編者按：日前，第二屆全球IC企業家大會在上海舉辦。作為六個分論壇之一的化合物半導體產業趨勢論壇同期舉辦，分論壇由賽迪智庫集成電路研究所、中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟承辦，主題為《迎接化合物半導體的產業化浪潮》，與會專家就化合物半導體材料、芯片、設備等發展現狀及未來趨勢進行了研討。
"編者按：日前，第二屆全球IC企業家大會在上海舉辦。作為六個分論壇之一的化合物半導體產業趨勢論壇同期舉辦，分論壇由賽迪智庫集成電路研究所、中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟承辦，主題為《迎接化合物半導體的產業化浪潮》，與會專家就化合物半導體材料、芯片、設備等發展現狀及未來趨勢進行了研討。
Qorvo應用市場總監黃靖：
從4G向5G升級的過程中，化合物半導體將呈現爆發性增長。尤其是5G MIMO天線的使用，使得功率放大器（PA）市場增長更加迅速。未來幾年，不論在5G基站，還是升級的4G基站，使用氮化鎵技術的功率放大器都將成為市場的主流選擇。
以國內為例，今年國內部署的5G基站將達到10萬個，而到2020年，國內將有40萬~80萬個5G基站的建設需求。5G MIMO天線陣列將達到64個。這樣龐大的天線陣列在功耗、尺寸、成本等方面都面臨前所未有的挑戰。如何運用先進的化合物半導體工藝達到最優的系統指標成為5G MIMO最大程度發揮其性能的關鍵之一。對於運營商來說，如何在5G基站的成本、可靠性、性能等方面找到一個最優方案，也成為他們著重考慮的問題。隨著性能要求的不斷提高，傳統的硅基材料的性能侷限性逐步顯現，氮化鎵功率放大器技術開始從特種應用走向了通信市場。
氮化鎵材料本身的特性讓它們擁有高可靠性、高帶寬和支持更高的頻率的特點，對於相同的性能指標，氮化鎵射頻器件的尺寸可以比其他技術小很多，產品尺寸和成本都會大幅下降，這讓天線陣列的整機性能和效率獲得了極大的提升。整個設備的尺寸變小，也更便於塔上安裝和維護。
作為業界領先的射頻方案供應商，Qrovo推出了一系列的氮化鎵產品。如基於0.25微米工藝面向基站應用市場的產品、0.15微米和90納米工藝適合於更高頻率要求的應用場景的產品。此外，Qorvo還根據不同的應用場景，將GaN、GaAs、SOI等不同材料以MCM的模式組裝到一起，提供高集成、小尺寸、低成本的解決方案。
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