三星電子製程領先，率先量產18納米DRAM，把同業拋在腦後。競爭對手美光和SK海力士不甘示弱，紛紛砸錢要追上三星。
外媒報道，三星是DRAM龍頭，製程領先對手1~2年，2016年下半年首先量產18納米DRAM，計劃今年下半年推進至15納米。
研究機構估計，今年底為止，三星打算把18納米DRAM的生產比重，提高至30%。業界人士說，三星會以利潤優先，不會擴產搶市，打亂價格。
三星一馬當先，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計劃未來兩三年砸下20億美元，研發13納米DRAM製程。
美光在日本廣島廠增設無塵室設備，併購買了多項高價生產儀器。進入13納米制程之後，同一片晶圓能分割成更多芯片，生產力將提高20%。美光已於今年第一季量產18納米DRAM。
與此同時，SK海力士也準備在今年下半年量產電腦用的18納米DRAM，接著再投入移動設備用的18納米DRAM。
SK海力士會優先提高21納米制程良率，之後轉進20納米、再轉向18納米。SK海力士人員透露，該公司正在研發 1y DRAM製程，但是還不確定量產時間。
在此之前，三星電子的韓國華城廠(Hwaseong)，即將擴產的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資3萬億韓元(約26.4億美元)提升DRAM產能。
不過由於未來11線不再生產DRAM，產能一增一減之下，應該不至於衝擊DRAM供給。
韓媒曾報導，業界消息指出，三星半導體業務部門將擴充華城廠17線的DRAM產能，生產10納米等級的DRAM。
三星已告知設備廠擴產計劃，並在三月份向部分業者下單，估計投資金額約為2.5萬億~3萬億韓元，完工後每月增產3.5萬片300公釐的硅晶圓，預定今年下半初步生產。
三星華城廠為綜合晶圓廠，17線生產DRAM、11線生產圖像傳感器和DRAM、16-2線生產3D NAND Flash、S3線生產10納米系統半導體。
如今11線將轉為全數生產圖像傳感器CMOS和CIS，不再生產DRAM。三星為了彌補產能損失，決定擴大17線的DRAM產能。
相關人士表示，此一投資是為了彌補11線產能縮減和製程微縮損失，對DRAM供需幾乎沒有影響。
來源：MoneyDJ新聞
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