存儲器一直是半導體市場中佔比最大的產品之一，且被認為是本輪全球半導體寒冬的主要“罪魁”。然而，近日原本持續下跌的存儲器價格卻走出了一輪上漲行情。分析人士認為，導致這波漲價的誘因正是近日爆發的日韓貿易戰——日本對韓國半導體關鍵材料限制出口導致三星、SK海力士減產，反而間接有利於改善當前存儲器市場供大於求的形勢。那麼，這次存儲器的價格波動是少數企業藉機炒作抬價，還是有著現實支撐？未來存儲器市場能否藉此走出一輪長期的上揚之勢呢？
禁運弄巧成拙？
在經歷了接近一年“跌跌不休”的局面後，近日國際存儲器價格出現了一輪小幅上漲的行情。根據研調機構集邦諮詢旗下 DRAMeXchange 數據顯示，7月10 日8GB DDR4 DRAM 均價較前一天上漲1.2%。這是去年9月以來，現貨價首次上漲。
另據中國臺灣地區媒體報稱，部分內存模組廠商如威剛等已經開始限量供應現貨產品。而隨著報價的反彈，具備NAND芯片製造能力的旺宏、華邦等廠，以及內存模組廠威剛、創見、十銓、群聯、宇瞻和廣穎等受益明顯，營運有望大幅提升。
那麼，是什麼導致了此輪存儲器的漲價呢？一些市場分析人士將原因指向近日爆發的日韓貿易戰。由於韓國企業三星、SK海力士佔據全球存儲器市場的主導地位（DRAM市場，三星佔全球份額的43.9%，SK海力士為29.5%；NAND閃存市場，三星為36.5%，SK海力士為10.5%）。在日韓貿易戰影響下，兩家公司均有可能縮減存儲器產能。但是，由於目前國際市場上DRAM和NAND閃存都存在著供過於求的隱憂。因此，這對存儲器市場來說反而是個好消息。
據韓國《經濟日報》報道，三星和SK海力士正在考慮從本月開始減少NAND閃存產量。“對產量下降的預期可能會抬高價格。”首爾DB Financial Investment分析師Kwon Sung-ryul表示。
中國臺灣地區內存廠旺宏董事長吳敏求也認為，在日本政府對半導體關鍵材料出口韓國祭出限令下，短期內雖有庫存可供給需求，長期來看一定會造成缺貨，在限令實行的 3 個月後，NAND閃存市場將會“極度”混亂。在供不應求的情況下，臺廠及其他非韓廠的內存廠商，將會因此受益。
事實上，這並不是存儲廠商第一次從重大事件中受益。2013年，SK海力士在中國無錫工廠的火災影響了全球DRAM產量的6％，並使這些芯片的價格一度飆升了約88％。
藉機炒作還是有現實支撐？
那麼，這輪存儲器漲價的背後，是否有著藉機炒作抬價的嫌疑呢？雖然市場上免不了存在一定的炒作，不過本輪價格上漲也有一定現實支撐的。
事實上，在日韓貿易戰發生之前，NAND閃存市場已經有了庫存快速消化的跡象，並且出現存儲器價格將結束長期跌勢的呼聲。上個月，受到日本強震影響，東芝公司NAND閃存工廠產量減少20％以上。此次事故不僅對東芝的產量造成影響，而且西部數據也在東芝的製造工廠生產NAND閃存，同樣受到重創。由於東芝和西部數據的市場份額分別高達19.3％和15.3％。這起事故已經在一定程度上形成減產降庫存的效果，對存儲器價格形成了支撐。
長期走勢尚需觀察，反轉或在明年中期？
長期來看，存儲市場將會如何發展？未來存儲器能否藉助此次事件的影響，走出一輪長期的上揚之勢呢？集邦諮詢分析認為，消息面只能影響短期市場走勢，長期變化還需看市場的供需形勢。DRAM價格已然歷經了連續三個季度的快速下滑，下游模組廠的庫存普遍偏低。因此，在日韓貿易戰消息的影響下，確實有部分模組廠開出上揚的價格或表示將停止生產。然而，現貨市場只佔整體DRAM市場的不到10%，中長期產業的供需態勢仍需關注佔比超過9成的合約市場。
目前DRAM仍處於買方市場，原廠庫存只能降價求售。接下來價格何時反轉，仍然取決於需求面何時出現大幅增長。但從需求面來看，不論零售端的PC、智能手機，還是企業用服務器與數據中心的建設，目前整體終端需求仍然呈現十分疲弱的態勢。因此，DRAM市場短期可能會受到日韓貿易戰消息的影響，但卻很難就因此得出市場將出現結構性供需反轉的結論。集邦諮詢預估DRAM市場出現反轉的時間點有可能落在2020年第二季度末至第三季度以內。屆時有可能出現終端的旺季需求，帶動存儲器的庫存消化，進而推升價格。
至於NAND 閃存市場，由於NAND閃存晶圓的市場報價已經偏低，預計七月起各供應商報價將出現漲勢。集邦諮詢認為，由於供應商普遍備有2-3個月的庫存，多數模組廠不會第一時間接受漲價，後續則需視市場及供應端庫存狀況決定交易價是否上漲。雖然NAND 閃存價格短期將出現上揚，但長期仍有跌價的壓力。
存儲器一直是半導體市場中佔比最大的產品之一，且被認為是本輪全球半導體寒冬的主要“罪魁”。然而，近日原本持續下跌的存儲器價格卻走出了一輪上漲行情。分析人士認為，導致這波漲價的誘因正是近日爆發的日韓貿易戰——日本對韓國半導體關鍵材料限制出口導致三星、SK海力士減產，反而間接有利於改善當前存儲器市場供大於求的形勢。那麼，這次存儲器的價格波動是少數企業藉機炒作抬價，還是有著現實支撐？未來存儲器市場能否藉此走出一輪長期的上揚之勢呢？
禁運弄巧成拙？
在經歷了接近一年“跌跌不休”的局面後，近日國際存儲器價格出現了一輪小幅上漲的行情。根據研調機構集邦諮詢旗下 DRAMeXchange 數據顯示，7月10 日8GB DDR4 DRAM 均價較前一天上漲1.2%。這是去年9月以來，現貨價首次上漲。
另據中國臺灣地區媒體報稱，部分內存模組廠商如威剛等已經開始限量供應現貨產品。而隨著報價的反彈，具備NAND芯片製造能力的旺宏、華邦等廠，以及內存模組廠威剛、創見、十銓、群聯、宇瞻和廣穎等受益明顯，營運有望大幅提升。
那麼，是什麼導致了此輪存儲器的漲價呢？一些市場分析人士將原因指向近日爆發的日韓貿易戰。由於韓國企業三星、SK海力士佔據全球存儲器市場的主導地位（DRAM市場，三星佔全球份額的43.9%，SK海力士為29.5%；NAND閃存市場，三星為36.5%，SK海力士為10.5%）。在日韓貿易戰影響下，兩家公司均有可能縮減存儲器產能。但是，由於目前國際市場上DRAM和NAND閃存都存在著供過於求的隱憂。因此，這對存儲器市場來說反而是個好消息。
據韓國《經濟日報》報道，三星和SK海力士正在考慮從本月開始減少NAND閃存產量。“對產量下降的預期可能會抬高價格。”首爾DB Financial Investment分析師Kwon Sung-ryul表示。
中國臺灣地區內存廠旺宏董事長吳敏求也認為，在日本政府對半導體關鍵材料出口韓國祭出限令下，短期內雖有庫存可供給需求，長期來看一定會造成缺貨，在限令實行的 3 個月後，NAND閃存市場將會“極度”混亂。在供不應求的情況下，臺廠及其他非韓廠的內存廠商，將會因此受益。
事實上，這並不是存儲廠商第一次從重大事件中受益。2013年，SK海力士在中國無錫工廠的火災影響了全球DRAM產量的6％，並使這些芯片的價格一度飆升了約88％。
藉機炒作還是有現實支撐？
那麼，這輪存儲器漲價的背後，是否有著藉機炒作抬價的嫌疑呢？雖然市場上免不了存在一定的炒作，不過本輪價格上漲也有一定現實支撐的。
事實上，在日韓貿易戰發生之前，NAND閃存市場已經有了庫存快速消化的跡象，並且出現存儲器價格將結束長期跌勢的呼聲。上個月，受到日本強震影響，東芝公司NAND閃存工廠產量減少20％以上。此次事故不僅對東芝的產量造成影響，而且西部數據也在東芝的製造工廠生產NAND閃存，同樣受到重創。由於東芝和西部數據的市場份額分別高達19.3％和15.3％。這起事故已經在一定程度上形成減產降庫存的效果，對存儲器價格形成了支撐。
長期走勢尚需觀察，反轉或在明年中期？
長期來看，存儲市場將會如何發展？未來存儲器能否藉助此次事件的影響，走出一輪長期的上揚之勢呢？集邦諮詢分析認為，消息面只能影響短期市場走勢，長期變化還需看市場的供需形勢。DRAM價格已然歷經了連續三個季度的快速下滑，下游模組廠的庫存普遍偏低。因此，在日韓貿易戰消息的影響下，確實有部分模組廠開出上揚的價格或表示將停止生產。然而，現貨市場只佔整體DRAM市場的不到10%，中長期產業的供需態勢仍需關注佔比超過9成的合約市場。
目前DRAM仍處於買方市場，原廠庫存只能降價求售。接下來價格何時反轉，仍然取決於需求面何時出現大幅增長。但從需求面來看，不論零售端的PC、智能手機，還是企業用服務器與數據中心的建設，目前整體終端需求仍然呈現十分疲弱的態勢。因此，DRAM市場短期可能會受到日韓貿易戰消息的影響，但卻很難就因此得出市場將出現結構性供需反轉的結論。集邦諮詢預估DRAM市場出現反轉的時間點有可能落在2020年第二季度末至第三季度以內。屆時有可能出現終端的旺季需求，帶動存儲器的庫存消化，進而推升價格。
至於NAND 閃存市場，由於NAND閃存晶圓的市場報價已經偏低，預計七月起各供應商報價將出現漲勢。集邦諮詢認為，由於供應商普遍備有2-3個月的庫存，多數模組廠不會第一時間接受漲價，後續則需視市場及供應端庫存狀況決定交易價是否上漲。雖然NAND 閃存價格短期將出現上揚，但長期仍有跌價的壓力。