近日，國產半導體廠商DRAM產業又添一名“猛將”，繼福建晉華、合肥長鑫、長江存儲之後，兆易創新也將開展工藝製程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發項目。詳情一起來了解！

我國DRAM產業又添了一名“猛將”

10月26日，兆易創新正式宣佈與合肥市產業投資控股(集團)有限公司簽署了《關於存儲器研發項目之合作協議》，雙方將在安徽省合肥市經濟技術開發區合作開展工藝製程 19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）研發項目（以下簡稱“本次合作”或“本項目”）。

該項目預算約為 180 億元人民幣，項目研發及生產的DRAM等優先供其公司銷售並滿足其客戶的市場需求，以及優先承接其DRAM產品的代工需求。

據悉，該項目開展工藝製程19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）的研發，目標是在 2018 年12 月 31 日前研發成功，即實現產品良率（測試電性良好的芯片佔整個晶圓的比例）不低於 10%。因此這次的合作，對國產DRAM產業無疑是一個重大的推進。

DRAM將獲得充足的產能供應

近年來，隨著國家不斷加大對存儲產業的建設、加強對數據信息安全存儲的重視，產業扶持政策和新項目投資都持續升溫。

從我國發布的《國家集成電路產業發展推進綱要》可以看到，截止目前為止國家大基金/華芯投資已投資50多個項目，40多家企業，中國集成電路產業前進的步伐正在進行中。

目前，存儲晶圓製造項目正在施工，擬建成業界先進工藝製程的DRAM存儲器晶圓研發項目，計劃2017年廠房建成，2018年上半年完成設備安裝和調試，預計下半年生產。

若項目順利實施，將可助力我國在DRAM存儲芯片上提高競爭力，以及獲得充足的產能供應，有效地填補我國高端DRAM製造業的空白。

存儲芯片國產化步伐正在加快

事實上，除了兆易創新，其他的DRAM企業的發展腳步也在加速。

早在去年7月份，臺灣晶圓代工廠聯電與我國福建晉華集成電路公司合作的12吋隨機存取記憶體（DRAM）生產線（晉華項目）就已正式開工。據報道，該項目1期擬投入53億美元，建設晶圓產線、產業鏈配套等，預計2018年9月試產，並達到月產6萬片的規模。

而東芯半導體，採用先進的24nm閃存工藝已成功研發出8Gb SLC/16Gb MLC NAND閃存產品，這標誌著我國已經具備以先進製程工藝來開發、設計及製造一系列閃存芯片的能力，進一步縮小了與國際廠商技術水平間的差距。

隨著國內硅格半導體等控制芯片設計廠商的不斷自我提升和超越，其在存儲行業製造、設計研發等能力方面正在微露鋒芒，未來在全球存儲市場將佔有一席之地，進一步加快存儲芯片國產化的步伐。

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