'SK hynix海力士公司'
一、公司簡介
SK hynix（簡稱：SK）海力士公司是韓國一家生產以DRAM、NAND Flash & CIS非存儲器為主的半導體供應商，是全球第二大內存芯片製造商，僅次於三星電子之後，也是世界第五大半導體公司，總部位於韓國利川。前身為1983年成立的現代電子產業株式會社，1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導體，2001年從現代集團分離出來，更名為(株)海力士半導體，2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器製造商，2012年2月韓國第三大財閥SK集團宣佈收購海力士21.05%的股份從而入主這家內存大廠，更名為SK hynix。
蘋果公司在一些iMac，MacBook和MacBook Pro電腦上使用海力士內存。谷歌自有品牌Nexus7平板電腦，OEM供應商IBM System x服務器，臺式PC，華碩的Eee PC都使用海力士內存。戴爾和惠普也採用海力士內存作為OEM設備。使用海力士存儲器的產品包括：DVD播放器，蜂窩電話，機頂盒，個人數字助理，聯網設備和硬盤驅動器等。
截止2019年7月，股價為80400韓元，約66美元，總市值52萬億韓元，約430多億美元，世界500強排名第363位。
二、發展歷程
■ 1983.02，創立現代電子株式會社；
■ 1996.12，公司股票在韓國上市；
■ 1999.10，合併LG半導體，成立現代半導體株式會社；
■ 2001.03，公司更名為(株)海力士半導體；
■ 2001.08，完成與現代集團的最終剝離；
■ 2003.04，宣佈與ST Microelectronics公司簽定合作生產NAND閃存的協議；
■ 2003.12，宣佈與茂德科技簽署長期的戰略性MOU；
■ 2004.07，獲得公司成立以來最大的季度銷售利潤；
■ 2005.07，提前終止企業重組完善協議；
■ 2006.10，海力士-意法半導體竣工（無錫工廠）；
■ 2007.04，在韓國清州動土建造300mm fab；
■ 2007.03，任命Jong-Kap Kim作為新會長及執行總裁；
■ 2007.12，成功發行約6億美元大規模海外債券；
■ 2008.05，宣佈與臺灣茂德科技簽訂全面合作合約；
■ 2008.08，清州300mm專用第3工場竣工；
■ 2009.02，成功開發世界頂尖44nm DDR3 DRAM；
■ 2010.06，中國海太半導體封裝測試項目竣工；
■ 2010.09，入選道瓊斯可持續發展世界指數；
■ 2011.07，與東芝簽署MRAM聯合開發協議；
■ 2012.02，SK電訊收購海力士；
■ 2012.05，公司名稱正式變更為SK海力士株式會社；
■ 2012.06，清州建立M12工廠；
■ 2012.06，收購 Ideaflash S.r.l , 於歐洲建立閃存研發中心；
■ 2012.06，與IBM簽署聯合開發PCRAM的協議；
■ 2013.02，任命Park Sung Wook為新任CEO；
■ 2013.06，與Rambus簽署了專利許可協議；
■ 2013.07，與三星電子簽署了交叉許可協議；
■ 2014.05，與Violin Memory的PCle Card部門合併；
■ 2014.06，與Softeq Development FLLC的固件部門合併；
■ 2014.09，於中國四川省重慶市建立後端線；
■ 2014.12，與東芝簽署了聯合開發納米壓印光刻諒解備忘錄；
■ 2015.08，利川M14竣工；
■ 2016.12，公開在忠清北道青州市建立晶圓廠的計劃；
■ 2017.04，開發72層3D NAND閃存。
三、圖片/視頻資料
一、公司簡介
SK hynix（簡稱：SK）海力士公司是韓國一家生產以DRAM、NAND Flash & CIS非存儲器為主的半導體供應商，是全球第二大內存芯片製造商，僅次於三星電子之後，也是世界第五大半導體公司，總部位於韓國利川。前身為1983年成立的現代電子產業株式會社，1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導體，2001年從現代集團分離出來，更名為(株)海力士半導體，2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器製造商，2012年2月韓國第三大財閥SK集團宣佈收購海力士21.05%的股份從而入主這家內存大廠，更名為SK hynix。
蘋果公司在一些iMac，MacBook和MacBook Pro電腦上使用海力士內存。谷歌自有品牌Nexus7平板電腦，OEM供應商IBM System x服務器，臺式PC，華碩的Eee PC都使用海力士內存。戴爾和惠普也採用海力士內存作為OEM設備。使用海力士存儲器的產品包括：DVD播放器，蜂窩電話，機頂盒，個人數字助理，聯網設備和硬盤驅動器等。
截止2019年7月，股價為80400韓元，約66美元，總市值52萬億韓元，約430多億美元，世界500強排名第363位。
二、發展歷程
■ 1983.02，創立現代電子株式會社；
■ 1996.12，公司股票在韓國上市；
■ 1999.10，合併LG半導體，成立現代半導體株式會社；
■ 2001.03，公司更名為(株)海力士半導體；
■ 2001.08，完成與現代集團的最終剝離；
■ 2003.04，宣佈與ST Microelectronics公司簽定合作生產NAND閃存的協議；
■ 2003.12，宣佈與茂德科技簽署長期的戰略性MOU；
■ 2004.07，獲得公司成立以來最大的季度銷售利潤；
■ 2005.07，提前終止企業重組完善協議；
■ 2006.10，海力士-意法半導體竣工（無錫工廠）；
■ 2007.04，在韓國清州動土建造300mm fab；
■ 2007.03，任命Jong-Kap Kim作為新會長及執行總裁；
■ 2007.12，成功發行約6億美元大規模海外債券；
■ 2008.05，宣佈與臺灣茂德科技簽訂全面合作合約；
■ 2008.08，清州300mm專用第3工場竣工；
■ 2009.02，成功開發世界頂尖44nm DDR3 DRAM；
■ 2010.06，中國海太半導體封裝測試項目竣工；
■ 2010.09，入選道瓊斯可持續發展世界指數；
■ 2011.07，與東芝簽署MRAM聯合開發協議；
■ 2012.02，SK電訊收購海力士；
■ 2012.05，公司名稱正式變更為SK海力士株式會社；
■ 2012.06，清州建立M12工廠；
■ 2012.06，收購 Ideaflash S.r.l , 於歐洲建立閃存研發中心；
■ 2012.06，與IBM簽署聯合開發PCRAM的協議；
■ 2013.02，任命Park Sung Wook為新任CEO；
■ 2013.06，與Rambus簽署了專利許可協議；
■ 2013.07，與三星電子簽署了交叉許可協議；
■ 2014.05，與Violin Memory的PCle Card部門合併；
■ 2014.06，與Softeq Development FLLC的固件部門合併；
■ 2014.09，於中國四川省重慶市建立後端線；
■ 2014.12，與東芝簽署了聯合開發納米壓印光刻諒解備忘錄；
■ 2015.08，利川M14竣工；
■ 2016.12，公開在忠清北道青州市建立晶圓廠的計劃；
■ 2017.04，開發72層3D NAND閃存。
三、圖片/視頻資料
一、公司簡介
SK hynix（簡稱：SK）海力士公司是韓國一家生產以DRAM、NAND Flash & CIS非存儲器為主的半導體供應商，是全球第二大內存芯片製造商，僅次於三星電子之後，也是世界第五大半導體公司，總部位於韓國利川。前身為1983年成立的現代電子產業株式會社，1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導體，2001年從現代集團分離出來，更名為(株)海力士半導體，2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器製造商，2012年2月韓國第三大財閥SK集團宣佈收購海力士21.05%的股份從而入主這家內存大廠，更名為SK hynix。
蘋果公司在一些iMac，MacBook和MacBook Pro電腦上使用海力士內存。谷歌自有品牌Nexus7平板電腦，OEM供應商IBM System x服務器，臺式PC，華碩的Eee PC都使用海力士內存。戴爾和惠普也採用海力士內存作為OEM設備。使用海力士存儲器的產品包括：DVD播放器，蜂窩電話，機頂盒，個人數字助理，聯網設備和硬盤驅動器等。
截止2019年7月，股價為80400韓元，約66美元，總市值52萬億韓元，約430多億美元，世界500強排名第363位。
二、發展歷程
■ 1983.02，創立現代電子株式會社；
■ 1996.12，公司股票在韓國上市；
■ 1999.10，合併LG半導體，成立現代半導體株式會社；
■ 2001.03，公司更名為(株)海力士半導體；
■ 2001.08，完成與現代集團的最終剝離；
■ 2003.04，宣佈與ST Microelectronics公司簽定合作生產NAND閃存的協議；
■ 2003.12，宣佈與茂德科技簽署長期的戰略性MOU；
■ 2004.07，獲得公司成立以來最大的季度銷售利潤；
■ 2005.07，提前終止企業重組完善協議；
■ 2006.10，海力士-意法半導體竣工（無錫工廠）；
■ 2007.04，在韓國清州動土建造300mm fab；
■ 2007.03，任命Jong-Kap Kim作為新會長及執行總裁；
■ 2007.12，成功發行約6億美元大規模海外債券；
■ 2008.05，宣佈與臺灣茂德科技簽訂全面合作合約；
■ 2008.08，清州300mm專用第3工場竣工；
■ 2009.02，成功開發世界頂尖44nm DDR3 DRAM；
■ 2010.06，中國海太半導體封裝測試項目竣工；
■ 2010.09，入選道瓊斯可持續發展世界指數；
■ 2011.07，與東芝簽署MRAM聯合開發協議；
■ 2012.02，SK電訊收購海力士；
■ 2012.05，公司名稱正式變更為SK海力士株式會社；
■ 2012.06，清州建立M12工廠；
■ 2012.06，收購 Ideaflash S.r.l , 於歐洲建立閃存研發中心；
■ 2012.06，與IBM簽署聯合開發PCRAM的協議；
■ 2013.02，任命Park Sung Wook為新任CEO；
■ 2013.06，與Rambus簽署了專利許可協議；
■ 2013.07，與三星電子簽署了交叉許可協議；
■ 2014.05，與Violin Memory的PCle Card部門合併；
■ 2014.06，與Softeq Development FLLC的固件部門合併；
■ 2014.09，於中國四川省重慶市建立後端線；
■ 2014.12，與東芝簽署了聯合開發納米壓印光刻諒解備忘錄；
■ 2015.08，利川M14竣工；
■ 2016.12，公開在忠清北道青州市建立晶圓廠的計劃；
■ 2017.04，開發72層3D NAND閃存。
三、圖片/視頻資料