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天眼查顯示，華為旗下的哈勃科技投資有限公司，近日投資了山東天嶽先進材料科技有限公司，持股10%。
對於華為來說，材料領域的部署一直是戰略投資中重要的一環。
山東天嶽公司官網顯示，該公司成立2011年12月，是全球第四家碳化硅襯底材料量產的企業，同時具備了導電型和高純半絕緣兩種工藝。
近年來，新發展起來了第三代半導體材料--寬禁帶半導體材料，該類材料具有熱導率高、電子飽和速度高、擊穿電壓高、介電常數低等特點，這就從理論上保證了其較寬的適用範圍。目前，由其製作的器件工作溫度可達到600 ℃以上、抗輻照1×106 rad;小柵寬GaN HEMT 器件分別在4 GHz下，功率密度達到40 W/mm;在8 GHz，功率密度達到30 W/mm;在18 GHz，功率密度達到9.1 W/mm;在40 GHz，功率密度達到10.5 W/mm;在80.5 GHz，功率密度達到2.1 W/mm，等。因此，寬禁帶半導體技術已成為當今電子產業發展的新型動力。
半導體是許多工業整機設備的核心，普遍應用於計算機、通信、消費電子、汽車、工業/醫療、 軍事/政府等核心領域。根據 Semi 數據披露，半導體主要由四個組成部分組成：集成電路(約 佔 81%)，光電器件(約佔 10%)，分立器件(約佔 6%)，傳感器(約佔 3%)，因此通常將半導體 和集成電路等價。
中國是全球最大的半導體消費市場，半導體需求量全球佔比由2000 年的7%攀升至2016 年的42%，成為全球半導體市場的增長引擎。然而，大陸半導體產業發展與其龐大的市場需求並不匹配，IC 仍大程度依賴於進口。
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