閃存峰會上，主控大廠群聯（Phison）表示，下月，專為入門級NVMe產品準備的入門級E8主控將會推向市場，主力產品會是M.2接口、走PCIe x2通道的SSD。
同時，新一代E12和S12主控的設計目標也公佈。
E12用於PCIe NVMe x4的SSD產品，支持3D MLC/TLC/QLC，S12用於SATA3.0的SSD產品，同樣支持3D MLC/TLC/QLC。
速度方面，E12主控連續讀寫3200MB/s和3000MB/s，隨機讀寫均是600K IOPS；S12主控連續讀寫550MB/s和530MB/s，隨機讀寫分別是100K IOPS和90K IOPS。
值得一提的是，群聯也認為，今後4bit的QLC將成為市場入門級的主力，取代如今TLC的位置。
按照產業鏈的規劃，QLC首先在U盤存儲上面世，年底進入SD卡，明年初便出現SSD固態盤，明年下半年，手機eMMC閃存甚至是PCIe的SSD也會換用QLC。
目前，東芝和三星都宣佈了QLC閃存投產，前者的BiCS 3單片的容量高達96GB。
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