'固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來'

固態硬盤 技術 設計 PCEVA 2019-08-23
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提起SLC緩存,很多朋友是又愛又恨。正是在SLC緩存的幫助下,TLC固態硬盤才能獲得優秀的爆發寫入性能。

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提起SLC緩存,很多朋友是又愛又恨。正是在SLC緩存的幫助下,TLC固態硬盤才能獲得優秀的爆發寫入性能。

固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來

但同樣也是由於SLC緩存的存在,幾乎所有TLC固態硬盤都面臨著緩存用完後"掉速"的問題。

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提起SLC緩存,很多朋友是又愛又恨。正是在SLC緩存的幫助下,TLC固態硬盤才能獲得優秀的爆發寫入性能。

固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來

但同樣也是由於SLC緩存的存在,幾乎所有TLC固態硬盤都面臨著緩存用完後"掉速"的問題。

固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來

緩存在容量和性能之間的矛盾於QLC閃存中更為嚴峻。在前不久的FMS2019閃存峰會上,群聯介紹了為QLC閃存設計的動態編程模式,主控可根據情況選擇SLC緩存、MLC緩存甚至是TLC緩存:反正這些模式都比QLC寫入要快,只是大家要做好固態硬盤性能多變而古怪的準備了。

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提起SLC緩存,很多朋友是又愛又恨。正是在SLC緩存的幫助下,TLC固態硬盤才能獲得優秀的爆發寫入性能。

固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來

但同樣也是由於SLC緩存的存在,幾乎所有TLC固態硬盤都面臨著緩存用完後"掉速"的問題。

固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來

緩存在容量和性能之間的矛盾於QLC閃存中更為嚴峻。在前不久的FMS2019閃存峰會上,群聯介紹了為QLC閃存設計的動態編程模式,主控可根據情況選擇SLC緩存、MLC緩存甚至是TLC緩存:反正這些模式都比QLC寫入要快,只是大家要做好固態硬盤性能多變而古怪的準備了。

固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來

3D QLC的綜合性能會比前幾年的2D平面TLC更差一些。由於3D QLC需要多步編程才能完成寫入,即便用上4 Plane/die設計寫入速度依然令人捉急,數據緩存技術必不可少。

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提起SLC緩存,很多朋友是又愛又恨。正是在SLC緩存的幫助下,TLC固態硬盤才能獲得優秀的爆發寫入性能。

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但同樣也是由於SLC緩存的存在,幾乎所有TLC固態硬盤都面臨著緩存用完後"掉速"的問題。

固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來

緩存在容量和性能之間的矛盾於QLC閃存中更為嚴峻。在前不久的FMS2019閃存峰會上,群聯介紹了為QLC閃存設計的動態編程模式,主控可根據情況選擇SLC緩存、MLC緩存甚至是TLC緩存:反正這些模式都比QLC寫入要快,只是大家要做好固態硬盤性能多變而古怪的準備了。

固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來

3D QLC的綜合性能會比前幾年的2D平面TLC更差一些。由於3D QLC需要多步編程才能完成寫入,即便用上4 Plane/die設計寫入速度依然令人捉急,數據緩存技術必不可少。

固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來

但理論上QLC能提供比TLC多33%的存儲空間,對於提升存儲容量很有幫助,未來一段時間裡TLC打高端性能、QLC比超大容量的定位已經基本確立。

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但同樣也是由於SLC緩存的存在,幾乎所有TLC固態硬盤都面臨著緩存用完後"掉速"的問題。

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緩存在容量和性能之間的矛盾於QLC閃存中更為嚴峻。在前不久的FMS2019閃存峰會上,群聯介紹了為QLC閃存設計的動態編程模式,主控可根據情況選擇SLC緩存、MLC緩存甚至是TLC緩存:反正這些模式都比QLC寫入要快,只是大家要做好固態硬盤性能多變而古怪的準備了。

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3D QLC的綜合性能會比前幾年的2D平面TLC更差一些。由於3D QLC需要多步編程才能完成寫入,即便用上4 Plane/die設計寫入速度依然令人捉急,數據緩存技術必不可少。

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但理論上QLC能提供比TLC多33%的存儲空間,對於提升存儲容量很有幫助,未來一段時間裡TLC打高端性能、QLC比超大容量的定位已經基本確立。

固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來

壽命方面,群聯給出的消息是3D QLC大約會提供1000次擦寫循環,讀取干擾限制小於3000次,也就是說它比較容易遇到早期TLC固態硬盤讀取掉速的問題,需要固件進行定期的數據搬運與刷新來維持。

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提起SLC緩存,很多朋友是又愛又恨。正是在SLC緩存的幫助下,TLC固態硬盤才能獲得優秀的爆發寫入性能。

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但同樣也是由於SLC緩存的存在,幾乎所有TLC固態硬盤都面臨著緩存用完後"掉速"的問題。

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緩存在容量和性能之間的矛盾於QLC閃存中更為嚴峻。在前不久的FMS2019閃存峰會上,群聯介紹了為QLC閃存設計的動態編程模式,主控可根據情況選擇SLC緩存、MLC緩存甚至是TLC緩存:反正這些模式都比QLC寫入要快,只是大家要做好固態硬盤性能多變而古怪的準備了。

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3D QLC的綜合性能會比前幾年的2D平面TLC更差一些。由於3D QLC需要多步編程才能完成寫入,即便用上4 Plane/die設計寫入速度依然令人捉急,數據緩存技術必不可少。

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但理論上QLC能提供比TLC多33%的存儲空間,對於提升存儲容量很有幫助,未來一段時間裡TLC打高端性能、QLC比超大容量的定位已經基本確立。

固態硬盤跑分易注水?QLC固態硬盤的緩存技術玩出花來

壽命方面,群聯給出的消息是3D QLC大約會提供1000次擦寫循環,讀取干擾限制小於3000次,也就是說它比較容易遇到早期TLC固態硬盤讀取掉速的問題,需要固件進行定期的數據搬運與刷新來維持。

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