新科技512GB的eUFS 3.0芯片正在被量產中，該芯片的性能比eUFS 2.1高出許多，Samsung也指出將來會將其作為標準使用在薄型筆記本上。512GB eUFS 3.0存儲疊合了八個第五代512-gigabit V-NAND，讀取速度可達2100 MB/s，比eUFS 2.1芯片快兩倍。另外，該芯片的讀取速度比在SATA界面運行的傳統SSD快上4倍，更比一般microSD card快20倍，寫入速度與SATA SSDs差不多，高達410MB/s。
Samsung也在生產著128GB芯片以及即將準備生產256GB以及1TB的存儲芯片，不過這可能是下半年的事情。那麼會不會在下半年看到搭載在筆電還是手機上呢？
