【Technews科技新報】中國存儲器市場發展正方興未艾，2016 年由紫光集團所主導的長江存儲，在武漢投資 240 億美元建設國家存儲器基地引起全球關注。韓國業界對此評估稱，韓國與中國廠商間的技術差距僅剩 3 到 5 年的時間。因此有消息指出，為避免再度上演類似過去與 Rambus、東芝等半導體同業間的專利大戰，SK 海力士近期特別於專利分析團隊中新成立中國工作小組，以研究學習中國商業法、專利法等相關法律。
跟據韓國媒體《亞洲經濟》引述 SK 海力士內部消息表示，SK 海力士的中國專利分析小組將採取無固定編制，相關成員可自由參與研究學習中國專利法等相關法律的模式來進行。由於當前中國半導體技術暫時還未能趕上韓國，因此 SK 海力士成立中國專利工作小組，只為提前應對未來可能發生的專利訴訟，而採取非正式編制的形式。
韓國的海力士半導體以致力生產 DRAM 和 NAND Flash 為主的半導體產品。2012 年 2 月，韓國第三大財團 SK 集團，宣佈收購海力士 21.05%的 股份，進而入主這家存儲器大廠。目前在 SK 海力士在韓國有 4 條 8 寸晶圓生產線，一條 12 寸晶圓生產線。另外，在美國俄勒岡州還有一條 8 寸晶圓生產線。根據市調機構 IHS 的資料顯示，2016 年 SK 海力士在全球 DRAM 市場佔有率為 25.2%，僅次於三星電子的 48%，位居第二。但在 NAND Flash 快閃存儲器市場卻僅有 10.1% 的市佔率，位居第五，遠落後於三星的 35.4%，以及東芝的 19.6%。
再從歷來專利訴訟來看，SK 海力士面臨的半導體專利訴訟案，均是與美國，或者日本半導體同業者有關的。其中，自 2000 年起，SK 海力士與美國半導體專利授權業者 Rambus 展開長達 13 年專利訴訟。最終在 2013 年，SK 海力士和 Rambus 簽訂了一個為期 5 年的專利授權協議，SK 海力士向 Rambus 支付 2.4 億美元的專利授權費，按照每季度 1,200 萬美元的方式支付，而 Rambus 則向 SK 海力士開放相應的存儲器專利授權。
而在 2004 年，SK 海力士與東芝展開為期 3 年，於日本和美國等地的 NAND Flash 專利侵權訴訟。直到 2007 年 3 月，雙方才以專利交叉授權方式和解。另外，2014 年，因 NAND Flash 技術外流，東芝向 SK 海力士提出 1.1 兆韓元（約 9.1 億美元）規模的民事賠償，造成雙方關係一度破裂。最後，SK 海力士以支付 2.8 億美元，相當訴訟規模 27% 的和解金與東芝達成協議，撤銷訴鬆。此外，SK 海力士半導體部門與東芝間的專利交叉授權合約，與產品供應契約均獲得了延長。
2015 年，美國存儲器大廠 SanDisk 曾控告旗下某職員於 2008 年跳槽後，將機密洩漏給 SK 海力士。但在雙方達成和解後，SanDisk 同意撤回官司。之後，SK 海力士與 SanDisk 還進一步就專利授權取得新協議，海力士將支付 SanDisk 專利授權費，並供應 DRAM 給 SanDisk，時間將持續至 2023 年。
而有了過去費時又花錢的經驗，加上近幾年受到中國政府政策支持下的大陸半導體產業正在快速發展。因此，SK 海力士是否會遭受到如同過去一般的專利訴訟，其誰也不敢保證。因此，SK 海力士決定下手為強，成立中國專利工作小組，以防範於未然。當前雖然暫時中國的半導體技術上未追趕上韓國。但是，在韓國產業界評估，韓國與中國廠商間的技術差距僅剩3到5年的情況下，SK 海力士仍決定儘早防範未來可能的專利紛爭。
(首圖來源:Flickr/Kimber JakesCC BY 2.0)
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