自晶體管1947年首顆晶體管誕生於貝爾實驗室，大大加快了計算機的進程，英特爾創始人的摩爾定律“集成電路所包含的晶體管每18個月就會翻一翻”。之後芯片內的集成電路確實也證實了這一句話。但是隨著晶體管數量的增加，會導致二氧化硅絕緣層變薄從而洩露更多的電流，增加額外功耗，漏電會導致性能提升受阻，以及計算機的設計，功耗，噪聲等諸多問題，為了解決這一問題，英特爾首度引入High-k技術。並於2007年，首次推出45納米的工藝處理器，明顯改善了晶體管耗電量並且控制了漏電問題。
從4004的10微米，集成2250個晶體管，到現在的7納米工藝的A12、麒麟980的69億個晶體管，科技發展也是越來越快。 在7nm之後，臺積電的下一站將衝刺5nm，據AnandTech稱，和初代7nm工藝相比，5nm製程可以縮小晶體管體積45%，性能提升15%，功耗降低20%。5nm EUV工藝將於2019年4月進行小規模的試產。
4004
A12
980
CPU製造納米工藝。是指IC內電路與電路之間的距離。主要是指柵極線寬為準當然也伴隨晶體管本身的縮小，電流由source源極流向drain漏極，而柵極控制著電流的開關，而開關代表的就是數字世界的基礎1和0。
柵極線寬縮小的好處：通電距離短，通電時間縮短功耗降低。，相同面積的晶圓上可以集成更多的晶體管，性能提升
負面效應：漏電增加，功耗密度增大，相同的面積塞入更多的晶體管，會讓發熱更加集中，因此對於設備的散熱要求比較高，雖然功耗降低了，但是熱量不能夠及時的散發出去，導致溫度上升很快。
當然這只是其中影響性能的部分因素，還有工藝上製作的其他方面的問題比如封裝，工藝品本身的良品率問題等。
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