2019年的NVME固態硬盤性能到了什麼水平？

在CES 2019展會上，金士頓正式發佈了他們的A2000和KC2000系列NVMe固態硬盤，與上一代產品相比，每款固態硬盤都具有更高的性能。新的SSD現在都使用64層3D TLC NAND，並且已經從Phison控制芯片切換到更新的Silicon Motion控制芯片。 A2000還採用了PCIe 3.0 x4配置，允許NVMe SSD訪問更多帶寬以提高傳輸速度。

兩款新SSD都將提供256GB，512GB和1TB型號，高端KC2000 SSD也提供2TB版本。較低價格的A2000將提供2000 / 1500MB/s的連續讀/寫速度，而KC2000將提供3000 / 2000MB/s的連續讀/寫速度。下表詳細說明了這些規範與上一代產品的對比情況。

這兩款SSD預計將在3月底或4月初上市。定價信息和其他規格將在稍後公佈。

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PCIE gen4的規範目前尚末在顯卡上普及（實際上PCIE gen3 X 8通道都夠餵飽顯卡了），而且最先來到了固態硬盤。同時，這個主控是8通道，支持DDR4（貌似也是全球第一個~），支持TLC和QLC。

測試中採用了一個250GB容量的樣品，顆粒末知，最高讀取為4071MB/s，最高寫入為4224MB/s，溫度僅為37度！所以，推測用了比較先進的生產工藝。

群聯董事長潘健成指出PS5016-E16是群聯最新一代以及目前市場上唯一的PCIe Gen4x4 NVMe SSD旗艦控制芯片，搭配群聯第四代LDPC的糾錯引擎 (ECC Engine)以及最新的3D NAND Flash (閃存) 技術，最高連續讀寫效能超過4000MB/s。而這一波由5G帶出的相關應用，包含雲端運算 (Cloud Computing)、自動駕駛、智能醫療、智慧家居、智能物聯網等，在數據數據不斷倍增的趨勢下，儲存的需求不僅不斷增加，更是所有運算應用中不可或缺的。

反正我是受不了tlc硬盤掉速問題！連intel760p持續寫入讀取都只有300m左右，和我之前買的一般的mlc硬盤差不多。像那些雜牌低端的tlc硬盤持續讀寫都不到100m的。