長鑫朱一明:技術來源奇夢達,研發投入已超25億美元

奇夢達 技術 合肥 西安 英飛凌 上海 納米技術 半導體投資聯盟 2019-05-17

集微網消息(文/小如)5月15日,長鑫存儲董事長兼CEO朱一明先生在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會上,發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講。

據朱一明透露,從技術來源角度,合肥長鑫與奇夢達合作,並結合了長鑫自己的技術。通過與奇夢達合作,將一千多萬份有關DRAM的技術文件(約2.8TB數據)收歸囊中。

長鑫朱一明:技術來源奇夢達,研發投入已超25億美元


(圖片來源:國君電子)

同時,在設備等方面,長鑫與其他龍頭公司有緊密的合作,例如與ASML合作做論文,貢獻了基礎性項目。長鑫前期利用合作伙伴ASML的研發線,展開世界速度的快速迭代研發。

據朱一明介紹,長鑫14個月即完成晶圓廠建設,一共花費25億美金用在研發和資本支出。

朱一明也強調合肥長鑫具有合規完善的技術來源,同時重視知識產權,長鑫共有1萬6千個專利申請。

據悉,奇夢達是從英飛凌拆分出來的知名DRAM大廠,但在2009年1月,奇夢達向法院申請破產保護。奇夢達慕尼黑研發中心和中國研發中心(位於西安高新區)是較大的兩大研發中心。

在複雜的國際形勢下,去年10月,朱一明歐洲之行,便透露出長鑫縮小與全球芯片領導者技術差距的決心,並確保在與美國持續不斷的貿易爭端中先進製造設備的供應。

2018年,長鑫方面也透露項目的5年規劃,2018年底量產8Gb DDR4工程樣品;2019年3季度量產8Gb LPDDR4;2019年底實現產能2萬片/月;2020年開始規劃二廠建設;2021年完成17納米技術研發。(校對/小北)

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