'聚合力、搭生態、促產業：攜手進擊5G中高頻'
文 | 《通信產業報》（網）全媒體記者 王欣
5G來臨，中高頻無疑成為商用主角。那麼，目前中高頻產業發展情況怎麼樣？未來將如何發展？
"文 | 《通信產業報》（網）全媒體記者 王欣
5G來臨，中高頻無疑成為商用主角。那麼，目前中高頻產業發展情況怎麼樣？未來將如何發展？
匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢。
8月7日，匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，來自政府、科研院所、運營商、企業的專家匯聚一堂，共同探討中國5G中高頻器件發展路徑。
多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢，而美國、日本等企業長期佔據優勢地位。但目前，國內中高頻器件產業鏈具備一定基礎，需要儘早形成產業合力，進行技術成果轉化，形成產業優勢。
突破寡頭壟斷
5G的諸多特性，無疑將給中高頻產業帶來無限商機。
"文 | 《通信產業報》（網）全媒體記者 王欣
5G來臨，中高頻無疑成為商用主角。那麼，目前中高頻產業發展情況怎麼樣？未來將如何發展？
匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢。
8月7日，匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，來自政府、科研院所、運營商、企業的專家匯聚一堂，共同探討中國5G中高頻器件發展路徑。
多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢，而美國、日本等企業長期佔據優勢地位。但目前，國內中高頻器件產業鏈具備一定基礎，需要儘早形成產業合力，進行技術成果轉化，形成產業優勢。
突破寡頭壟斷
5G的諸多特性，無疑將給中高頻產業帶來無限商機。
韋樂平在大會演講中表示，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
工信部通信科技委常務副主任韋樂平在大會演講中表示，5G比4G頻率高至少1倍、頻帶寬5倍、功率高5倍、速率高10倍、天線成倍增多等特性，將對5G終端的PA、濾波器、天線、開關和調諧器等產生重大影響。因此，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
同時，中國電子信息產業發展研究院集成電路所副所長朱邵歆也表示，5G通信將拉動中高頻器件需求，根據賽迪數據，預計2019年-2026年間，國內新建5G宏站數量將達475萬座，微基站數量將達950萬站，同時5G載波聚合將更為複雜，將從4G的雙載波聚合提升至5載波聚合，這導致濾波器、開關、PA、LNA需求量和複雜度將同比例增長。
目前，中高頻領域已經形成寡頭壟斷的局面，而美國、日本等企業長期佔據主導地位。
深圳市匯芯通信技術有限公司副總經理徐明偉表示，目前中高頻器件產業產品高度壟斷。諸如，器件方面，美國、日本企業佔據SWA濾波器、BWA濾波器、PA器件的大部分市場；半導體材料方面，砷化鎵的產能也高度壟斷，2018年全球砷化鎵元件市場（含IDM廠組件產值）總產值約為88.7億美元，前四大廠商佔比達到73.4%，分別為Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、穩懋半導體（6%）。
與此同時，在基站中高頻芯片的細分市場，也由於國外企業長年累月形成的軟硬件積累，形成壟斷優勢。
首先，軟件方面，從特色工藝、生產製造到產品設計的垂直整合技術積累，尤其是經年累月的技術的積累為此類企業提高技術門檻，保障從工藝——製造——設計的多重產品技術優勢。
其次，硬件方面，加載特色工藝的約數億至十億美元的專有製造工廠（FAB）資產積累，為多重技術優勢提供支持，而且基本完成設備折舊，讓企業沒有資產回報率包袱。
“目前，全國做中高頻器件的企業比較多，但是中高頻器件的發展，不應該遍地開花，而是要聚集實力，共同為產業發展做貢獻。”中國科學院院士劉明在致辭中表示。
進擊5G中高頻
為產業鏈合作提供平臺，聚集產業實力。今年4月，廣東省5G中高頻器件創新中心（以下簡稱5G創新中心）成立，其依託實體“深圳市匯芯通信技術有限公司”，由福田投控、南方科技大學、力合科創集團，以及20多家產業鏈龍頭企業和上市公司共同出資組建。
在大會現場，徐明偉發佈5G創新中心戰略，提出5G創新中心未來將重點致力於公共平臺建設和前沿共性技術研發。
"文 | 《通信產業報》（網）全媒體記者 王欣
5G來臨，中高頻無疑成為商用主角。那麼，目前中高頻產業發展情況怎麼樣？未來將如何發展？
匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢。
8月7日，匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，來自政府、科研院所、運營商、企業的專家匯聚一堂，共同探討中國5G中高頻器件發展路徑。
多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢，而美國、日本等企業長期佔據優勢地位。但目前，國內中高頻器件產業鏈具備一定基礎，需要儘早形成產業合力，進行技術成果轉化，形成產業優勢。
突破寡頭壟斷
5G的諸多特性，無疑將給中高頻產業帶來無限商機。
韋樂平在大會演講中表示，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
工信部通信科技委常務副主任韋樂平在大會演講中表示，5G比4G頻率高至少1倍、頻帶寬5倍、功率高5倍、速率高10倍、天線成倍增多等特性，將對5G終端的PA、濾波器、天線、開關和調諧器等產生重大影響。因此，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
同時，中國電子信息產業發展研究院集成電路所副所長朱邵歆也表示，5G通信將拉動中高頻器件需求，根據賽迪數據，預計2019年-2026年間，國內新建5G宏站數量將達475萬座，微基站數量將達950萬站，同時5G載波聚合將更為複雜，將從4G的雙載波聚合提升至5載波聚合，這導致濾波器、開關、PA、LNA需求量和複雜度將同比例增長。
目前，中高頻領域已經形成寡頭壟斷的局面，而美國、日本等企業長期佔據主導地位。
深圳市匯芯通信技術有限公司副總經理徐明偉表示，目前中高頻器件產業產品高度壟斷。諸如，器件方面，美國、日本企業佔據SWA濾波器、BWA濾波器、PA器件的大部分市場；半導體材料方面，砷化鎵的產能也高度壟斷，2018年全球砷化鎵元件市場（含IDM廠組件產值）總產值約為88.7億美元，前四大廠商佔比達到73.4%，分別為Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、穩懋半導體（6%）。
與此同時，在基站中高頻芯片的細分市場，也由於國外企業長年累月形成的軟硬件積累，形成壟斷優勢。
首先，軟件方面，從特色工藝、生產製造到產品設計的垂直整合技術積累，尤其是經年累月的技術的積累為此類企業提高技術門檻，保障從工藝——製造——設計的多重產品技術優勢。
其次，硬件方面，加載特色工藝的約數億至十億美元的專有製造工廠（FAB）資產積累，為多重技術優勢提供支持，而且基本完成設備折舊，讓企業沒有資產回報率包袱。
“目前，全國做中高頻器件的企業比較多，但是中高頻器件的發展，不應該遍地開花，而是要聚集實力，共同為產業發展做貢獻。”中國科學院院士劉明在致辭中表示。
進擊5G中高頻
為產業鏈合作提供平臺，聚集產業實力。今年4月，廣東省5G中高頻器件創新中心（以下簡稱5G創新中心）成立，其依託實體“深圳市匯芯通信技術有限公司”，由福田投控、南方科技大學、力合科創集團，以及20多家產業鏈龍頭企業和上市公司共同出資組建。
在大會現場，徐明偉發佈5G創新中心戰略，提出5G創新中心未來將重點致力於公共平臺建設和前沿共性技術研發。
具體來說，首先，公共服務平臺建設方面，5G創新中心將搭建從器件/材料研發-測試-封裝-中試的一體化公共服務平臺，為領域內企業提供全流程公共技術服務；其次，前沿和共性技術研發方面，匯芯通信已與合作伙伴開展了多個項目的產業協同與合作研發。在細分市場上加大投入，形成局部的壓倒性資源的優勢，解決產業鏈長期積累的問題。
工業和信息化部電子司調研員吳國綱在致辭中強調，5G創新中心要明確自己的定位，探索如何跟國內的合作伙伴進行融合。一定要堅持三心：要有信心、決心、恆心，同時還要有大局意識和合作意識，只有全行業共同努力，我們才能實現整體規劃的目標。
"文 | 《通信產業報》（網）全媒體記者 王欣
5G來臨，中高頻無疑成為商用主角。那麼，目前中高頻產業發展情況怎麼樣？未來將如何發展？
匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢。
8月7日，匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，來自政府、科研院所、運營商、企業的專家匯聚一堂，共同探討中國5G中高頻器件發展路徑。
多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢，而美國、日本等企業長期佔據優勢地位。但目前，國內中高頻器件產業鏈具備一定基礎，需要儘早形成產業合力，進行技術成果轉化，形成產業優勢。
突破寡頭壟斷
5G的諸多特性，無疑將給中高頻產業帶來無限商機。
韋樂平在大會演講中表示，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
工信部通信科技委常務副主任韋樂平在大會演講中表示，5G比4G頻率高至少1倍、頻帶寬5倍、功率高5倍、速率高10倍、天線成倍增多等特性，將對5G終端的PA、濾波器、天線、開關和調諧器等產生重大影響。因此，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
同時，中國電子信息產業發展研究院集成電路所副所長朱邵歆也表示，5G通信將拉動中高頻器件需求，根據賽迪數據，預計2019年-2026年間，國內新建5G宏站數量將達475萬座，微基站數量將達950萬站，同時5G載波聚合將更為複雜，將從4G的雙載波聚合提升至5載波聚合，這導致濾波器、開關、PA、LNA需求量和複雜度將同比例增長。
目前，中高頻領域已經形成寡頭壟斷的局面，而美國、日本等企業長期佔據主導地位。
深圳市匯芯通信技術有限公司副總經理徐明偉表示，目前中高頻器件產業產品高度壟斷。諸如，器件方面，美國、日本企業佔據SWA濾波器、BWA濾波器、PA器件的大部分市場；半導體材料方面，砷化鎵的產能也高度壟斷，2018年全球砷化鎵元件市場（含IDM廠組件產值）總產值約為88.7億美元，前四大廠商佔比達到73.4%，分別為Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、穩懋半導體（6%）。
與此同時，在基站中高頻芯片的細分市場，也由於國外企業長年累月形成的軟硬件積累，形成壟斷優勢。
首先，軟件方面，從特色工藝、生產製造到產品設計的垂直整合技術積累，尤其是經年累月的技術的積累為此類企業提高技術門檻，保障從工藝——製造——設計的多重產品技術優勢。
其次，硬件方面，加載特色工藝的約數億至十億美元的專有製造工廠（FAB）資產積累，為多重技術優勢提供支持，而且基本完成設備折舊，讓企業沒有資產回報率包袱。
“目前，全國做中高頻器件的企業比較多，但是中高頻器件的發展，不應該遍地開花，而是要聚集實力，共同為產業發展做貢獻。”中國科學院院士劉明在致辭中表示。
進擊5G中高頻
為產業鏈合作提供平臺，聚集產業實力。今年4月，廣東省5G中高頻器件創新中心（以下簡稱5G創新中心）成立，其依託實體“深圳市匯芯通信技術有限公司”，由福田投控、南方科技大學、力合科創集團，以及20多家產業鏈龍頭企業和上市公司共同出資組建。
在大會現場，徐明偉發佈5G創新中心戰略，提出5G創新中心未來將重點致力於公共平臺建設和前沿共性技術研發。
具體來說，首先，公共服務平臺建設方面，5G創新中心將搭建從器件/材料研發-測試-封裝-中試的一體化公共服務平臺，為領域內企業提供全流程公共技術服務；其次，前沿和共性技術研發方面，匯芯通信已與合作伙伴開展了多個項目的產業協同與合作研發。在細分市場上加大投入，形成局部的壓倒性資源的優勢，解決產業鏈長期積累的問題。
工業和信息化部電子司調研員吳國綱在致辭中強調，5G創新中心要明確自己的定位，探索如何跟國內的合作伙伴進行融合。一定要堅持三心：要有信心、決心、恆心，同時還要有大局意識和合作意識，只有全行業共同努力，我們才能實現整體規劃的目標。
中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）副院長黃子河在致辭中表示，5G創新中心最主要的使命是產業鏈的協同以及對產業力量的整合。此外，中國工程院院士陳良惠，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）第二屆學術委員會副主任、浙江省智能製造專家委員會主任、原浙江省人大常委會黨組副書記毛光烈，中國科學院院士劉明也都發表了精彩演講。
同時，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）副院長黃子河在致辭中表示，作為5G創新中心，一定要關注兩點：一是要把國內相關的力量整合和聚合起來，立足於深圳，同時要面向全國，走向世界；二是5G創新中心最主要的使命是產業鏈的協同以及對產業力量的整合。如果能很好的做到這兩點，在中高頻未來的競爭上，一定能使我們國家在全球佔領重要的一席之地。
促進產業化
要想真正實現在5G中高頻競爭中，佔有一席之地，還面臨諸多挑戰。
徐明偉表示，目前，國內產業鏈具備一定基礎，基站方面，濾波器和天線具有國產化供應鏈基本能力，功率放大器供應鏈還需努力，終端方面，功率放大器和濾波器潛力很大，尤其中高端產品需要高集成度產品。
在Sub-6G頻段，國內產業鏈面臨行業供給能力、產品投產量、良品率等挑戰；而毫米波頻段，面臨設計團隊分散、缺少有競爭力規模企業、製造能力稀缺、民用基礎相對薄弱。
對此，5G中高頻器件創新中心明確三大主要研發方向，即面向新型半導體材料及工藝共性關鍵技術產業化；基站中高頻功率放大器、濾波器、陣列天線等核心器件產業化關鍵技術；5G的基站、終端、硅基毫米波集成芯片設計關鍵技術。
同時，5G創新中心還希望能夠真正將技術研發成果轉化為成熟產品，突破“死亡之谷”。
據悉，由於細分芯片領域市場驗證和產品驗證的挑戰，從中試成果到首次量產的階段被稱細分芯片領域的“死亡之谷”。
徐明偉表示，5G中高頻器件創新中心的目標就是，在10年內成為國際領先的，以氮化物半導體為基礎的，中高頻器件量產技術研發平臺。
劉明表示，想要發展中高頻器件產業，必須先把產業鏈梳理清楚，產業要獨立才能良性發展，如何在長長的產業鏈裡做出自己的盈利模式，這一點非常重要。同時，中高頻器件要注重模塊的功能，大的融合一定會把射頻等很多功能融合起來，從技術的角度一定要早關注集成的方向。
因此，5G中高頻器件創新中心希望在一個大平臺的基礎上，進行生態建設，進行IPD濾波器、SAW/BAW濾波器、陶瓷濾波器等N個產品技術項目。近期規劃是面向Sub-6G頻段，進行量產設施、聯合開發和戰略合作；中長期規劃是面向毫米波，以自主設施為主，主導多邊戰略合作，形成領先的路線和能力。
同時，在會議現場，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）和匯芯通信“5G中高頻器件白皮書”啟動聯合編撰儀式。朱邵歆表示，《5G中高頻器件白皮書》預計將在2019年底發佈，白皮書在整體上從5G器件產業著手，在全球市場和世界趨勢的維度中去研究，推論提出產業面臨的問題和挑戰，通過這些研究和分析提出我們要解析產業的發展趨勢，促進技術的創新，促進產業的成長，促進產業的協同。
"文 | 《通信產業報》（網）全媒體記者 王欣
5G來臨，中高頻無疑成為商用主角。那麼，目前中高頻產業發展情況怎麼樣？未來將如何發展？
匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢。
8月7日，匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，來自政府、科研院所、運營商、企業的專家匯聚一堂，共同探討中國5G中高頻器件發展路徑。
多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢，而美國、日本等企業長期佔據優勢地位。但目前，國內中高頻器件產業鏈具備一定基礎，需要儘早形成產業合力，進行技術成果轉化，形成產業優勢。
突破寡頭壟斷
5G的諸多特性，無疑將給中高頻產業帶來無限商機。
韋樂平在大會演講中表示，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
工信部通信科技委常務副主任韋樂平在大會演講中表示，5G比4G頻率高至少1倍、頻帶寬5倍、功率高5倍、速率高10倍、天線成倍增多等特性，將對5G終端的PA、濾波器、天線、開關和調諧器等產生重大影響。因此，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
同時，中國電子信息產業發展研究院集成電路所副所長朱邵歆也表示，5G通信將拉動中高頻器件需求，根據賽迪數據，預計2019年-2026年間，國內新建5G宏站數量將達475萬座，微基站數量將達950萬站，同時5G載波聚合將更為複雜，將從4G的雙載波聚合提升至5載波聚合，這導致濾波器、開關、PA、LNA需求量和複雜度將同比例增長。
目前，中高頻領域已經形成寡頭壟斷的局面，而美國、日本等企業長期佔據主導地位。
深圳市匯芯通信技術有限公司副總經理徐明偉表示，目前中高頻器件產業產品高度壟斷。諸如，器件方面，美國、日本企業佔據SWA濾波器、BWA濾波器、PA器件的大部分市場；半導體材料方面，砷化鎵的產能也高度壟斷，2018年全球砷化鎵元件市場（含IDM廠組件產值）總產值約為88.7億美元，前四大廠商佔比達到73.4%，分別為Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、穩懋半導體（6%）。
與此同時，在基站中高頻芯片的細分市場，也由於國外企業長年累月形成的軟硬件積累，形成壟斷優勢。
首先，軟件方面，從特色工藝、生產製造到產品設計的垂直整合技術積累，尤其是經年累月的技術的積累為此類企業提高技術門檻，保障從工藝——製造——設計的多重產品技術優勢。
其次，硬件方面，加載特色工藝的約數億至十億美元的專有製造工廠（FAB）資產積累，為多重技術優勢提供支持，而且基本完成設備折舊，讓企業沒有資產回報率包袱。
“目前，全國做中高頻器件的企業比較多，但是中高頻器件的發展，不應該遍地開花，而是要聚集實力，共同為產業發展做貢獻。”中國科學院院士劉明在致辭中表示。
進擊5G中高頻
為產業鏈合作提供平臺，聚集產業實力。今年4月，廣東省5G中高頻器件創新中心（以下簡稱5G創新中心）成立，其依託實體“深圳市匯芯通信技術有限公司”，由福田投控、南方科技大學、力合科創集團，以及20多家產業鏈龍頭企業和上市公司共同出資組建。
在大會現場，徐明偉發佈5G創新中心戰略，提出5G創新中心未來將重點致力於公共平臺建設和前沿共性技術研發。
具體來說，首先，公共服務平臺建設方面，5G創新中心將搭建從器件/材料研發-測試-封裝-中試的一體化公共服務平臺，為領域內企業提供全流程公共技術服務；其次，前沿和共性技術研發方面，匯芯通信已與合作伙伴開展了多個項目的產業協同與合作研發。在細分市場上加大投入，形成局部的壓倒性資源的優勢，解決產業鏈長期積累的問題。
工業和信息化部電子司調研員吳國綱在致辭中強調，5G創新中心要明確自己的定位，探索如何跟國內的合作伙伴進行融合。一定要堅持三心：要有信心、決心、恆心，同時還要有大局意識和合作意識，只有全行業共同努力，我們才能實現整體規劃的目標。
中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）副院長黃子河在致辭中表示，5G創新中心最主要的使命是產業鏈的協同以及對產業力量的整合。此外，中國工程院院士陳良惠，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）第二屆學術委員會副主任、浙江省智能製造專家委員會主任、原浙江省人大常委會黨組副書記毛光烈，中國科學院院士劉明也都發表了精彩演講。
同時，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）副院長黃子河在致辭中表示，作為5G創新中心，一定要關注兩點：一是要把國內相關的力量整合和聚合起來，立足於深圳，同時要面向全國，走向世界；二是5G創新中心最主要的使命是產業鏈的協同以及對產業力量的整合。如果能很好的做到這兩點，在中高頻未來的競爭上，一定能使我們國家在全球佔領重要的一席之地。
促進產業化
要想真正實現在5G中高頻競爭中，佔有一席之地，還面臨諸多挑戰。
徐明偉表示，目前，國內產業鏈具備一定基礎，基站方面，濾波器和天線具有國產化供應鏈基本能力，功率放大器供應鏈還需努力，終端方面，功率放大器和濾波器潛力很大，尤其中高端產品需要高集成度產品。
在Sub-6G頻段，國內產業鏈面臨行業供給能力、產品投產量、良品率等挑戰；而毫米波頻段，面臨設計團隊分散、缺少有競爭力規模企業、製造能力稀缺、民用基礎相對薄弱。
對此，5G中高頻器件創新中心明確三大主要研發方向，即面向新型半導體材料及工藝共性關鍵技術產業化；基站中高頻功率放大器、濾波器、陣列天線等核心器件產業化關鍵技術；5G的基站、終端、硅基毫米波集成芯片設計關鍵技術。
同時，5G創新中心還希望能夠真正將技術研發成果轉化為成熟產品，突破“死亡之谷”。
據悉，由於細分芯片領域市場驗證和產品驗證的挑戰，從中試成果到首次量產的階段被稱細分芯片領域的“死亡之谷”。
徐明偉表示，5G中高頻器件創新中心的目標就是，在10年內成為國際領先的，以氮化物半導體為基礎的，中高頻器件量產技術研發平臺。
劉明表示，想要發展中高頻器件產業，必須先把產業鏈梳理清楚，產業要獨立才能良性發展，如何在長長的產業鏈裡做出自己的盈利模式，這一點非常重要。同時，中高頻器件要注重模塊的功能，大的融合一定會把射頻等很多功能融合起來，從技術的角度一定要早關注集成的方向。
因此，5G中高頻器件創新中心希望在一個大平臺的基礎上，進行生態建設，進行IPD濾波器、SAW/BAW濾波器、陶瓷濾波器等N個產品技術項目。近期規劃是面向Sub-6G頻段，進行量產設施、聯合開發和戰略合作；中長期規劃是面向毫米波，以自主設施為主，主導多邊戰略合作，形成領先的路線和能力。
同時，在會議現場，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）和匯芯通信“5G中高頻器件白皮書”啟動聯合編撰儀式。朱邵歆表示，《5G中高頻器件白皮書》預計將在2019年底發佈，白皮書在整體上從5G器件產業著手，在全球市場和世界趨勢的維度中去研究，推論提出產業面臨的問題和挑戰，通過這些研究和分析提出我們要解析產業的發展趨勢，促進技術的創新，促進產業的成長，促進產業的協同。
文 | 《通信產業報》（網）全媒體記者 王欣
5G來臨，中高頻無疑成為商用主角。那麼，目前中高頻產業發展情況怎麼樣？未來將如何發展？
匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢。
8月7日，匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，來自政府、科研院所、運營商、企業的專家匯聚一堂，共同探討中國5G中高頻器件發展路徑。
多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢，而美國、日本等企業長期佔據優勢地位。但目前，國內中高頻器件產業鏈具備一定基礎，需要儘早形成產業合力，進行技術成果轉化，形成產業優勢。
突破寡頭壟斷
5G的諸多特性，無疑將給中高頻產業帶來無限商機。
韋樂平在大會演講中表示，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
工信部通信科技委常務副主任韋樂平在大會演講中表示，5G比4G頻率高至少1倍、頻帶寬5倍、功率高5倍、速率高10倍、天線成倍增多等特性，將對5G終端的PA、濾波器、天線、開關和調諧器等產生重大影響。因此，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
同時，中國電子信息產業發展研究院集成電路所副所長朱邵歆也表示，5G通信將拉動中高頻器件需求，根據賽迪數據，預計2019年-2026年間，國內新建5G宏站數量將達475萬座，微基站數量將達950萬站，同時5G載波聚合將更為複雜，將從4G的雙載波聚合提升至5載波聚合，這導致濾波器、開關、PA、LNA需求量和複雜度將同比例增長。
目前，中高頻領域已經形成寡頭壟斷的局面，而美國、日本等企業長期佔據主導地位。
深圳市匯芯通信技術有限公司副總經理徐明偉表示，目前中高頻器件產業產品高度壟斷。諸如，器件方面，美國、日本企業佔據SWA濾波器、BWA濾波器、PA器件的大部分市場；半導體材料方面，砷化鎵的產能也高度壟斷，2018年全球砷化鎵元件市場（含IDM廠組件產值）總產值約為88.7億美元，前四大廠商佔比達到73.4%，分別為Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、穩懋半導體（6%）。
與此同時，在基站中高頻芯片的細分市場，也由於國外企業長年累月形成的軟硬件積累，形成壟斷優勢。
首先，軟件方面，從特色工藝、生產製造到產品設計的垂直整合技術積累，尤其是經年累月的技術的積累為此類企業提高技術門檻，保障從工藝——製造——設計的多重產品技術優勢。
其次，硬件方面，加載特色工藝的約數億至十億美元的專有製造工廠（FAB）資產積累，為多重技術優勢提供支持，而且基本完成設備折舊，讓企業沒有資產回報率包袱。
“目前，全國做中高頻器件的企業比較多，但是中高頻器件的發展，不應該遍地開花，而是要聚集實力，共同為產業發展做貢獻。”中國科學院院士劉明在致辭中表示。
進擊5G中高頻
為產業鏈合作提供平臺，聚集產業實力。今年4月，廣東省5G中高頻器件創新中心（以下簡稱5G創新中心）成立，其依託實體“深圳市匯芯通信技術有限公司”，由福田投控、南方科技大學、力合科創集團，以及20多家產業鏈龍頭企業和上市公司共同出資組建。
在大會現場，徐明偉發佈5G創新中心戰略，提出5G創新中心未來將重點致力於公共平臺建設和前沿共性技術研發。
具體來說，首先，公共服務平臺建設方面，5G創新中心將搭建從器件/材料研發-測試-封裝-中試的一體化公共服務平臺，為領域內企業提供全流程公共技術服務；其次，前沿和共性技術研發方面，匯芯通信已與合作伙伴開展了多個項目的產業協同與合作研發。在細分市場上加大投入，形成局部的壓倒性資源的優勢，解決產業鏈長期積累的問題。
工業和信息化部電子司調研員吳國綱在致辭中強調，5G創新中心要明確自己的定位，探索如何跟國內的合作伙伴進行融合。一定要堅持三心：要有信心、決心、恆心，同時還要有大局意識和合作意識，只有全行業共同努力，我們才能實現整體規劃的目標。
中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）副院長黃子河在致辭中表示，5G創新中心最主要的使命是產業鏈的協同以及對產業力量的整合。此外，中國工程院院士陳良惠，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）第二屆學術委員會副主任、浙江省智能製造專家委員會主任、原浙江省人大常委會黨組副書記毛光烈，中國科學院院士劉明也都發表了精彩演講。
同時，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）副院長黃子河在致辭中表示，作為5G創新中心，一定要關注兩點：一是要把國內相關的力量整合和聚合起來，立足於深圳，同時要面向全國，走向世界；二是5G創新中心最主要的使命是產業鏈的協同以及對產業力量的整合。如果能很好的做到這兩點，在中高頻未來的競爭上，一定能使我們國家在全球佔領重要的一席之地。
促進產業化
要想真正實現在5G中高頻競爭中，佔有一席之地，還面臨諸多挑戰。
徐明偉表示，目前，國內產業鏈具備一定基礎，基站方面，濾波器和天線具有國產化供應鏈基本能力，功率放大器供應鏈還需努力，終端方面，功率放大器和濾波器潛力很大，尤其中高端產品需要高集成度產品。
在Sub-6G頻段，國內產業鏈面臨行業供給能力、產品投產量、良品率等挑戰；而毫米波頻段，面臨設計團隊分散、缺少有競爭力規模企業、製造能力稀缺、民用基礎相對薄弱。
對此，5G中高頻器件創新中心明確三大主要研發方向，即面向新型半導體材料及工藝共性關鍵技術產業化；基站中高頻功率放大器、濾波器、陣列天線等核心器件產業化關鍵技術；5G的基站、終端、硅基毫米波集成芯片設計關鍵技術。
同時，5G創新中心還希望能夠真正將技術研發成果轉化為成熟產品，突破“死亡之谷”。
據悉，由於細分芯片領域市場驗證和產品驗證的挑戰，從中試成果到首次量產的階段被稱細分芯片領域的“死亡之谷”。
徐明偉表示，5G中高頻器件創新中心的目標就是，在10年內成為國際領先的，以氮化物半導體為基礎的，中高頻器件量產技術研發平臺。
劉明表示，想要發展中高頻器件產業，必須先把產業鏈梳理清楚，產業要獨立才能良性發展，如何在長長的產業鏈裡做出自己的盈利模式，這一點非常重要。同時，中高頻器件要注重模塊的功能，大的融合一定會把射頻等很多功能融合起來，從技術的角度一定要早關注集成的方向。
因此，5G中高頻器件創新中心希望在一個大平臺的基礎上，進行生態建設，進行IPD濾波器、SAW/BAW濾波器、陶瓷濾波器等N個產品技術項目。近期規劃是面向Sub-6G頻段，進行量產設施、聯合開發和戰略合作；中長期規劃是面向毫米波，以自主設施為主，主導多邊戰略合作，形成領先的路線和能力。
同時，在會議現場，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）和匯芯通信“5G中高頻器件白皮書”啟動聯合編撰儀式。朱邵歆表示，《5G中高頻器件白皮書》預計將在2019年底發佈，白皮書在整體上從5G器件產業著手，在全球市場和世界趨勢的維度中去研究，推論提出產業面臨的問題和挑戰，通過這些研究和分析提出我們要解析產業的發展趨勢，促進技術的創新，促進產業的成長，促進產業的協同。
文 | 《通信產業報》（網）全媒體記者 王欣
5G來臨，中高頻無疑成為商用主角。那麼，目前中高頻產業發展情況怎麼樣？未來將如何發展？
匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢。
8月7日，匯芯（中國）產業技術發展論壇在深圳召開，來自政府、科研院所、運營商、企業的專家匯聚一堂，共同探討中國5G中高頻器件發展路徑。
多位專家在演講中表示，中高頻器件已經形成寡頭壟斷趨勢，而美國、日本等企業長期佔據優勢地位。但目前，國內中高頻器件產業鏈具備一定基礎，需要儘早形成產業合力，進行技術成果轉化，形成產業優勢。
突破寡頭壟斷
5G的諸多特性，無疑將給中高頻產業帶來無限商機。
韋樂平在大會演講中表示，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
工信部通信科技委常務副主任韋樂平在大會演講中表示，5G比4G頻率高至少1倍、頻帶寬5倍、功率高5倍、速率高10倍、天線成倍增多等特性，將對5G終端的PA、濾波器、天線、開關和調諧器等產生重大影響。因此，5G時代，中高頻器件和射頻前端的出貨量將增加、售價將提升2——3倍、市場規模將擴大。
同時，中國電子信息產業發展研究院集成電路所副所長朱邵歆也表示，5G通信將拉動中高頻器件需求，根據賽迪數據，預計2019年-2026年間，國內新建5G宏站數量將達475萬座，微基站數量將達950萬站，同時5G載波聚合將更為複雜，將從4G的雙載波聚合提升至5載波聚合，這導致濾波器、開關、PA、LNA需求量和複雜度將同比例增長。
目前，中高頻領域已經形成寡頭壟斷的局面，而美國、日本等企業長期佔據主導地位。
深圳市匯芯通信技術有限公司副總經理徐明偉表示，目前中高頻器件產業產品高度壟斷。諸如，器件方面，美國、日本企業佔據SWA濾波器、BWA濾波器、PA器件的大部分市場；半導體材料方面，砷化鎵的產能也高度壟斷，2018年全球砷化鎵元件市場（含IDM廠組件產值）總產值約為88.7億美元，前四大廠商佔比達到73.4%，分別為Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、穩懋半導體（6%）。
與此同時，在基站中高頻芯片的細分市場，也由於國外企業長年累月形成的軟硬件積累，形成壟斷優勢。
首先，軟件方面，從特色工藝、生產製造到產品設計的垂直整合技術積累，尤其是經年累月的技術的積累為此類企業提高技術門檻，保障從工藝——製造——設計的多重產品技術優勢。
其次，硬件方面，加載特色工藝的約數億至十億美元的專有製造工廠（FAB）資產積累，為多重技術優勢提供支持，而且基本完成設備折舊，讓企業沒有資產回報率包袱。
“目前，全國做中高頻器件的企業比較多，但是中高頻器件的發展，不應該遍地開花，而是要聚集實力，共同為產業發展做貢獻。”中國科學院院士劉明在致辭中表示。
進擊5G中高頻
為產業鏈合作提供平臺，聚集產業實力。今年4月，廣東省5G中高頻器件創新中心（以下簡稱5G創新中心）成立，其依託實體“深圳市匯芯通信技術有限公司”，由福田投控、南方科技大學、力合科創集團，以及20多家產業鏈龍頭企業和上市公司共同出資組建。
在大會現場，徐明偉發佈5G創新中心戰略，提出5G創新中心未來將重點致力於公共平臺建設和前沿共性技術研發。
具體來說，首先，公共服務平臺建設方面，5G創新中心將搭建從器件/材料研發-測試-封裝-中試的一體化公共服務平臺，為領域內企業提供全流程公共技術服務；其次，前沿和共性技術研發方面，匯芯通信已與合作伙伴開展了多個項目的產業協同與合作研發。在細分市場上加大投入，形成局部的壓倒性資源的優勢，解決產業鏈長期積累的問題。
工業和信息化部電子司調研員吳國綱在致辭中強調，5G創新中心要明確自己的定位，探索如何跟國內的合作伙伴進行融合。一定要堅持三心：要有信心、決心、恆心，同時還要有大局意識和合作意識，只有全行業共同努力，我們才能實現整體規劃的目標。
中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）副院長黃子河在致辭中表示，5G創新中心最主要的使命是產業鏈的協同以及對產業力量的整合。此外，中國工程院院士陳良惠，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）第二屆學術委員會副主任、浙江省智能製造專家委員會主任、原浙江省人大常委會黨組副書記毛光烈，中國科學院院士劉明也都發表了精彩演講。
同時，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）副院長黃子河在致辭中表示，作為5G創新中心，一定要關注兩點：一是要把國內相關的力量整合和聚合起來，立足於深圳，同時要面向全國，走向世界；二是5G創新中心最主要的使命是產業鏈的協同以及對產業力量的整合。如果能很好的做到這兩點，在中高頻未來的競爭上，一定能使我們國家在全球佔領重要的一席之地。
促進產業化
要想真正實現在5G中高頻競爭中，佔有一席之地，還面臨諸多挑戰。
徐明偉表示，目前，國內產業鏈具備一定基礎，基站方面，濾波器和天線具有國產化供應鏈基本能力，功率放大器供應鏈還需努力，終端方面，功率放大器和濾波器潛力很大，尤其中高端產品需要高集成度產品。
在Sub-6G頻段，國內產業鏈面臨行業供給能力、產品投產量、良品率等挑戰；而毫米波頻段，面臨設計團隊分散、缺少有競爭力規模企業、製造能力稀缺、民用基礎相對薄弱。
對此，5G中高頻器件創新中心明確三大主要研發方向，即面向新型半導體材料及工藝共性關鍵技術產業化；基站中高頻功率放大器、濾波器、陣列天線等核心器件產業化關鍵技術；5G的基站、終端、硅基毫米波集成芯片設計關鍵技術。
同時，5G創新中心還希望能夠真正將技術研發成果轉化為成熟產品，突破“死亡之谷”。
據悉，由於細分芯片領域市場驗證和產品驗證的挑戰，從中試成果到首次量產的階段被稱細分芯片領域的“死亡之谷”。
徐明偉表示，5G中高頻器件創新中心的目標就是，在10年內成為國際領先的，以氮化物半導體為基礎的，中高頻器件量產技術研發平臺。
劉明表示，想要發展中高頻器件產業，必須先把產業鏈梳理清楚，產業要獨立才能良性發展，如何在長長的產業鏈裡做出自己的盈利模式，這一點非常重要。同時，中高頻器件要注重模塊的功能，大的融合一定會把射頻等很多功能融合起來，從技術的角度一定要早關注集成的方向。
因此，5G中高頻器件創新中心希望在一個大平臺的基礎上，進行生態建設，進行IPD濾波器、SAW/BAW濾波器、陶瓷濾波器等N個產品技術項目。近期規劃是面向Sub-6G頻段，進行量產設施、聯合開發和戰略合作；中長期規劃是面向毫米波，以自主設施為主，主導多邊戰略合作，形成領先的路線和能力。
同時，在會議現場，中國電子信息產業發展研究院（賽迪研究院）和匯芯通信“5G中高頻器件白皮書”啟動聯合編撰儀式。朱邵歆表示，《5G中高頻器件白皮書》預計將在2019年底發佈，白皮書在整體上從5G器件產業著手，在全球市場和世界趨勢的維度中去研究，推論提出產業面臨的問題和挑戰，通過這些研究和分析提出我們要解析產業的發展趨勢，促進技術的創新，促進產業的成長，促進產業的協同。
編輯 / 黨博文
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