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力
肩負中國NAND Flash破局重任
過去幾年，因為存儲產品的大幅漲價，讓大家正式認識到存儲的重要性，但這是一個被幾家廠商高度壟斷，而中國幾近空白的市場。
據資料顯示，三星，鎂光、SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND Flash市場供應，其中三星多年位居龍頭。
長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
從無到有，長江存儲是中國第一艘衝破國際巨頭壟斷的存儲基地，堪稱中國集成電路產業向空白地帶探索的一艘航空母艦。2016年7月，由紫光集團、國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎上組建長江存儲。其中紫光集團出資197億元，佔股51.04%，從而對長江存儲形成控股。作為一家集芯片設計、工藝研發、晶圓生產與測試、銷售服務於一體的半導體存儲器企業，長江存儲為全球客戶提供先進的存儲產品和解決方案，廣泛應用在移動通信，計算機，數據中心和消費電子等領域。長江存儲以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產製造能力為基礎，採取自主研發與國際合作雙輪驅動的方式，已於2017年研製成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，填補了國內空白。公司3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建築，核心廠區佔地面積約1717畝，預計項目建成後總產能將達到30萬片/月，2023年年產值達1000億人民幣。
半導體存儲行業風雲史
最早的存儲芯片是DRAM芯片 僅有1Kbit , 是Intel於1970年10月，推出了，售價10美元（相當於今天的60美元），標誌著DRAM內存時代的到來。到1974年，英特爾佔據了全球82.9%的DRAM市場份額。1973年，德州儀器開始對Intel的內存芯片進行反向工程，仿製並研發出自己的產品，4Kb DRAM，成本更低，行業競爭開始加劇。與此同時，幾個德州儀器的人成立的公司Mostek於1976年推出了更便宜的16Kb DRAM，擊敗Intel，一下子佔據全球75%的市場。1978年，又有幾個Mostek的工程師在地下室創辦了後來大名鼎鼎的美光科技（Micron），生產64Kb DRAM。今天的美光是全球最大的半導體儲存及影像產品製造商之一，世界500強。
美國內企業打得火熱的時候，真正的敵人卻在大洋彼岸崛起。80年代初，日本公司進入了DRAM產業，靠著大量低成本廉價傾銷，直接給了美國公司致命一擊。其結果是Intel持續虧損，在生死存亡之際靠CPU翻身。Mostek以3.45億美元（還是挺多錢的）賣給了UTC，後來轉投意法半導體門下，美光靠著政府幫助活了下來。
為什麼日本能在這麼短的時間內崛起為世界第一，美國公司的幫助功不可沒。在朝鮮戰爭後，美國為了拉攏日本對抗蘇聯，給日本轉移了很多尖端技術，比如電視機、收音機、錄音機、計算器、電冰箱、洗衣機等，現在有名的日立、三菱、東芝、NEC、松下、三洋、富士通、索尼、夏普等都是靠這時候的廉價專利技術興起的。這個時期的日本，跟今天的中國一樣很重視產業升級，組織了龐大的資金池和技術攻關隊伍，對關鍵半導體技術進行攻關。不僅如此，日通過市場換技術的伎倆，引誘美國公司來日本投資，1968年4月，由日本索尼社長井深大出面，與德州儀器董事長哈格蒂（P.E.Haggerty）簽署協議，雙方各佔股50%，設立合資公司。
日本在仿製美國先進技術的道路上，優先選擇了利潤高的，容易量產的DRAM方向。於是,開始投入巨資和人力研發更大容量DRAM，最終的結局就是，日本DRAM質量好，容量大，價格還便宜，美國企業望塵莫及。1982年，日本成為全球最大的DRAM生產國。原來價格虛高的DRAM內存模塊，價格暴降了90%。一顆兩年前還賣100美元的64K DRAM存儲芯片，現在只要5美元就能買到了，日本廠商還能賺錢。美國企業由於芯片成品率低、成本高，根本無法與日本競爭，因此陷入困境，而且由於DRAM價格暴跌，美國公司都沒錢研發更先進的DRAM，紛紛退出該行業。日本自然成了DRAM霸主，佔有90%的市場。
不過好景不長，因為美國公司的利益受損，美國政府開始對日本進行反傾銷審查，制定各種打壓政策。而且，一旦進入到了大規模生產階段，量產導致了價格戰，80年代末，DRAM價格大跌，日本公司紛紛進入虧損狀態，同時，日本房地產景氣，資金脫實向虛，導致研發資金不足，新品大大減少。
日本人炒房正瘋狂時， 韓國卻偷偷地對DRAM 下手了。韓國公司瘋狂投資研發DRAM，1992年，韓國三星坐上全球DRAM頭號交椅。此時，日本已經在這條賽道上完全喪失了競爭優勢，窮途末路的日本DRAM企業紛紛退出市場，1999年，剩下的NEC、日立、三菱DRAM部門合併成了一家爾必達，CEO阪本幸雄2002年赴任後，投入巨資建設新廠，好不容易開始賺錢，結果遭遇了2008年全球金融危機，爾必達之後每年鉅額虧損，政府貸款也打了水漂，2012年無奈破產，被美光收購。美光一接手，DRAM開始大漲，直到今天。日本再無DRAM，唯一倖存的是東芝的NAND Flash業務，不過東芝也已經滿頭包了，最近準備賣掉閃存業務還債了。
再將目光投向韓國，此時是一番完全不同的景象。1974年，美國摩托羅拉公司的韓裔半導體工程師姜基東博士，回到韓國海歸創業，後來被併入三星，直到1977年，三星完全收購該公司，變成三星半導體。1983年，三星創始人李秉喆籌措了1.33億美金開發DRAM，從奄奄一息的美光半導體陸續買到64Kb和256Kb DRAM的技術，但是仍然缺乏生產設備，因為日本拒絕對韓國技術轉讓。 三星最終如願以償，因為他們找到了個漏洞：在日本，夏普被歸類為消費電子公司，不是半導體企業，於是三星從夏普順利地購買到了半導體生產設備，順手挖了很多美國的韓裔工程師搞技術攻關，最終開始量產DRAM。
導讀 ： 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求；同時，宣告打破幾家國外廠商高度壟斷的行業格局。
首發Nand-flash 芯片
9月2日 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣佈，公司已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
作為中國首款64層3D NAND閃存，該產品將亮相IC China 2019紫光集團展臺。
長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。Xtacking可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。
長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示：“通過將Xtacking架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發週期和生產製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。”程衛華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將持續增長。長江存儲64層3D NAND閃存產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力
肩負中國NAND Flash破局重任
過去幾年，因為存儲產品的大幅漲價，讓大家正式認識到存儲的重要性，但這是一個被幾家廠商高度壟斷，而中國幾近空白的市場。
據資料顯示，三星，鎂光、SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND Flash市場供應，其中三星多年位居龍頭。
長江存儲就是為了打破這個局面而生的。
從無到有，長江存儲是中國第一艘衝破國際巨頭壟斷的存儲基地，堪稱中國集成電路產業向空白地帶探索的一艘航空母艦。2016年7月，由紫光集團、國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎上組建長江存儲。其中紫光集團出資197億元，佔股51.04%，從而對長江存儲形成控股。作為一家集芯片設計、工藝研發、晶圓生產與測試、銷售服務於一體的半導體存儲器企業，長江存儲為全球客戶提供先進的存儲產品和解決方案，廣泛應用在移動通信，計算機，數據中心和消費電子等領域。長江存儲以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產製造能力為基礎，採取自主研發與國際合作雙輪驅動的方式，已於2017年研製成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，填補了國內空白。公司3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建築，核心廠區佔地面積約1717畝，預計項目建成後總產能將達到30萬片/月，2023年年產值達1000億人民幣。
半導體存儲行業風雲史
最早的存儲芯片是DRAM芯片 僅有1Kbit , 是Intel於1970年10月，推出了，售價10美元（相當於今天的60美元），標誌著DRAM內存時代的到來。到1974年，英特爾佔據了全球82.9%的DRAM市場份額。1973年，德州儀器開始對Intel的內存芯片進行反向工程，仿製並研發出自己的產品，4Kb DRAM，成本更低，行業競爭開始加劇。與此同時，幾個德州儀器的人成立的公司Mostek於1976年推出了更便宜的16Kb DRAM，擊敗Intel，一下子佔據全球75%的市場。1978年，又有幾個Mostek的工程師在地下室創辦了後來大名鼎鼎的美光科技（Micron），生產64Kb DRAM。今天的美光是全球最大的半導體儲存及影像產品製造商之一，世界500強。
美國內企業打得火熱的時候，真正的敵人卻在大洋彼岸崛起。80年代初，日本公司進入了DRAM產業，靠著大量低成本廉價傾銷，直接給了美國公司致命一擊。其結果是Intel持續虧損，在生死存亡之際靠CPU翻身。Mostek以3.45億美元（還是挺多錢的）賣給了UTC，後來轉投意法半導體門下，美光靠著政府幫助活了下來。
為什麼日本能在這麼短的時間內崛起為世界第一，美國公司的幫助功不可沒。在朝鮮戰爭後，美國為了拉攏日本對抗蘇聯，給日本轉移了很多尖端技術，比如電視機、收音機、錄音機、計算器、電冰箱、洗衣機等，現在有名的日立、三菱、東芝、NEC、松下、三洋、富士通、索尼、夏普等都是靠這時候的廉價專利技術興起的。這個時期的日本，跟今天的中國一樣很重視產業升級，組織了龐大的資金池和技術攻關隊伍，對關鍵半導體技術進行攻關。不僅如此，日通過市場換技術的伎倆，引誘美國公司來日本投資，1968年4月，由日本索尼社長井深大出面，與德州儀器董事長哈格蒂（P.E.Haggerty）簽署協議，雙方各佔股50%，設立合資公司。
日本在仿製美國先進技術的道路上，優先選擇了利潤高的，容易量產的DRAM方向。於是,開始投入巨資和人力研發更大容量DRAM，最終的結局就是，日本DRAM質量好，容量大，價格還便宜，美國企業望塵莫及。1982年，日本成為全球最大的DRAM生產國。原來價格虛高的DRAM內存模塊，價格暴降了90%。一顆兩年前還賣100美元的64K DRAM存儲芯片，現在只要5美元就能買到了，日本廠商還能賺錢。美國企業由於芯片成品率低、成本高，根本無法與日本競爭，因此陷入困境，而且由於DRAM價格暴跌，美國公司都沒錢研發更先進的DRAM，紛紛退出該行業。日本自然成了DRAM霸主，佔有90%的市場。
不過好景不長，因為美國公司的利益受損，美國政府開始對日本進行反傾銷審查，制定各種打壓政策。而且，一旦進入到了大規模生產階段，量產導致了價格戰，80年代末，DRAM價格大跌，日本公司紛紛進入虧損狀態，同時，日本房地產景氣，資金脫實向虛，導致研發資金不足，新品大大減少。
日本人炒房正瘋狂時， 韓國卻偷偷地對DRAM 下手了。韓國公司瘋狂投資研發DRAM，1992年，韓國三星坐上全球DRAM頭號交椅。此時，日本已經在這條賽道上完全喪失了競爭優勢，窮途末路的日本DRAM企業紛紛退出市場，1999年，剩下的NEC、日立、三菱DRAM部門合併成了一家爾必達，CEO阪本幸雄2002年赴任後，投入巨資建設新廠，好不容易開始賺錢，結果遭遇了2008年全球金融危機，爾必達之後每年鉅額虧損，政府貸款也打了水漂，2012年無奈破產，被美光收購。美光一接手，DRAM開始大漲，直到今天。日本再無DRAM，唯一倖存的是東芝的NAND Flash業務，不過東芝也已經滿頭包了，最近準備賣掉閃存業務還債了。
再將目光投向韓國，此時是一番完全不同的景象。1974年，美國摩托羅拉公司的韓裔半導體工程師姜基東博士，回到韓國海歸創業，後來被併入三星，直到1977年，三星完全收購該公司，變成三星半導體。1983年，三星創始人李秉喆籌措了1.33億美金開發DRAM，從奄奄一息的美光半導體陸續買到64Kb和256Kb DRAM的技術，但是仍然缺乏生產設備，因為日本拒絕對韓國技術轉讓。 三星最終如願以償，因為他們找到了個漏洞：在日本，夏普被歸類為消費電子公司，不是半導體企業，於是三星從夏普順利地購買到了半導體生產設備，順手挖了很多美國的韓裔工程師搞技術攻關，最終開始量產DRAM。
三星的DRAM量產是以虧損開始，1985年後，DRAM價格大跌，三星的成本比價格還高，1986年累計虧損3億美金。靠美國的貿易政策幫忙，才讓三星1987年實現盈利。韓國政府的產業資本也支持三星研發4Mb DRAM，併為1.1億美金研發經費提供了57%的資金。1989年量產4Mb DRAM後，三星最終走到了世界DRAM的技術前沿。
與此同時，韓國現代、LG、大宇等其他四大財團也陸續投入巨資進入DRAM產業，1982年至1986年間，韓國四大財團在DRAM領域，進行了超過15億美元的瘋狂投資，相當於同期臺灣投入的10倍。日本人為了和韓國企業競爭，以韓國DRAM成本一半的價格出售，但是，韓國企業扛住了這輪攻擊，還追加投資，同時藉助美國的反傾銷，反而讓日本公司玩不下去。1992年，韓國三星超越日本NEC，首次成為世界第一大DRAM內存製造商，並在其後連續蟬聯了25年世界第一。1992年，三星領先日本，推出世界第一個64Mb DRAM產品。從此，韓國在技術上領先日本。
現在，中國也意識到DRAM和閃存芯片的戰略意義，尤其是前段日期的內存價格飛漲，所以投入大量資本進入存儲芯片產業。紫光集團宣佈投資240億美元，在武漢建設長江存儲生產閃存芯片，計劃2018年月產能20萬片，2020年月產能30萬片，2030年月產能100萬片。投資300億美元，在江蘇南京投資建設半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產能10萬片，主要生產3D閃存、DRAM芯片。福建晉華集團與臺灣聯華電子合作，一期投資370億元，在晉江建設12英寸晶圓DRAM廠，計劃2018年月產能6萬片， 2025年月產能24萬片。合肥長鑫投資494億（72億美元），2018年建成月產能12.5萬片。但願未來，中國能取代韓國，崛起為半導體存儲行業的龍頭老大。
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