來源：內容來自「航天771所先進封裝」，謝謝。
基於TSV技術的產品具有全局互連短、延遲小、靈活性高、高密度集成等優點，是先進封裝的核心技術，也是實現三維集成的最優途徑。近期，我所通過集智攻關，成功實現了TSV硅轉接板、等壁增長TSV、超大面陣凸點三種封裝形式產品的研製及小批量風險可控生產，良率達到業內水平，可靠性試驗滿足客戶要求，並通過了國內知名半導體公司二方審核。
七七一所先進封裝生產線通過優化原材料、設備、工藝、流程等，完成了TSV製備及填充、等壁電鍍RDL、多層再佈線、電鍍微凸點、無空洞迴流等工藝開發，並實現產品指標：TSV孔徑/孔深30μm /150μm、10μm /100μm、5μm /50μm；多層佈線層數3P4M；凸點直徑/高度70μm/90μm；單片凸點數量≥4000個。完成三種封裝形式產品小批量生產，為後續三維微系統集成提供了技術支撐，為產業可持續發展做好了技術保障。
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基於TSV技術的產品具有全局互連短、延遲小、靈活性高、高密度集成等優點，是先進封裝的核心技術，也是實現三維集成的最優途徑。近期，我所通過集智攻關，成功實現了TSV硅轉接板、等壁增長TSV、超大面陣凸點三種封裝形式產品的研製及小批量風險可控生產，良率達到業內水平，可靠性試驗滿足客戶要求，並通過了國內知名半導體公司二方審核。
七七一所先進封裝生產線通過優化原材料、設備、工藝、流程等，完成了TSV製備及填充、等壁電鍍RDL、多層再佈線、電鍍微凸點、無空洞迴流等工藝開發，並實現產品指標：TSV孔徑/孔深30μm /150μm、10μm /100μm、5μm /50μm；多層佈線層數3P4M；凸點直徑/高度70μm/90μm；單片凸點數量≥4000個。完成三種封裝形式產品小批量生產，為後續三維微系統集成提供了技術支撐，為產業可持續發展做好了技術保障。
圖1 孔徑/孔深:5μm /50μm TSV電鍍填充結果圖
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基於TSV技術的產品具有全局互連短、延遲小、靈活性高、高密度集成等優點，是先進封裝的核心技術，也是實現三維集成的最優途徑。近期，我所通過集智攻關，成功實現了TSV硅轉接板、等壁增長TSV、超大面陣凸點三種封裝形式產品的研製及小批量風險可控生產，良率達到業內水平，可靠性試驗滿足客戶要求，並通過了國內知名半導體公司二方審核。
七七一所先進封裝生產線通過優化原材料、設備、工藝、流程等，完成了TSV製備及填充、等壁電鍍RDL、多層再佈線、電鍍微凸點、無空洞迴流等工藝開發，並實現產品指標：TSV孔徑/孔深30μm /150μm、10μm /100μm、5μm /50μm；多層佈線層數3P4M；凸點直徑/高度70μm/90μm；單片凸點數量≥4000個。完成三種封裝形式產品小批量生產，為後續三維微系統集成提供了技術支撐，為產業可持續發展做好了技術保障。
圖1 孔徑/孔深:5μm /50μm TSV電鍍填充結果圖
圖2 孔徑/孔深: 30μm /150μm TSV硅轉接板剖面圖
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基於TSV技術的產品具有全局互連短、延遲小、靈活性高、高密度集成等優點，是先進封裝的核心技術，也是實現三維集成的最優途徑。近期，我所通過集智攻關，成功實現了TSV硅轉接板、等壁增長TSV、超大面陣凸點三種封裝形式產品的研製及小批量風險可控生產，良率達到業內水平，可靠性試驗滿足客戶要求，並通過了國內知名半導體公司二方審核。
七七一所先進封裝生產線通過優化原材料、設備、工藝、流程等，完成了TSV製備及填充、等壁電鍍RDL、多層再佈線、電鍍微凸點、無空洞迴流等工藝開發，並實現產品指標：TSV孔徑/孔深30μm /150μm、10μm /100μm、5μm /50μm；多層佈線層數3P4M；凸點直徑/高度70μm/90μm；單片凸點數量≥4000個。完成三種封裝形式產品小批量生產，為後續三維微系統集成提供了技術支撐，為產業可持續發展做好了技術保障。
圖1 孔徑/孔深:5μm /50μm TSV電鍍填充結果圖
圖2 孔徑/孔深: 30μm /150μm TSV硅轉接板剖面圖
圖3 晶圓級電鍍Copper Pillar凸點陣列圖
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基於TSV技術的產品具有全局互連短、延遲小、靈活性高、高密度集成等優點，是先進封裝的核心技術，也是實現三維集成的最優途徑。近期，我所通過集智攻關，成功實現了TSV硅轉接板、等壁增長TSV、超大面陣凸點三種封裝形式產品的研製及小批量風險可控生產，良率達到業內水平，可靠性試驗滿足客戶要求，並通過了國內知名半導體公司二方審核。
七七一所先進封裝生產線通過優化原材料、設備、工藝、流程等，完成了TSV製備及填充、等壁電鍍RDL、多層再佈線、電鍍微凸點、無空洞迴流等工藝開發，並實現產品指標：TSV孔徑/孔深30μm /150μm、10μm /100μm、5μm /50μm；多層佈線層數3P4M；凸點直徑/高度70μm/90μm；單片凸點數量≥4000個。完成三種封裝形式產品小批量生產，為後續三維微系統集成提供了技術支撐，為產業可持續發展做好了技術保障。
圖1 孔徑/孔深:5μm /50μm TSV電鍍填充結果圖
圖2 孔徑/孔深: 30μm /150μm TSV硅轉接板剖面圖
圖3 晶圓級電鍍Copper Pillar凸點陣列圖
圖4 晶圓級等壁生長RDL及Solder Bump剖面圖
*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。
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