對於那些不想深思熟慮的人來說，購買內存是一個簡單的過程。無論是通過網店還是線下。如果你不知道自己該用多少內存，也可以向我諮詢。對於大多數用戶和遊戲玩家來說，16GB應該是最佳選擇了。

但是對於那些之前沒有購買過內存，或者自從前幾年持續的價格上漲以來沒有購買過內存的人來說，瞭解內存基礎知識可以讓你更好的去選擇自己需要的內存。

我們今天將重點說下DDR4，因為這是在過去幾年甚至未來幾年你會經常遇到的。

內存的組成

1：DIMM，DIMM代表雙列直插式內存模塊，現在的DIMM有兩個64位接口，每側一個，

通常作為臺式機的UDIMM（也稱為DIMM，長DIMM等）或筆記本電腦的SODIMM（小型DIMM）。一些緊湊型臺式機主板使用SODIMM，一般為主板設計上的四個模塊騰出空間，否則只能支持兩個模塊。

2: SDRAM，SDRAM代表同步動態隨機存取存儲器以與電子表格類似的方式組織在單元格的行和列中，隨機存取存儲器能夠以存儲器控制器指示的任何順序訪問任何這些單元。隨機只是意味著內存控制器不需要讀取整行來解析相關列中的數據。動態意味著必須連續刷新每個單元以防止數據丟失，而靜態存儲器通常要慢得多。

3: 頻率，頻率是模塊發送和接收數據的每秒（頻率）的次數。時鐘信號類似於方波，雙倍數據速率僅表示數據在時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸。以這種方式加倍數據速率允許（例如：1600MHz波每秒傳輸3200次數據）。由於DDR數據頻率是其時鐘頻率的兩倍，因此通常使用術語MT / s（每秒兆次傳輸）來引用它。

4: DDR4，DDR4是第四代雙倍數據速率存儲器，其中每一代都增加了基本標準的頻率，容量和一些其他規格。

5：芯片，IC或集成電路是大多數人稱之為“芯片”的術語.DRAM IC通常具有8位接口，但有些具有16位接口。

6：秩，秩是閃存行業選擇代表我們大多數人認為的存儲模塊的存儲體或側面的術語。從上面的術語“DIMM”開始，rank是連接到模塊的兩個64位接口之一的IC集合。

內存頻率：越高越好

毫無疑問，更高的內存頻率可以讓每單位時間傳輸更多數據，但內存控制器可以支持的頻率有限。今天大多數高端臺式機CPU都可以使用DDR4-3600，並且還可以通過超頻獲得更高的頻率。當然如果你還想要更快的內存，就需要更換更高端的處理器和主板。下面給大家簡單講下AMD和intel平臺的常用內存頻率。

AMD的 Ryzen 3000系列處理器可以完美的運行DDR4-3600或更高的頻率，但該公司已對基本固件進行編碼限制，導致內存控制器以半速運行，通過對G.Skill的Trident Z RGB DDR4-3600的初步測試，當設置DDR4-3433時明顯性能會下降，因為AMD的默認控制器限制降低了頻率，但當禁用這些限制再次測試時DDR4-3433的性能就會提高。

英特爾的LGA 1151處理器具有穩定性超過DDR4-3600內存的控制器，但該公司找到了一種方法來讓非Z系列芯片組主板上的任何CPU（甚至是K系列）鎖定內存頻率。簡單的說就是隻要不是Z系列（如Z370/Z390）的主板那麼你內存頻率就只能到2666赫茲，想要使用超過2666赫茲的內存只能使用Z系列主板。

簡而言之，只要沒有與主板相關的問題，Ryzen 3000系列處理器會完全支持DDR4-3600，intel處理器就必須使用Z系列主板才能達到2666赫茲以上的內存頻率。

內存延遲：越低越好

延遲是指內存操作啟動所需的時間，並且有可能會讓這個指標在幾十年內不會發生變化。比如DDR4-3200和普通的PC-100都是如此，一套DDR4-3200的 CAS延遲 為10ns。當了解完內存單元是按列和行佈局的，就會知道該如何定義主時序。

1：CAS：當正確的行已經打開時，訪問新列中的數據所需的時鐘週期數。

2：tRCD：內存控制器必須等待新行打開的最小時鐘週期數。

3：tRP：內存控制器必須等待當前行關閉的最小時鐘週期數。

4：tRAS：內存控制器在打開和關閉行之間必須等待的最小時鐘週期數。

5：CMD：必須提供指令的週期數，以確保它被存儲器讀取。典型值為1T和2T。

假設已經打開了正確的內存行，CAS就是訪問下一位內存所需的時間。如果所有行都關閉，則訪問單元格需要先打開一行，然後找到正確的列（tRCD + tCAS）。如果錯誤的行打開，則訪問存儲器單元需要關閉當前行，再打開正確的行，並在新行中找到正確的列（tRAS + tRCD + tCAS）。最後，當命令速率從1T增加到2T時，每個存儲器命令都需要額外的時鐘週期。

上面提到了“時間”這個詞，但只說了了時鐘週期，因為延遲是按時間測量的，但是在時鐘週期中指定。這就得到了PC-100和DDR4-3200如何具有相同延遲的問題。比如100 MHz時鐘週期需要10ns（10納秒），因此PC-100 CAS 1至少需要10ns才能訪問數據。同時，DDR4-3200的工作頻率為1600 MHz，1600 MHz時鐘週期僅為0.625ns。這意味著DDR4-3200 CAS 16至少需要1625次0.625ns來訪問數據，這仍然是10ns。

由於時鐘週期的時間與頻率成反比，因此存儲器越快，達到我們的中間標準10ns所需的時鐘週期就越多。DDR4-3600可在18個週期內完成。DDR4-4000可在20個週期內完成。削減低於該標準的訪問時間需要更少的每個頻率延遲週期，因此DDR4-3200 C14（8.75ns）和DDR4-3600 C16（8.89ns）都超過了我們的中間標準。

結語

從2015年到今天生產的大多數DDR4內存使用8Gb的容量，大多數存儲器IC具有8位接口，8個8位IC可用於填充單個64位等級，8個8Gb IC的總容量為8GB（8千兆字節），大多數32GB內存套裝是由四條8G內存組成。

目前對16Gb容量的IC的需求太高，以至於企業不能浪費它們生產單級16GB模塊。如上所述，使用兩排8Gb IC製作16GB模塊。

消費類32GB模塊使用兩排16Gb IC，因此兩個32GB DIMM構成一個64GB雙通道套件，有四條內存。

目前的4GB模塊主要使用四個8Gb IC，每個IC都有一個16位接口。創建4G容量需要其中四個。

在CPU和主板的限制範圍內，更高的內存頻率可提高性能。較低的延遲在不增加頻率的情況下四條內存的性能優於兩條，比如32GB的DDR4-3200一般高於16GB的DDR4-3600。

現在已經向你們介紹了電腦內存的一些細節，你應該瞭解更多關於你正在購買或準備購買的內存。不管怎樣，請隨時參考網上資料或向客服諮詢清楚再購買。