芯片七納米制程，是指晶體管之間的間距是七納米，還是晶體管的尺寸是七納米？
在瞭解芯片的納米制程時，先來了解納米的含義，它就是一個長度單位，相當於0.000000001公分，可能我們對數字前面的0沒有感覺。假如一張紙的厚度是0.1毫米，要將這張紙的厚度切成10萬條線，也就相當於1納米。這個長度並不是晶體管的間距，而是晶體管內部電流從起點流向終點要經過一道閘門，而這個閘門的寬度就是芯片中所說的納米單位。
晶體管的閘門是整個電路的開關，控制著晶體管的電流。工作都要靠它來完成。當在斷開的狀態下就是0，連接的時候就是1，而硅中的電荷是分為兩種，在N極時就是負電子在活動，在P極時就是正電子在活動。也就是P極半導體排斥從N極來的電子，相當於0狀態，如果要想開啟晶體管，就需要向閘極增加很微少的正電壓來介入電子的活動。
在瞭解芯片的納米制程時，先來了解納米的含義，它就是一個長度單位，相當於0.000000001公分，可能我們對數字前面的0沒有感覺。假如一張紙的厚度是0.1毫米，要將這張紙的厚度切成10萬條線，也就相當於1納米。這個長度並不是晶體管的間距，而是晶體管內部電流從起點流向終點要經過一道閘門，而這個閘門的寬度就是芯片中所說的納米單位。
晶體管的閘門是整個電路的開關，控制著晶體管的電流。工作都要靠它來完成。當在斷開的狀態下就是0，連接的時候就是1，而硅中的電荷是分為兩種，在N極時就是負電子在活動，在P極時就是正電子在活動。也就是P極半導體排斥從N極來的電子，相當於0狀態，如果要想開啟晶體管，就需要向閘極增加很微少的正電壓來介入電子的活動。
芯片廠商為了追求極致的性能，希望晶體管閘門的寬度越窄越好。不過當到達14納米的時候，隔離層材料二氧化硅厚度不夠，控制能力就會變差，電流流過會產生流失，導致芯片的功耗過高，增加熱量，信號失真的問題。為了解決這些問題，芯片又要提高電壓，這種情況幾乎陷入了死循環，因此電流流失的問題不解決，功耗就一直存在。
工藝製程的提升都是將電晶體不斷的縮小，這樣做的目的就是為了能夠在很小的芯片內裝入更多的零件，性能提升，增加運算的速度。但這樣的發展是有極限的，製程並不能一直減小。在2014年的時候，三星就取得了14納米芯片的量產，這就標誌著開始進入3D晶體管時代。隨後三星對這項工藝不斷改進，第一代芯片用在了蘋果A9芯片上，第二代用在了自家的獵戶座 8890和高通的820。
在瞭解芯片的納米制程時，先來了解納米的含義，它就是一個長度單位，相當於0.000000001公分，可能我們對數字前面的0沒有感覺。假如一張紙的厚度是0.1毫米，要將這張紙的厚度切成10萬條線，也就相當於1納米。這個長度並不是晶體管的間距，而是晶體管內部電流從起點流向終點要經過一道閘門，而這個閘門的寬度就是芯片中所說的納米單位。
晶體管的閘門是整個電路的開關，控制著晶體管的電流。工作都要靠它來完成。當在斷開的狀態下就是0，連接的時候就是1，而硅中的電荷是分為兩種，在N極時就是負電子在活動，在P極時就是正電子在活動。也就是P極半導體排斥從N極來的電子，相當於0狀態，如果要想開啟晶體管，就需要向閘極增加很微少的正電壓來介入電子的活動。
芯片廠商為了追求極致的性能，希望晶體管閘門的寬度越窄越好。不過當到達14納米的時候，隔離層材料二氧化硅厚度不夠，控制能力就會變差，電流流過會產生流失，導致芯片的功耗過高，增加熱量，信號失真的問題。為了解決這些問題，芯片又要提高電壓，這種情況幾乎陷入了死循環，因此電流流失的問題不解決，功耗就一直存在。
工藝製程的提升都是將電晶體不斷的縮小，這樣做的目的就是為了能夠在很小的芯片內裝入更多的零件，性能提升，增加運算的速度。但這樣的發展是有極限的，製程並不能一直減小。在2014年的時候，三星就取得了14納米芯片的量產，這就標誌著開始進入3D晶體管時代。隨後三星對這項工藝不斷改進，第一代芯片用在了蘋果A9芯片上，第二代用在了自家的獵戶座 8890和高通的820。
手機芯片已進入了7納米時代，為了追求製程更高的芯片，科學家也在不斷的試驗，但材料是最大的問題。目前已在著手研究新型的納米晶體管技術，這種技術可以讓電流直接流入觸點，流動距離更短，直接與端口連接，體積更佔優勢。在生產的過程中，對溫度特別敏感，只能在低溫下進行晶體管的連接可以減小段差。測試表明，這些新技術比普通的晶體管速度更快，功耗降低，相信未來更多的設備能用到。
謝邀。
首先，我們先回答一個關於什麼是製程的問題。
在講這個之前，不得不說一個半導體界的黃金定律也就是摩爾定律，即當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。更直觀的體現便是節點大約每隔24個月便會縮小30%。
製程一般以特徵尺寸來體現，所謂的特徵尺寸就是原胞中的最小尺寸，通常以柵極的長度來表徵。因此，現在常說的製程是多少納米，其實質是柵極的最小長度是對應的納米數。
謝邀。
首先，我們先回答一個關於什麼是製程的問題。
在講這個之前，不得不說一個半導體界的黃金定律也就是摩爾定律，即當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。更直觀的體現便是節點大約每隔24個月便會縮小30%。
製程一般以特徵尺寸來體現，所謂的特徵尺寸就是原胞中的最小尺寸，通常以柵極的長度來表徵。因此，現在常說的製程是多少納米，其實質是柵極的最小長度是對應的納米數。
接著，我們看看巨頭們是對7nm如何定義的。通過查閱資料，兩家芯片生產巨頭，三星和臺積電的7nm製程的概述如下，從表中可以看出晶體管之間的間距其實是46nm。
謝邀。
首先，我們先回答一個關於什麼是製程的問題。
在講這個之前，不得不說一個半導體界的黃金定律也就是摩爾定律，即當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。更直觀的體現便是節點大約每隔24個月便會縮小30%。
製程一般以特徵尺寸來體現，所謂的特徵尺寸就是原胞中的最小尺寸，通常以柵極的長度來表徵。因此，現在常說的製程是多少納米，其實質是柵極的最小長度是對應的納米數。
接著，我們看看巨頭們是對7nm如何定義的。通過查閱資料，兩家芯片生產巨頭，三星和臺積電的7nm製程的概述如下，從表中可以看出晶體管之間的間距其實是46nm。
綜上所謂的製程是7nm，其實質是柵極的最小長度是7nm，而並非是晶體管的間隙或晶體管的尺寸是7nm。
參考資料：
https://en.wikipedia.org/wiki/7_nanometer
應該是導線線路寬度7納米吧？
不知道對不對。
外行人隨口一說(那尼)
芯片中的線路是通過極紫外光照射曝光，然後用蝕刻機腐蝕出一條溝槽，然後再向溝槽中注入導電材料，然後形成了一條導電線路，7納米就是這個溝槽的寬度即導線線路寬度。
所謂ASML光刻機，其功能就是把設計好的電路圖"啪"一下對著晶片上的膠層曝個光，曝光後輪到蝕刻機幹活了。
華為海思就是專門設計這個電路圖的。
荷蘭阿斯麥光刻機設備就是專門曝光的。
上海中微半導體設備就是專門刻電路圖的。
江豐電子專門提供濺射靶材的。
臺積電就是專門加工芯片的，
長川科技是專門生產芯片封測設備的。
長電科技是專門進行封裝測試的。
晶體管，二極管，三極管，CMOS，NMOS，PN結，基區，發射區，空穴，電子，臥槽看到標題嚇得我說出這麼多名詞，還好沒掛科
具體不懂，不過之前在哪看過，好像並沒有一個明確的規定，之前英特爾好像提出過一個公式，希望其他幾家用這個來命名，然而並沒有人鳥他。
早就已經不是傳統意義柵極間距等指標了，現在的製程已經脫離了所謂的摩爾定律，用的是等效物理製程。
所謂的製程是7nm，其實是柵極的最小長度是7nm，而非晶體管的間隙或晶體管的尺寸是7nm
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