作為設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業，Soitec於約兩月前以3000萬歐元的價格收購了氮化鎵（以下簡稱GaN）外延硅片材料供應商EpiGaN。通過此次收購，Soitec在其不斷增長的硅基和化合物半導體產品系列中增加了GaN技術，也將藉助GaN在5G中的優勢，進一步擴大功率放大器市場。
"作為設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業，Soitec於約兩月前以3000萬歐元的價格收購了氮化鎵（以下簡稱GaN）外延硅片材料供應商EpiGaN。通過此次收購，Soitec在其不斷增長的硅基和化合物半導體產品系列中增加了GaN技術，也將藉助GaN在5G中的優勢，進一步擴大功率放大器市場。
Soitec全球戰略執行副總裁Thomas Piliszczuk博士表示：
“EpiGaN雖然是一家初創公司，但其產品技術十分成熟。相信在我們的支持下，其GaN材料相關的產品及技術將得到迅速的發展。”
收購EpiGaN——翹首以盼的機遇
儘管SOI產品佔Soitec業務的95％左右，但Soitec一直在計劃將其業務擴展至SOI之外的相關領域。
正如Piliszczuk博士所指出的那樣：“SOI已不再是一個小眾市場，我們的業務範圍也在逐漸擴大中。因此，在過去的幾年內，我們已經初步展開了SOI之外的其他業務， 例如使用壓電材料開發優化襯底，在與所有主要射頻技術領域的公司合作的同時，逐步增加用於射頻濾波器的壓電絕緣體的產量。”
"作為設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業，Soitec於約兩月前以3000萬歐元的價格收購了氮化鎵（以下簡稱GaN）外延硅片材料供應商EpiGaN。通過此次收購，Soitec在其不斷增長的硅基和化合物半導體產品系列中增加了GaN技術，也將藉助GaN在5G中的優勢，進一步擴大功率放大器市場。
Soitec全球戰略執行副總裁Thomas Piliszczuk博士表示：
“EpiGaN雖然是一家初創公司，但其產品技術十分成熟。相信在我們的支持下，其GaN材料相關的產品及技術將得到迅速的發展。”
收購EpiGaN——翹首以盼的機遇
儘管SOI產品佔Soitec業務的95％左右，但Soitec一直在計劃將其業務擴展至SOI之外的相關領域。
正如Piliszczuk博士所指出的那樣：“SOI已不再是一個小眾市場，我們的業務範圍也在逐漸擴大中。因此，在過去的幾年內，我們已經初步展開了SOI之外的其他業務， 例如使用壓電材料開發優化襯底，在與所有主要射頻技術領域的公司合作的同時，逐步增加用於射頻濾波器的壓電絕緣體的產量。”
GaN材料將在高功率和射頻領域發揮重要作用
此外，Soitec也精心打磨了其Smart CutTM工藝。目前，它可被用於將一層薄薄的晶體材料從GaN或InP供體襯底轉移到另一個襯底，以生產出具有成本效益的化合物半導體晶圓。
Piliszczuk博士還談到：“我們與重要的微型LED製造商合作，為他們的設備提供這些襯底，這其中存在著很大的市場機遇。我們一直有關注GaN材料，如今，我們相信這項技術已經逐漸發展成熟，可以帶來實際落地業務，尤其是在5G領域。”
與EpiGaN共創未來
EpiGaN將在Soitec發展中扮演關鍵角色。Soitec現有的SOI和POI產品滿足了5G基站和手機架構中許多關鍵組件的需求，如收發器、低噪聲放大器、天線開關濾波器等。然而，利用EpiGaN的硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）和碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延片，Soitec如今可以在基站及手機的功率放大器市場上佔有一席之地。
在EpiGaN完全整合入公司後，Soitec計劃在比利時哈瑟爾特的EpiGaN生產基地擴大生產規模。據Piliszczuk博士稱，除此之外，Soitec將在未來幾個月內購買其他程序控制和清潔工具。他說：“我們有能力購買更多工具，並且我們有自信能夠充分使用這些資源。”
同時，Soitec將繼續把EpiGaN的外延片生產從六英寸轉為八英寸。Piliszczuk博士強調：“我們想確保這一項目迅速達到成熟。長遠來看，我們可能還需要一個新的生產基地。”
持續擴大的業務
"作為設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業，Soitec於約兩月前以3000萬歐元的價格收購了氮化鎵（以下簡稱GaN）外延硅片材料供應商EpiGaN。通過此次收購，Soitec在其不斷增長的硅基和化合物半導體產品系列中增加了GaN技術，也將藉助GaN在5G中的優勢，進一步擴大功率放大器市場。
Soitec全球戰略執行副總裁Thomas Piliszczuk博士表示：
“EpiGaN雖然是一家初創公司，但其產品技術十分成熟。相信在我們的支持下，其GaN材料相關的產品及技術將得到迅速的發展。”
收購EpiGaN——翹首以盼的機遇
儘管SOI產品佔Soitec業務的95％左右，但Soitec一直在計劃將其業務擴展至SOI之外的相關領域。
正如Piliszczuk博士所指出的那樣：“SOI已不再是一個小眾市場，我們的業務範圍也在逐漸擴大中。因此，在過去的幾年內，我們已經初步展開了SOI之外的其他業務， 例如使用壓電材料開發優化襯底，在與所有主要射頻技術領域的公司合作的同時，逐步增加用於射頻濾波器的壓電絕緣體的產量。”
GaN材料將在高功率和射頻領域發揮重要作用
此外，Soitec也精心打磨了其Smart CutTM工藝。目前，它可被用於將一層薄薄的晶體材料從GaN或InP供體襯底轉移到另一個襯底，以生產出具有成本效益的化合物半導體晶圓。
Piliszczuk博士還談到：“我們與重要的微型LED製造商合作，為他們的設備提供這些襯底，這其中存在著很大的市場機遇。我們一直有關注GaN材料，如今，我們相信這項技術已經逐漸發展成熟，可以帶來實際落地業務，尤其是在5G領域。”
與EpiGaN共創未來
EpiGaN將在Soitec發展中扮演關鍵角色。Soitec現有的SOI和POI產品滿足了5G基站和手機架構中許多關鍵組件的需求，如收發器、低噪聲放大器、天線開關濾波器等。然而，利用EpiGaN的硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）和碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延片，Soitec如今可以在基站及手機的功率放大器市場上佔有一席之地。
在EpiGaN完全整合入公司後，Soitec計劃在比利時哈瑟爾特的EpiGaN生產基地擴大生產規模。據Piliszczuk博士稱，除此之外，Soitec將在未來幾個月內購買其他程序控制和清潔工具。他說：“我們有能力購買更多工具，並且我們有自信能夠充分使用這些資源。”
同時，Soitec將繼續把EpiGaN的外延片生產從六英寸轉為八英寸。Piliszczuk博士強調：“我們想確保這一項目迅速達到成熟。長遠來看，我們可能還需要一個新的生產基地。”
持續擴大的業務
Soitec襯底產品
Soitec並未打算止步於氮化鎵材料。據Piliszczuk博士所稱，長時間以來，Soitec也在持續關注碳化硅的商業機會。
Piliszczuk博士說：“碳化硅是一個十分具有潛力的市場，我們也一直受到終端客戶的推動，他們相信Soitec可以為產業鏈帶來很多價值。碳化硅的供應是一個巨大的挑戰，但是通過Smart CutTM工藝，我們可以將碳化硅晶體切割為薄層，並將其轉移到（受體）襯底上，從而產生更大的供給量。因此，Soitec十分重視碳化硅項目。”
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