碳化硅是製造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產業的“新發動機”。碳化硅材料實現量產後，將打破國外壟斷，推動國內5G芯片技術和生產能力的提升。
據公開資料顯示，以SiC碳化硅為代表的第三代半導體具有禁帶寬、熱導率高，擊穿場強高，飽和電子漂移速率高，化學性能穩定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優點，可廣泛用於製造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件，今後可以廣泛應用於大功率高頻電子器件、半導體發光二極管，以及諸如5G通訊、物流網等微波通訊領域，並被列入《國家中長期科學和技術發展規劃綱要》，在今後國民經濟的發展中佔有重要地位。
華為旗下的“哈勃科技投資”， 最近已悄然完成2次出手，而且均是對芯片半導體上下游的投資佈局。
碳化硅是製造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產業的“新發動機”。碳化硅材料實現量產後，將打破國外壟斷，推動國內5G芯片技術和生產能力的提升。
據公開資料顯示，以SiC碳化硅為代表的第三代半導體具有禁帶寬、熱導率高，擊穿場強高，飽和電子漂移速率高，化學性能穩定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優點，可廣泛用於製造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件，今後可以廣泛應用於大功率高頻電子器件、半導體發光二極管，以及諸如5G通訊、物流網等微波通訊領域，並被列入《國家中長期科學和技術發展規劃綱要》，在今後國民經濟的發展中佔有重要地位。
華為旗下的“哈勃科技投資”， 最近已悄然完成2次出手，而且均是對芯片半導體上下游的投資佈局。
一家名為山東天嶽，另一家叫作傑華特微電子，都是半導體領域名不見經傳、但又大有內涵的產業公司。
山東天嶽稱：公司是國家工信部主管下的中國寬禁帶半導體產業聯盟理事長單位，是中國戰略性新興產業企業理事聯盟副理事長單位。
碳化硅材料技術難度極高——全球僅4家量產，同時具備了導電型和高純半絕緣兩種工藝，尺寸覆蓋2-6英寸。而山東天嶽就是其中一家。
傑華特微電子，總部位於杭州，目前在美國、韓國，中國張家港、深圳、廈門等地設有分公司。傑華特微電子主攻功率管理芯片研究，為電力、通信、電動汽車等行業用戶提供系統的解決方案與產品服務，產品集中在電池管理，LED照明，DC/DC轉換器等方面。
碳化硅是製造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產業的“新發動機”。碳化硅材料實現量產後，將打破國外壟斷，推動國內5G芯片技術和生產能力的提升。
據公開資料顯示，以SiC碳化硅為代表的第三代半導體具有禁帶寬、熱導率高，擊穿場強高，飽和電子漂移速率高，化學性能穩定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優點，可廣泛用於製造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件，今後可以廣泛應用於大功率高頻電子器件、半導體發光二極管，以及諸如5G通訊、物流網等微波通訊領域，並被列入《國家中長期科學和技術發展規劃綱要》，在今後國民經濟的發展中佔有重要地位。
華為旗下的“哈勃科技投資”， 最近已悄然完成2次出手，而且均是對芯片半導體上下游的投資佈局。
一家名為山東天嶽，另一家叫作傑華特微電子，都是半導體領域名不見經傳、但又大有內涵的產業公司。
山東天嶽稱：公司是國家工信部主管下的中國寬禁帶半導體產業聯盟理事長單位，是中國戰略性新興產業企業理事聯盟副理事長單位。
碳化硅材料技術難度極高——全球僅4家量產，同時具備了導電型和高純半絕緣兩種工藝，尺寸覆蓋2-6英寸。而山東天嶽就是其中一家。
傑華特微電子，總部位於杭州，目前在美國、韓國，中國張家港、深圳、廈門等地設有分公司。傑華特微電子主攻功率管理芯片研究，為電力、通信、電動汽車等行業用戶提供系統的解決方案與產品服務，產品集中在電池管理，LED照明，DC/DC轉換器等方面。
哈勃科技兩次出手投資均與半導體產業相關。這也讓人聯想到華為在芯片領域迅速佈局，在美國打壓下，華為正圍繞芯片製造打造完整的供應能力。
“壓力”下的動力，希望華為的遠瞻和企業合力能為中國半導體產業的發展注一催化劑。