'今年存儲器資本支出大幅衰退，下滑至416億美元'

IC Insights預計，2019年存儲器產業資本支出將佔今年半導體總資本支出總額的43%，低於2018年的49%(圖1)。預計2019年半導體總資本支出將下滑8%，至978億美元，低於2018年創紀錄的1059億美元。

IC Insights預計，2019年存儲器產業資本支出將佔今年半導體總資本支出總額的43%，低於2018年的49%(圖1)。預計2019年半導體總資本支出將下滑8%，至978億美元，低於2018年創紀錄的1059億美元。

IC Insights公佈數據顯示，存儲器設備資本支出佔產業支出比重在過去7年內大幅增加，從2013年的27%（147億美元）增長至2018年的49%（520億美元），若今年以43%（416億美元）計算，等同於2013-2019年複合年成長率18.9％。

2017至2018年資本投入最多的IC產品子類是NAND Flash和非易失性存儲器。不過，在過去的18個月，隨著三星、SK海力士和美光增加DRAM和NANDFlash產量，而英特爾、東芝存儲器、西部數據、SanDisk、武漢新芯、以及長江存儲等廠都在加速擴充3D NAND產能，導致DRAM和NAND Flash都進入供過於求的市場局面，價格開始走低。

IC Insights預計，2019年DRAM和閃存領域的資本支出將分別下降19%和21%(圖2)。存儲器資本支出總額預計為416億美元，比去年減少104億美元。主要存儲器廠商希望通過大幅降低DRAM和閃存資本開支，來避免未來一年半價格繼續走低。

IC Insights預計，2019年存儲器產業資本支出將佔今年半導體總資本支出總額的43%，低於2018年的49%(圖1)。預計2019年半導體總資本支出將下滑8%，至978億美元，低於2018年創紀錄的1059億美元。

IC Insights公佈數據顯示，存儲器設備資本支出佔產業支出比重在過去7年內大幅增加，從2013年的27%（147億美元）增長至2018年的49%（520億美元），若今年以43%（416億美元）計算，等同於2013-2019年複合年成長率18.9％。

2017至2018年資本投入最多的IC產品子類是NAND Flash和非易失性存儲器。不過，在過去的18個月，隨著三星、SK海力士和美光增加DRAM和NANDFlash產量，而英特爾、東芝存儲器、西部數據、SanDisk、武漢新芯、以及長江存儲等廠都在加速擴充3D NAND產能，導致DRAM和NAND Flash都進入供過於求的市場局面，價格開始走低。

IC Insights預計，2019年DRAM和閃存領域的資本支出將分別下降19%和21%(圖2)。存儲器資本支出總額預計為416億美元，比去年減少104億美元。主要存儲器廠商希望通過大幅降低DRAM和閃存資本開支，來避免未來一年半價格繼續走低。

來源：IC Insights