我國雖然經過了幾十年快速發展，但是和西方發達國家的差距還是非常明顯的，在一些中低端的領域已經追上甚至超過西方發達國家，但是在高端製造特別是一些高精密的領域，差距依然很大，想要趕上還需要國人的不懈努力！相信隨著時間的發展，我國一定可以達到國際的先進水平！
可能很多人不知道，我國的高端芯片製造也曾經和美國差距不遠，美國能造的，我們也能造，只是由於歷史原因拉大差距，後來加上買買買習慣了，不重視自力更生，又進一步拉大差距，才導致目前無法制造高端芯片的尷尬局面。
上世紀的五六十年代，在集成電路技術上，我國和世界科技強國美國差距並不大。1949年美國貝爾實驗室研製出鍺合金晶體管，比中科院應用物理所提前7年；1954年美國研製出硅合金晶體管，比中國早4年；1959年美國發明平面光刻技術，研製成功平面型擴散晶體管，比中科院半導體所提前4年。
但從上世紀60年代末開始，中國發生WG，集成電路發展猛地被美國甩開10多年。改革開放之後，國內集成電路產業逐漸從自力更生切換到主要依靠進口，使得差距進一步擴大。
背後的原因很簡單，集成電路是“三高”產業：高技術（量產製程工藝現在已到7納米）、高投資（建設一座12英寸晶圓廠投資高達數十億美元）、高風險（技術落後就容易被市場淘汰，數十億美元投資打水漂）。
國產集成電路企業的產品由於技術落後，生產規模小，成本比進口高，加上政府扶持力度不足（國外芯片產業的發展無論美國還是韓國，都離不開政府強力扶持），受進口芯片衝擊後，企業紛紛倒閉或轉手。
製造芯片有一個非常重要的設備，光刻機。這是芯片製造的關鍵設備，一臺先進的光刻機價值幾億美元，但是對於我國來說，就算有錢也買不到這種儀器，美國限制對中國出口，所以目前我國無法制造先進的芯片！
我國集成電路產業由於歷史原因，雖然還無法制造高端芯片，但與國際先進技術的差距，已經從兩位數縮小到個位數，只要資金投入足夠（現在已上升到國家戰略），人才培養到位，市場優勢利用得當（我國是全球最大的汽車、家電、智能手機市場），不久的將來應該會趕上國際先進水平。
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