快速充電已經成為當今手機的標配功能，半小時充電50%以上可以讓大家在準備出門前給手機快速補充能量。
QC和PD快充走的都是通過高電壓實現更高輸電功率的目的，降低電流減少傳輸過程中的損耗。
固態硬盤本身沒有電池，但它使用的閃存在寫入數據時的原理也類似於充電。下圖是東芝TR200 SATA固態硬盤，使用+5V工作電壓。
普通的電容器不能長期保存電能，閃存使用了FG浮柵或CG電荷捕獲結構來存儲電子。下方的隧道氧化層可以防止電子從中逃逸，但當電子需要通過它進入FG或CG時，就必須要有一個較高的電壓（如20V）來幫助實現量子隧穿效應。
同樣，在需要將FG或CG裡的電子排除出去（閃存擦除）的時候，也需要在另外一個方向上施加較高電壓（如20V），幫助電子量子隧穿通過氧化層。
固態硬盤的工作電壓通常是5V（SATA）或3.3V（M.2），雖然2.5寸固態硬盤可以從SATA接口獲得+12V供電，但出於兼容性的考慮（很多筆記本電腦不為硬盤提供12V供電），絕大多數固態硬盤只使用+5V一種電壓供電。
實際上5V電壓也不會直接進入閃存顆粒，而是首先在PCB板上轉換為3.3V後再提供給閃存使用。寫入/擦除所需的20V電壓在閃存內由3.3V升壓轉換得到。電荷泵原理是用電容器作為儲能元件，產生比輸入電壓更高的輸出電壓。關於它的原理網上有很多介紹：
當然還有另外一種更為高效的方式，即通過Vpp針腳直接為閃存提供12V高電壓。雖然在沒有它的情況下閃存也能工作（由3.3V升壓），但Vpp的存在可以提高電源效率。下圖紅圈內是Vpp在東芝132-BGA中的位置。
除了提高電壓，有些地方閃存還需要儘可能降低電壓來提高能源效率，比如Toggle閃存接口工作電壓。
在BiCS4架構中東芝首次應用了Toggle 3.0接口，將接口速率提升至800MT/s的同時，VccQ電壓可降低至1.2V，從而同時實現提速與降能耗的目的。
