'DRAM發明者Robert Dennard獲得2019諾伊斯獎'
諾伊斯獎是由SIA（半導體行業協會）頒發的半導體行業最高榮譽獎，為了紀念集成電路發明者，同時也是仙童半導體和英特爾的聯合創始人，半導體行業先驅Robert N. Noyce而設立的獎項，以表彰為半導體行業在技術或公共政策方面做出傑出貢獻的領導者。
不久前，SIA官方發佈消息，表示DRAM發明者、縮放物理學奠基人Robert Dennard，被評為2019年SIA最高榮譽Robert N.諾伊斯獎。
諾伊斯獎是由SIA（半導體行業協會）頒發的半導體行業最高榮譽獎，為了紀念集成電路發明者，同時也是仙童半導體和英特爾的聯合創始人，半導體行業先驅Robert N. Noyce而設立的獎項，以表彰為半導體行業在技術或公共政策方面做出傑出貢獻的領導者。
不久前，SIA官方發佈消息，表示DRAM發明者、縮放物理學奠基人Robert Dennard，被評為2019年SIA最高榮譽Robert N.諾伊斯獎。
“Dennard博世發明的DRAM支持現代社會無處不在的計算機，智能手機，平板電腦和其他電子設備。“ SIA總裁兼首席執行官John Neuffer說。“Dennard還率先推出了縮放物理學，這使得半導體行業能夠以更低的成本生產出更高級的產品，Dennard的貢獻徹底改變了我們的行業。“
諾伊斯獎是由SIA（半導體行業協會）頒發的半導體行業最高榮譽獎，為了紀念集成電路發明者，同時也是仙童半導體和英特爾的聯合創始人，半導體行業先驅Robert N. Noyce而設立的獎項，以表彰為半導體行業在技術或公共政策方面做出傑出貢獻的領導者。
不久前，SIA官方發佈消息，表示DRAM發明者、縮放物理學奠基人Robert Dennard，被評為2019年SIA最高榮譽Robert N.諾伊斯獎。
“Dennard博世發明的DRAM支持現代社會無處不在的計算機，智能手機，平板電腦和其他電子設備。“ SIA總裁兼首席執行官John Neuffer說。“Dennard還率先推出了縮放物理學，這使得半導體行業能夠以更低的成本生產出更高級的產品，Dennard的貢獻徹底改變了我們的行業。“
Dennard於1966年發明了動態隨機存取存儲器（DRAM）單元，他於1968年獲得了單晶體管DRAM的專利。到了20世紀70年代中期，DRAM幾乎成為所有計算機的標準配置。
Dennard還領導了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）縮放規則的開發。他和他的同事是最早認識到縮小MOSFET尺寸的巨大潛力的人之一，隨著晶體管、導線和電路電壓變小，集成電路的能耗將大大降低。這個屬性是摩爾定律和幾十年來微電子技術發展的基礎。
在他的職業生涯中，Dennard的工作已經獲得了75項專利，100多篇已發表的論文和眾多獎項，包括京都獎（2013年），卡內基梅隆大學榮譽科學技術博士（2010年），IEEE榮譽勳章（ 2009），IEEE Edison Medal（2001）和國家工程院Charles Stark Draper獎（2009）。他於1997年入選國家發明家名人堂，並於2005年獲得Lemelson-MIT終身成就獎。
諾伊斯獎是由SIA（半導體行業協會）頒發的半導體行業最高榮譽獎，為了紀念集成電路發明者，同時也是仙童半導體和英特爾的聯合創始人，半導體行業先驅Robert N. Noyce而設立的獎項，以表彰為半導體行業在技術或公共政策方面做出傑出貢獻的領導者。
不久前，SIA官方發佈消息，表示DRAM發明者、縮放物理學奠基人Robert Dennard，被評為2019年SIA最高榮譽Robert N.諾伊斯獎。
“Dennard博世發明的DRAM支持現代社會無處不在的計算機，智能手機，平板電腦和其他電子設備。“ SIA總裁兼首席執行官John Neuffer說。“Dennard還率先推出了縮放物理學，這使得半導體行業能夠以更低的成本生產出更高級的產品，Dennard的貢獻徹底改變了我們的行業。“
Dennard於1966年發明了動態隨機存取存儲器（DRAM）單元，他於1968年獲得了單晶體管DRAM的專利。到了20世紀70年代中期，DRAM幾乎成為所有計算機的標準配置。
Dennard還領導了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）縮放規則的開發。他和他的同事是最早認識到縮小MOSFET尺寸的巨大潛力的人之一，隨著晶體管、導線和電路電壓變小，集成電路的能耗將大大降低。這個屬性是摩爾定律和幾十年來微電子技術發展的基礎。
在他的職業生涯中，Dennard的工作已經獲得了75項專利，100多篇已發表的論文和眾多獎項，包括京都獎（2013年），卡內基梅隆大學榮譽科學技術博士（2010年），IEEE榮譽勳章（ 2009），IEEE Edison Medal（2001）和國家工程院Charles Stark Draper獎（2009）。他於1997年入選國家發明家名人堂，並於2005年獲得Lemelson-MIT終身成就獎。
Dennard在達拉斯南方衛理公會大學獲得電氣工程碩士學位，並從卡內基理工學院（現為CMU）獲得博士學位，之後加入IBM研究院，他於1979年被任命為IBM院士。
Dennard說：“我很榮幸有機會並與其他真正的傳奇人物和行業傑出人士共獲此殊榮。儘管我的職業生涯一直令人欣慰，但我最為自豪的是與共同推動半導體技術的人們建立了合作關係。我很榮幸地與這些朋友，同事和導師一起接受這個獎項，並期待看到我們這個行業的偉大未來。“
諾伊斯獎是由SIA（半導體行業協會）頒發的半導體行業最高榮譽獎，為了紀念集成電路發明者，同時也是仙童半導體和英特爾的聯合創始人，半導體行業先驅Robert N. Noyce而設立的獎項，以表彰為半導體行業在技術或公共政策方面做出傑出貢獻的領導者。
不久前，SIA官方發佈消息，表示DRAM發明者、縮放物理學奠基人Robert Dennard，被評為2019年SIA最高榮譽Robert N.諾伊斯獎。
“Dennard博世發明的DRAM支持現代社會無處不在的計算機，智能手機，平板電腦和其他電子設備。“ SIA總裁兼首席執行官John Neuffer說。“Dennard還率先推出了縮放物理學，這使得半導體行業能夠以更低的成本生產出更高級的產品，Dennard的貢獻徹底改變了我們的行業。“
Dennard於1966年發明了動態隨機存取存儲器（DRAM）單元，他於1968年獲得了單晶體管DRAM的專利。到了20世紀70年代中期，DRAM幾乎成為所有計算機的標準配置。
Dennard還領導了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）縮放規則的開發。他和他的同事是最早認識到縮小MOSFET尺寸的巨大潛力的人之一，隨著晶體管、導線和電路電壓變小，集成電路的能耗將大大降低。這個屬性是摩爾定律和幾十年來微電子技術發展的基礎。
在他的職業生涯中，Dennard的工作已經獲得了75項專利，100多篇已發表的論文和眾多獎項，包括京都獎（2013年），卡內基梅隆大學榮譽科學技術博士（2010年），IEEE榮譽勳章（ 2009），IEEE Edison Medal（2001）和國家工程院Charles Stark Draper獎（2009）。他於1997年入選國家發明家名人堂，並於2005年獲得Lemelson-MIT終身成就獎。
Dennard在達拉斯南方衛理公會大學獲得電氣工程碩士學位，並從卡內基理工學院（現為CMU）獲得博士學位，之後加入IBM研究院，他於1979年被任命為IBM院士。
Dennard說：“我很榮幸有機會並與其他真正的傳奇人物和行業傑出人士共獲此殊榮。儘管我的職業生涯一直令人欣慰，但我最為自豪的是與共同推動半導體技術的人們建立了合作關係。我很榮幸地與這些朋友，同事和導師一起接受這個獎項，並期待看到我們這個行業的偉大未來。“
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