想要更多行業資訊以及研究報告，歡迎關注公眾號“中研網”
功率分立器件從最初的二極管到高端 IGBT、MOS 類器件，根據耐壓、工作頻率不同，各自適用於不同領域。其中 MOS 類器件佔據著整個功率半導體市場單類產品的最大份額，約為25%； IGBT 是目前最熱門且最具潛力的功率半導體器件， 2015 年 IGBT 分立器件約佔 10%的市場份額，相關模組產品約佔 30%；晶閘管是目前耐壓容量最高（12kV）與電流容量最大（10kA）的功率器件。
2015年全球功率半導體市場規模為123億美元，2016年全球功率半導體市場重新回穩，銷售金額比2015年成長1%，達124億美元。2017年全球功率半導體市場規模為150億美元。值得注意的是，在各類功率半導體元件中，未來成長力道最強勁的產品將是高壓MOSFET(超過200V)與IGBT模組，兩類產品在2015～2020年期間的複合年成長率 (CAGR)預估分別為4.7%與4.0%。
功率半導體分立器件為半導體行業的主要組成部分，更是發電、輸電、變配電、用電、儲能、家用電器、IT產品、網絡通訊等領域的基礎核心部件，隨著物聯網、雲計算、新能源、節能環保等電子信息產業新領域的發展，中高階的功率半導體器件也將迎來新一輪的發展高峰。
中國佔據全球功率器件 40%市場份額，多領域應用持續支撐需求上漲整體來看，近年來由於工業控制、家電產品、充電設備等終端應用不斷追求更高能源效率，功率器件下游產品範圍的穩步擴張、產量的大幅增長以及功率器件技術的快速更新，功率器件市場在全球範圍尤其是中國地區都保持穩步增長。 近五年來，中國功率半導體器件市場複合增長率達 27.8%，是半導體產品中市場發展相對較快的產品。我國市場的增長速度高於全球水平，2017年我國功率半導體市場規模達到60億美元，同比增長21%。
一、產業鏈結構分析
功率半導體的產業鏈可以大致分為電路設計、芯片製造、封裝及測試三個主要環節。
芯片設計：芯片設計是芯片的研發過程，是通過系統設計和電路設計，將設定的芯片規格形成設計版圖的過程；芯片設計公司對芯片進行寄存器級的邏輯設計和晶體管級的物理設計後，將不同規格和效能的芯片提供給下游廠商。
晶圓製造：晶圓製造指在製備的晶圓材料上構建完整的物理電路。
封裝測試：是將生產出來的合格晶圓進行切割、焊線、塑封，使芯片電路與外部器件實現電氣連接，併為芯片提供機械物理保護，並利用集成電路設計企業提供的測試工具，對封裝完畢的芯片進行功能和性能測試。
圖表：半導體產業鏈
數據來源：中研普華產業研究院
碳化硅產業鏈
國內產業鏈初具雛形碳化硅產業鏈可分為三個產業環節，一是上游襯底，二是中游外延片，三是下游器件製造。
國外供應鏈體系主要有:
襯底:Cree、Rohm、EPISIL
EPI 外延片:Cree、Rohm、英飛凌、GE、三菱器件:英飛凌、Cree、Rohm、意法半導體、美高森美、GenSiC、三菱
碳化硅器件方面，國際上碳化硅 SBD、碳化硅 MOSFET 均已實現量產，產品耐壓範圍 600v-1700v，單芯片電流超過 50A。
國內已經形成相對完整的碳化硅產業鏈體系。
襯底材料:山東天嶽、天科合達 、河北同光晶體、北京世紀金光
EPI 硅片:東莞天域半導體、廈門瀚天天成
器件:泰科天潤、瀚薪、揚傑科技、中電 55 所、中電 13 所、科能芯、中車時代電氣
模組:嘉興斯達、河南森源、常州武進科華、中車時代電氣
目前碳化硅市場處於起步階段，國內廠商與海外傳統巨頭之間差距較小，國內企業有望在本土市場應用中實現彎道超車。
國內企業已經在碳化硅 SBD 形成銷售收入，碳化硅 MOSFET 的產業化尚在原型器件研製階段。
另外國內已經開發出 1700V/1200A的混合模塊(硅 IGBT 與碳化硅 SBD 混合使用)、4500V/50A 等大容量全 SiC 功率模塊。
二、主要環節的增值空間
國家集成電路產業投資基金簡介2014年6月24日《國家集成電路產業發展推進綱要》正式發佈實施，明確提出設立國家產業投資基金。同年9月26日國家集成電路產業投資基金股份有限公司成立，註冊資本987.2億元，公司實際融資1378億元。至2017年11月底，大基金已實際出資約人民幣794億元，成為IC領域快速投資促進上、下游協同發展的重要資金來源。在大基金的帶動下各地提出或已成立子基金，合計總規模超過3,000億元，相當於實現近1:5的放大效應。目前大基金二期已經在募資中。大基金二期籌資設立方案總規模為1500-2000億元。其中，中央財政直接出資200-300億元，國開金融公司出資300億元左右，中國菸草總公司出資200億元左右，中國移動公司等央企出資200億元左右，中國保險投資基金出資200億元，國家層面出資不低於1200億元。
目前，大基金在製造、設計、封測、裝備材料等產業鏈各環節進行投資佈局全覆蓋，各環節承諾投資佔總投資的比重分別為 63%、20%、10%、7%。
圖表：大基金在製造、設計、封測、裝備材料等產業鏈各環節進行投資佈局
數據來源：中研普華產業研究院
回顧過去，全球 IC 封測行業增長明顯受到經濟波動的影響，但增長速率高於半導體行業的整體水平，2010 年到 2017 年複合增長率為 3.5%。封測行業屬於電子代工行業，具有明顯的規模效應，因此近年全球封測行業併購事件接連不斷。受惠於政策資金的大力扶持，我國封測企業也逐步開啟海內外併購步伐，不斷擴大公司規模，其中長電科技聯合產業基金、芯電半導體收購新加坡封測廠星科金朋，華天科技收購美國 FCI，通富微電聯合大基金收購AMD 蘇州和檳城封測廠，國內封測企業藉助出海併購，行業競爭力顯著提升。
相比半導體其他子行業，大陸封測行業發展較早，產值佔比較大，國家一直通過專項、政策和資金進行長期有效的扶持。大陸封測產業集群效應顯現，本土企業發展迅速。大陸是全球第一大 IC 消費市場，產業結構封測佔比最高。多年來，我國封測行業成長率顯著高於全球平均水平，未來受設計與製造的國產化轉移趨勢影響，我國封測行業將獲得進一步加速的動力。國內上市公司巨頭已躋身世界一流行業，短期內的財務波動宜淡化。
想要更多行業資訊以及研究報告，歡迎關注公眾號“中研網”